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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511494385.6
    形成半导体结构的方法包括提供基板，基板包括密集区和稀疏区，形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构在基板的稀疏区上，第二栅极结构在基板的密集区上，在稀疏区上的第一栅极结构、密集区上的第二栅极结构和基板上共形沉积衬层，在稀疏区上的第一栅极...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构的制造方法及半导体结构
    一种半导体结构的制造方法及半导体结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511736667.2
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括以下步骤：提供一衬底，将衬底划分为多个第一类分区和多个第二类分区，其中第一类分区用于形成第一类器件，第二类分区用于形成第二类器件；同步蚀刻第一类分区和第二类分区的部分衬底，形成初始沟...
    2026-01-25
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511290073.3
    描述半导体装置及用于制造半导体装置的方法。方法包括在半导体基板上方形成多个主动区；在半导体基板上方且这些主动区之间形成浅沟槽隔离(STI)特征，其中STI特征接触半导体基板的上表面；在主动区上方且STI特征上方形成栅极结构；通过蚀刻穿过栅极...
    2026-01-25
  • CMOS器件的形成方法
    CMOS器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394153.3
    本发明提供了一种CMOS器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底分为相对设置的正面和背面；在衬底的正面形成栅氧化层，在衬底的背面形成第一氧化层；在栅氧化层的表面形成栅多晶硅，在第一氧化层的表面形成多晶硅层；在栅多晶硅的表面形成第一氧化层侧墙，在...
    2026-01-25
  • 一种填充层间介质层的方法
    一种填充层间介质层的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511418395.1
    本申请提供一种填充层间介质层的方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成有多个栅极结构；步骤二，采用HDP工艺在衬底上形成层间介质层以填充多个栅极结构之间的间隙，增加HDP工艺的循环实施次数，HDP工艺的单次实施包括沉积和刻蚀步骤，实施沉...
    2026-01-25
  • 一种高压驱动IC BCD工艺制造方法
    一种高压驱动IC BCD工艺制造方法_深圳争妍微电子有限公司_202511422389.3
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种高压驱动IC BCD工艺制造方法，包括以下步骤：通过光刻胶掩膜限定出待形成隔离结构的区域；在所述光刻胶掩膜下，对该区域依次进行晶格稳定剂共注入和多次能量及剂量均不相同的介电转换主剂注入；去除掩膜后，进...
    2026-01-25
  • 半导体封装设备和其制造方法
    半导体封装设备和其制造方法_日月光半导体制造股份有限公司_202511432753.4
    本申请涉及一种半导体封装设备和其制造方法。该半导体封装设备包含第一导电壁、第二导电壁、第一绝缘壁、介电层、第一电极和第二电极。所述第一绝缘壁安置在所述第一导电壁与所述第二导电壁之间。所述介电层具有第一部分，所述第一部分覆盖所述第一导电壁的底...
    2026-01-25
  • 栅极驱动电路
    栅极驱动电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511432059.2
    本发明提供了一种栅极驱动电路，包括：P型衬底、第一P型埋层、第一N型埋层、第二P型埋层、第二N型埋层、第一P型体区和第二P型体区、N型外延层、第一P型阱区、第二P型阱区、第一P+区和第一P+N+区、第一P+N+区为多个P型掺杂区和多个N型掺...
    2026-01-25
  • 高压N型MOS管结构、线性稳压防护装置及电源系统
    高压N型MOS管结构、线性稳压防护装置及电源系统_无锡市晶源微电子股份有限公司_202511639633.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种高压N型MOS管结构、线性稳压防护装置及电源系统，包括：P型衬底；高压N阱；第一P型阱区，位于高压N阱内；第二P型阱区，位于高压N阱外；N型阱区，位于高压N阱内，对称设置在第一P型阱区两侧；在P型衬底...
    2026-01-25
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510163275.5
    本发明提供了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，该半导体器件包括衬底、在衬底上的晶体管堆叠、在晶体管堆叠的第一侧的第一源极/漏极结构以及在晶体管堆叠的第二侧的第二源极/漏极结构，其中晶体管堆叠包括在衬底上的下晶体管、在下晶体管上的上...
