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  • 本发明涉及一种高效散热的SiC功率装置及其制备方法,该SiC功率装置包括:SiC功率模块以及与SiC功率模块连接的散热器;所述SiC功率模块包括上盖、外壳、功率模块以及中间掏空的底板;所述散热器包括基板和翅片;所述功率模块包括至少一个DBC...
  • 本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种用于集成电路封装的基板和集成电路封装,包括基板组件,所述基板组件包括基板本体,且基板本体的两侧外壁均开设有两个对称设置的限位槽,所述基板本体顶部外壁嵌装有晶片座,所述基板本体的两侧外壁均开设有连接槽,...
  • 本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备,该半导体封装结构包括基板、芯片、封堵结构以及导热结构,芯片设于基板上,且芯片背离基板的顶壁向下内凹形成有换热流道;封堵结构连接于芯片,且封堵结构与芯片之间形成有连通于换热流道的冷却腔;导热结构位于冷却...
  • 本公开涉及一种半导体封装结构和电子设备,该半导体封装结构包括基板、芯片以及封堵结构,芯片设于基板上;封堵结构包括散热盖,散热盖连接于芯片,且散热盖与芯片之间形成有用于供冷却介质流过以和芯片进行热交换的冷却腔;其中,散热盖朝向芯片的第一侧壁形...
  • 本发明涉及一种水冷散热IGBT模块,它包括:塑封外壳、覆铜板、IGBT芯片、键合线、引脚和液冷基板,液冷基板具有:沉降区,位于液冷基板上表面,用于焊接覆铜板;给水口,用于输入冷却液;进水通道,环绕于沉降区的周向,并连通给水口;支流通道,与I...
  • 本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构,属于芯片封装技术领域,包括底板,底板的顶端设置有顶板,且顶板和底板之间设置有芯片本体,顶板的内部设置有散热机构,散热机构包括固定安装在顶板内部的冷却水管,顶板的内部设置有隔板,且吸附隔板位于冷却水管和...
  • 本申请实施例公开了一种封装芯片、电路板组件及电子设备,涉及芯片技术领域,解决了现有芯片采用射流冷却方式容易发生表面腐蚀问题。该封装芯片包括基板、裸芯片及第一防腐蚀层。裸芯片设置基板上。裸芯片上远离基板的一侧表面可以用于与射流冷却装置喷射的冷...
  • 本发明公开一种电子总成、封装基板及印刷电路板,其中电子总成包括一封装基板及安装在封装基板的一第一面的一芯片区的一集成电路芯片。封装基板包括一基板球垫排列,其包括位于封装基板的一第二面的四对差动信号基板球垫及两个接地基板球垫。这些对差动信号基...
  • 本发明公开了一种用于晶圆键合的半导体结构及改善晶圆键合对准的方法。所述半导体结构的键合标记包括依次堆叠的对比度增强层和第一介电层,且对比度增强层的光反射率高于第一介电层。所述方法利用该高对比度的键合标记结构实现晶圆的精确对准与键合。本发明通...
  • 本申请实施例提供一种基板翘曲矫正治具及方法,属于封装基板技术领域,基板翘曲矫正治具包括治具本体,其具有用于容纳基板的矫正室,矫正室底部在治具本体下端面上的投影形状与基板在治具本体下端面上的投影形状相同,且矫正室底部在治具本体下端面上的投影面...
  • 本发明提供了一种无引线封装结构的切割方法及其相关装置,涉及半导体制造技术领域,切割方法用于切割无引线封装结构,芯片包括两个第一边和至少两个第二边,第一边上设有触点,切割方法包括:对待切割的无引线封装结构进行图像识别,确定边框的内轮廓和第一边...
  • 本发明提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括:提供一基板,其中基板具有第一表面以及相对第一表面的第二表面;形成通孔贯穿基板,其中通孔的侧壁连接第一表面与第二表面;形成第一导电层在基板上且延伸至通孔中;形成第二导电层在第一导电层...
  • 本申请公开了一种中介板及其形成方法、封装结构及其形成方法,其中中介板的形成方法,包括:提供载板,载板包括多个第一区域和位于相邻的第一区域之间的分割区域;在载板上形成临时键合层;在临时键合层上形成无机介质层以及在每一个第一区域上的无机介质层中...
  • 本申请公开了一种半导体封装结构及其形成方法,其中形成方法,包括:提供玻璃基板,包括相对的第一表面和第二表面,玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构;在玻璃基板的第一表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一再布线金属层,第一再布线金属层与...
  • 本申请实施例提供一种封装基板加工方法及封装基板,包括:在封装基板上加工槽孔,槽孔的孔壁与封装基板的表面垂直;通过激光镭射在封装基板上加工X型通孔,X型通孔的孔壁与封装基板表面的夹角大于90度;以与封装基板表面垂直的方向进行金属靶材溅射,使封...
  • 本发明提出了一种共烧陶瓷制备有机封装陶瓷基板的制作方法,涉及半导体技术领域。一种共烧陶瓷制备有机封装陶瓷基板的制作方法,包括如下步骤:S110、陶瓷浆料和金属导体浆料制备;S210、生瓷片制备;S310、电路成型;S410、多层叠合;S51...
  • 本发明公开了一种非等径硅微孔转接板的制备方法,属于半导体封装技术领域。包括如下步骤:减薄硅片,在硅片背面制备二氧化硅层;在硅片正面涂覆光刻胶,利用光刻工艺得到图案化图形,图案化图形为不同直径的圆,通过刻蚀工艺,将涂覆光刻胶的硅片进行刻蚀,得...
  • 本发明公开了一种九端子芯片框架及封装方法,涉及芯片设计技术领域,所述芯片框架包括:矩形框架本体,包括1.1mm×1.1mm尺寸或1.0mm×1.0mm尺寸;九个相互绝缘的端子,包括一个中心端子及八个环绕分布的边缘端子;其中,所述端子按3×3...
  • 本发明提出一种功率模块,通过在封装体两面分别设置散热板,并将功率芯片倒装设置在两个散热板上,使得两个散热板能够分摊功率芯片的热量,两个散热板能够同时与外界进行换热,极大地提高了功率模块的散热能力,同时,功率芯片倒装能够取消内引线的设置;而设...
  • 本公开提供了一种具有三维集成结构的光电转换芯片及其制备方法,该光电转换芯片包括:光芯片层、再布线层、硅通孔转接层和电芯片层;光芯片层包括光电探测器芯片和电光调制器芯片;电芯片层包括衰减器芯片和放大器芯片;再布线层和硅通孔转接层将光电探测器芯...
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