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最新专利技术
  • 高强度钢板、高强度镀覆钢板及它们的制造方法以及构件
    高强度钢板、高强度镀覆钢板及它们的制造方法以及构件_杰富意钢铁株式会社_202480036049.4
    本发明的目的在于提供弯曲性和耐点焊部HAZ的钢板内部裂纹特性优良、并且能够以高尺寸精度制造部件的1180MPa以上的高强度钢板、高强度镀覆钢板及它们的制造方法以及构件。一种高强度钢板，其具有规定的成分组成，并且满足由xTi, eff=xTi...
    2026-01-15
  • 马氏体系不锈钢无缝钢管及其制造方法
    马氏体系不锈钢无缝钢管及其制造方法_杰富意钢铁株式会社_202480037261.2
    提供马氏体系不锈钢无缝钢管及其制造方法。本发明的马氏体系不锈钢无缝钢管具有下述成分组成，且具有758MPa以上的屈服强度，成分组成含有C、Si、Mn、P、S、Cu、Ni、Cr、Al、Mo、V、Ti、Nb、N、W及Co，且满足式(1)及式(2...
    2026-01-15
  • 蒸镀掩模以及电子器件的制造方法
    蒸镀掩模以及电子器件的制造方法_凸版控股株式会社_202480037864.2
    本发明的目的在于提供能够使具有优异的图案尺寸的蒸镀膜成膜并且能够抑制相邻像素的相互影响的蒸镀掩模以及使用了该蒸镀掩模的电子器件的制造方法。本发明的蒸镀掩模是配置在被蒸镀基板与蒸镀源之间、用于通过开口而将来自所述蒸镀源的蒸镀材料蒸镀在所述被蒸...
    2026-01-15
  • 在脉冲激光沉积工具中激光入射窗的粒子污染的减少
    在脉冲激光沉积工具中激光入射窗的粒子污染的减少_朗姆研究公司_202380086124.3
    一示例提供脉冲激光沉积(PLD)工具。PLD工具包括处理室，该处理室包含激光入射窗。PLD工具还包含位于处理室内的靶保持器。PLD工具还包含位于处理室内的衬底保持器。PLD工具还包含被配置成引导激光通过激光入射窗并朝向靶保持器的激光器。PL...
    2026-01-15
  • 用于形成低介电常数含硅薄膜的前体及利用其形成低介电常数含硅薄膜的方法
    用于形成低介电常数含硅薄膜的前体及利用其形成低介电常数含硅薄膜的方法_思科特利肯股份有限公司_202480038037.5
    本发明涉及包含由下述化学式1或化学式2表示的含硅化合物的用于形成低介电常数含硅薄膜的前体及利用所述前体的薄膜形成方法，所述用于形成低介电常数含硅薄膜的前体可以形成介电常数为2.2至3.6的低介电常数含硅薄膜，所述前体在常温下为液态，易于保管...
    2026-01-15
  • 用于半导体制造的加热器及相关腔室套件和处理腔室
    用于半导体制造的加热器及相关腔室套件和处理腔室_应用材料公司_202480027254.4
    本揭示案系关于用于半导体制造的加热器及相关腔室套件和处理腔室。在一或多个实施例中，一种适用于半导体制造的腔室套件包括加热器和内衬。加热器包括弧形加热器主体，该弧形加热器主体包括一或多个第一部分、一或多个第二部分以及一或多个连接器部分。加热器...
    2026-01-15
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202480038700.1
    本发明的一方面的基板处理装置包括：工艺腔室，内部形成反应空间；腔室盖，覆盖所述工艺腔室上部；基板支撑部，设置在所述工艺腔室内，以支撑至少一个基板；等离子体源组件，结合到所述腔室盖且形成具有第一半径的第一环形通道的第一等离子体源、形成具有第二...
