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最新专利技术
  • 一种三电平模拟信号处理电路
    一种三电平模拟信号处理电路_中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心_202511412472.2
    本申请涉及矿井勘探技术领域，特别涉及一种三电平模拟信号处理电路，其中，包括：三电平信号放大模块用于进行放大处理得到放大三电平信号；三电平信号对比模块用于将放大三电平信号分别与产生的参考电压进行比较，获取第一比较信号和第二比较信号；信号处理模...
    2026-05-11
  • 带交叉耦合对管的低回踢低失调动态比较器及运行方法
    带交叉耦合对管的低回踢低失调动态比较器及运行方法_湖北大学_202511538427.1
    本发明公开了一种带交叉耦合对管的低回踢低失调动态比较器及运行方法，属于模拟集成电路技术领域。该比较器包括预放大级和再生级，预放大级由复位模块I、失调消除模块、交叉耦合模块和预放大模块构成，再生级由复位模块II、使能模块和锁存比较模块构成。其...
    2026-05-11
  • 一种单偏置串并联单刀单掷开关及单刀多掷开关
    一种单偏置串并联单刀单掷开关及单刀多掷开关_西安电子科技大学_202511459281.1
    本发明属于射频电路技术领域，公开了一种单偏置串并联单刀单掷开关及单刀多掷开关，该单刀单掷开关，包括第一微带线、第二微带线、第一并联晶体管模块、串联晶体管模块、第三微带线、第二并联晶体管模块和第四微带线。本发明采用连接于同一控制电压的两个并联...
    2026-05-11
  • IGCT驱动电路
    IGCT驱动电路_国网北京市电力公司_202511543221.8
    本申请公开了一种IGCT驱动电路。该电路包括：MOSFET驱动电路，包括一对互补工作的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，用于为IGCT器件提供正向门极电流和反向门极电流；两个门极电阻，用于调节IGCT器件的门极电流；两个加速电容，用于...
    2026-05-11
  • 栅极驱动电路、电源设备和电子设备
    栅极驱动电路、电源设备和电子设备_广东赛微微电子股份有限公司_202511432265.3
    本申请提供栅极驱动电路、电源设备和电子设备，该栅极驱动电路包括：第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块和电平转换模块；其中，在功率开关导通后，第一开关模块响应于使能信号为低电平信号，断开电源端至功率开关的栅极的通路；以及第三开关模块响应于...
    2026-05-11
  • 一种功率驱动电路、PCB板及芯片
    一种功率驱动电路、PCB板及芯片_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511290727.2
    本发明涉及电子技术领域，本发明公开了一种功率驱动电路、PCB板及芯片，包括误差放大单元、驱动增强单元和功率管级单元；所述误差放大单元与所述驱动增强单元电性连接，所述驱动增强单元与所述功率管级单元电性连接；所述误差放大单元用于对输入信号进行差...
    2026-05-11
  • 基于特征态电流补偿的碳化硅器件驱动保护装置及方法
    基于特征态电流补偿的碳化硅器件驱动保护装置及方法_湖南大学_202511894463.1
    本发明公开了一种基于特征态电流补偿的碳化硅器件驱动保护装置及方法，装置包括碳化硅器件包括低电位功率极、高电位功率极和门极；电路包括驱动保护电路和PWM驱动模块；驱动保护电路包括第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；驱动保护电路用于监测碳化...
    2026-05-11
  • NFC电路开关
    NFC电路开关_意法半导体国际公司_202510966289.0
    本公开涉及NFC电路开关。一种NFC天线选择器电路开关包括具有耦合到天线的第一和第二输出节点的天线匹配电路。第一晶体管将第一NFC信号输入节点耦合到匹配电路，第二晶体管将第二NFC信号输入节点耦合到匹配电路。第一和第二晶体管的控制节点在第一...
    2026-05-11
  • 一种减少PMOS管开启冲击电流的电路
    一种减少PMOS管开启冲击电流的电路_无锡祥瑞微电子科技有限公司_202511498031.9
    本发明涉及MOS管保护电路设计的改进，具体为一种减少PMOS管开启冲击电流的电路，增加本发明的电路后，实现流过PMOS管的冲击电流能降低50%以上，大大降低了对PMOS管的冲击电流。包括PMOS管Q1，三极管Q2的基极B外接控制电压，发射极...
    2026-05-11
  • 基于功率模块端口数据监测的栅极驱动电路及监测方法
    基于功率模块端口数据监测的栅极驱动电路及监测方法_上海大学_202511678328.3
    本发明提供了一种基于功率模块端口数据监测的栅极驱动电路及监测方法，其中栅极驱动电路包括：diCC/dt监测电路，获取开尔文端子e和功率端子E间的寄生电感电压uLs来监测集电极电流变化率并输出反馈信号V3；dVCECE/dt监测电路，通过外置...