    2026-01-25
  • 半导体器件以及制造该半导体器件的方法
    半导体器件以及制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510364885.1
    提出了一种半导体器件及其制造该半导体器件的方法，半导体器件可以包括：沟道图案，在衬底上；源/漏图案，电连接到沟道图案；栅电极，在沟道图案上；层间绝缘层，在源/漏图案上；以及有源接触部，延伸到层间绝缘层中，并且电连接到源/漏图案。有源接触部可...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_北京知识产权运营管理有限公司_202511311878.1
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括晶体管、第一导电线和第一源漏接触结构；晶体管包括栅极结构以及位于栅极结构两侧的源漏结构；第一导电线位于晶体管沿第一方向相对两侧中的第一侧；第一源漏接触结构包括沿第一方向堆叠的第一导电部和...
    2026-01-25
  • 制造纳米片基器件的设备和方法
    制造纳米片基器件的设备和方法_华为技术有限公司_202510942180.3
    一种半导体器件及用于制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有图案化栅极，以减少场效应晶体管(field effect transistor，FET)，特别是互补场效应晶体管(complementary field effect tran...
    2026-01-25
  • 一种CFET器件的互连结构及制备方法、CFET器件
    一种CFET器件的互连结构及制备方法、CFET器件_北京知识产权运营管理有限公司_202511583690.2
    本发明公开一种CFET器件的互连结构及制备方法、CFET器件，涉及半导体技术领域，以解决现有CFET器件的互连方案会引入显著寄生电阻，且横向空间占用大的问题。互连结构至少包括：埋入式电源轨；形成在埋入式电源轨上的半导体主体，半导体主体至少包...
    2026-01-25
  • 一种在SOI衬底上进行硅外延生长的工艺方法及设备
    一种在SOI衬底上进行硅外延生长的工艺方法及设备_西安微电子技术研究所_202511414122.X
    本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种在SOI衬底上进行硅外延生长的工艺方法及设备，通过对SOI衬底进行梯度清洗后，将其置于外延炉中，在氢气气氛下进行温度为850‑1000℃的低温退火工艺，以此替代氯化氢气相抛光，实现表面修复和粗糙度降低；...
    2026-01-25
  • 像素阵列基板及其制造方法
    像素阵列基板及其制造方法_瀚宇彩晶股份有限公司_202410891705.0
    本发明提供一种像素阵列基板的制造方法包括在基板上形成牺牲层、在牺牲层上形成金属堆叠层、利用干式蚀刻制程移除部分金属堆叠层与部分牺牲层，并形成多条栅极线与多个凸出图案以及利用反应气体对多条栅极线与多个凸出图案的表面进行等离子体处理制程。金属堆...
    2026-01-25
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394002.8
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成MOS管的栅极，在顶层硅内形成MOS管的源极和漏极，源极和漏极分别位于栅极的两侧，MOS管为多个，且从射频输入端开始到...
    2026-01-25
  • 薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数
    薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数_常州大学_202511289591.3
    本发明涉及晶体管和PUF制备领域，具体涉及一种薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数。薄膜晶体管阵列包括依次层叠设置的玻璃基底层、ITO层、Zr绝缘层、至少一层IGZO有源层和排列在最外层IGZO有源层上的漏源银电极对阵列；其中，所述Z...
    2026-01-25
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410876680.7
    本公开提供一种显示面板以及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、晶体管层、第一源漏金属层、第二源漏金属层和像素层；其中，显示面板包括阵列设置的电路区，电路区设置有驱动子像素的像素驱动电路；显示面板设置有第一连接线...
    2026-01-25
  • 包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法
    包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410898579.1
    本发明公开一种包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法，其中包含有薄膜电阻层的半导体结构包含一金属栅极，金属栅极中包含有一氮化钛层、一钛层以及一铝层由下而上堆叠，其中铝层的一厚度与钛层的一厚度的比值大于0.66，以及一薄膜电阻层，位于金属...
    2026-01-25
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