    2026-05-11
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_三菱电机株式会社_202510952850.X
    本发明的目的在于提供一种能够抑制流过半导体元件的电流的不平衡的技术。本发明的功率半导体装置包括多个功率模块。多个功率模块的封装的外形相同。多个功率模块包括：由第1半导体构成的第1半桥模块；以及由第2半导体构成的第2半桥模块、由第2半导体构成...
    2026-05-11
  • 一种适用于SiC MOSFET的被动式多级电压软关断电路
    一种适用于SiC MOSFET的被动式多级电压软关断电路_南通大学_202511501205.2
    本发明公开了一种适用于SiC MOSFET的被动式多级电压软关断电路，包括驱动主支路、若干降压支路、驱动电阻、放电电阻以及驱动供电电路。驱动供电电路在开通SiC MOSFET 时由正向电源VVCCCC供电，在关断SiC MOSFET 时由负...
    2026-05-11
  • 一种适用于Si/SiC混合并联器件的串扰抑制驱动电路
    一种适用于Si/SiC混合并联器件的串扰抑制驱动电路_南通大学_202511501208.6
    本发明公开了一种适用于Si/SiC混合并联器件的串扰抑制驱动电路，包括基本驱动电路、时序切换电路和串扰抑制电路。时序切换电路包括SiC MOSFET时序切换电路和Si IGBT时序切换电路，时序切换电路各包含RC延时电路，通过控制延时时间实...
    2026-05-11
  • IGCT驱动电路以及IGCT门极电压钳位方法
    IGCT驱动电路以及IGCT门极电压钳位方法_国网北京市电力公司_202511543220.3
    本申请公开了一种IGCT驱动电路以及IGCT门极电压钳位方法。其中，该IGCT驱动电路包括：驱动信号输入模块，用于接收外部输入的原始驱动信号；驱动放大模块，用于对原始驱动信号进行放大处理；门极驱动回路，用于将放大后的驱动信号传输至IGCT器...
    2026-05-11
  • 一种带有上电反馈的修调电路、修调方法及芯片
    一种带有上电反馈的修调电路、修调方法及芯片_杰夫微电子(四川)有限公司_202511501909.X
    本发明公开了一种带有上电反馈的修调电路、修调方法及芯片，涉及集成电路技术领域，修调电路包括初始化控制模块与多个熔丝单元；熔丝单元包括熔丝模块和修调位控制模块，熔丝模块与初始化控制模块连接；熔丝模块包括多晶硅熔丝；修调位控制模块包括并联在多晶...
    2026-05-11
  • 一种开关管的高侧驱动电路及固态功率控制器、电子设备
    一种开关管的高侧驱动电路及固态功率控制器、电子设备_中国航天空气动力技术研究院_202511297647.X
    本公开提供了一种开关管的高侧驱动电路及固态功率控制器、电子设备，电路包括：隔离开关电源、下拉电阻和开关管；隔离开关电源的输出端与开关管的栅极连接，开关管的第一极连接第一工作电压，开关管的第二极与隔离开关电源的输出端参考地以及负载的一端连接，...
    2026-05-11
  • 一种毫米波带通射频开关电路、射频开关及无线通信系统
    一种毫米波带通射频开关电路、射频开关及无线通信系统_南方科技大学_202511397717.9
    本发明公开了一种毫米波带通射频开关电路、射频开关及无线通信系统，电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感与第二电感；第一晶体管的栅极用于接入第一偏置电压，第一晶体管的漏极与第一电感的一端连接，第一晶体管的源极接地；第一电感的另一端接地；第...
    2026-05-11
  • 一种单刀双掷开关电路及其设计方法、无线通信系统
    一种单刀双掷开关电路及其设计方法、无线通信系统_南方科技大学_202511398122.5
    本发明公开了一种单刀双掷开关电路及其设计方法、无线通信系统，单刀双掷开关电路包括第一开关模块与第二开关模块；第一开关模块包括：第一π网络、第一晶体管与第一电感；第一晶体管与第一电感构成行波网络或纯电感网络；第二开关模块包括：第二π网络、第二...
    2026-05-11
  • 用于Sigma-Delta ADC的高性能栅压自举开关
    用于Sigma-Delta ADC的高性能栅压自举开关_西安电子科技大学_202511559821.3
    本发明属于栅压自举开关技术领域，公开了用于Sigma‑Delta ADC的高性能栅压自举开关，在NMOS型栅压自举开关电路中引入PMOS开关电路，形成互补开关，所述互补开关用于抵消NMOS开关与PMOS开关由于时钟馈通效应导致的输出误差：引...
    2026-05-11
  • 一种高可靠新型单多晶开关单元结构
    一种高可靠新型单多晶开关单元结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571364.X
    本发明公开一种高可靠新型单多晶开关单元结构，属于半导体器件领域，包括两个选择管、两个控制管以及信号传输管，两个选择管间P+注入区与信号传输管的栅极通过金属电极相连，控制管的结构包括控制栅区和编程区，并且两个控制管的控制栅区通过金属电极相连，...
    2026-05-11
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