    2026-01-15
  • 含硅及含铝/硅顶涂层
    含硅及含铝/硅顶涂层_欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔_202480032951.9
    本发明涉及一种涂覆基材，它具有涂覆表面，该涂覆表面由基材(1)表面和设置在该基材表面上的涂层形成，该涂层包括至少一个含硅涂膜(200)和沉积在基材(1)与含硅涂膜(200)之间的基底涂膜(100)，其特征在于，该基底涂膜(100)被施加在基...
    2026-01-15
  • 用于加工多晶金刚石材料体的方法
    用于加工多晶金刚石材料体的方法_第六元素(英国)有限公司_202380095226.1
    披露了一种用于浸出多晶金刚石切削元件的方法，所述方法为提供浸出容器，所述浸出容器具有在其中的第一腔体和第二腔体。将一定体积的液体酸浸出混合物引入所述第二腔体中。将所述PCD切削元件附接至夹具，并且使密封构件围绕所述PCD切削元件的一部分定位...
    2026-01-15
  • 加工多晶金刚石材料体的方法
    加工多晶金刚石材料体的方法_第六元素(英国)有限公司_202380095245.4
    一种用于浸出多晶金刚石(PCD)切削元件的方法，所述方法包括：提供具有内部容积的浸出容器；将一定体积的液体酸浸出混合物引入所述浸出容器中，所述体积为所述浸出容器的内部容积的约5％至约80％；将所述PCD切削元件附接至夹具；将密封构件施加在所...
    2026-01-15
  • 电解水电极、电解水阳极、电解水阴极、电解水单元和电解水装置
    电解水电极、电解水阳极、电解水阴极、电解水单元和电解水装置_松下知识产权经营株式会社_202480036576.5
    电解水电极(1)具备导电性基材(10)和层状双氢氧化物层(20)。层状双氢氧化物层(20)设置在导电性基材(10)的表面。层状双氢氧化物层(20)包含Ni。在层状双氢氧化物层(20)的掠入射X射线衍射测定的衍射图案中，012面的衍射峰的高度...
    2026-01-15
  • 回收铜的方法
    回收铜的方法_高丽亚铅株式会社_202480039182.5
    根据本发明的实施例，一种回收铜的方法包括：加压浸出工艺，用于在含铜和硫酸的废电解液中加压浸出含铜原料，以浸出原料中含有的铜，并以铁氧化物的形式沉淀原料中含有的铁；以及电解工艺，电解从所述加压浸出工艺排出的加压浸出工艺后溶液，以在阴极电沉积和...
    2026-01-15
  • 镀银材料、电触点用端子及镀银材料的制造方法
    镀银材料、电触点用端子及镀银材料的制造方法_同和金属技术有限公司_202480038481.7
    一种镀银材料，其为在基材上具备银镀层的镀银材料，基材的表面为铜或铜合金，银镀层包含硒，镀银材料的初始状态下的维氏硬度和在100℃下加热168小时后的加热后的维氏硬度均为120HV以上，银镀层的光泽度为1.0以上。
    2026-01-15
  • 用于固持并电接触中空工件的装置及用于电化学处理的设备
    用于固持并电接触中空工件的装置及用于电化学处理的设备_德国艾托特克有限两合公司_202480038458.8
    一种用于固持并电接触中空工件(1)的装置，其用于用至少自由端部(3)在轴向方向上插入到所述中空工件(1)的内部，所述装置包括用于接合所述中空工件(1)的第一部件(10)及第二部件(11)。至少所述第一部件(10)是导电的，且包括用于将所述第...
    2026-01-15
  • 掺杂颗粒硅的粒径选择
    掺杂颗粒硅的粒径选择_环球晶圆股份有限公司_202480034897.1
    公开用于用掺杂颗粒硅掺杂硅熔体的方法。可基于所述掺杂颗粒硅在所述硅熔体上的撞击区域控制所述掺杂颗粒硅的最大粒径。
    2026-01-15
  • 高通量Fab抗体片段生成和排序
    高通量Fab抗体片段生成和排序_阿雷克森制药公司_202480038224.3
    提供了通过由全长抗体生成抗体片段并测试抗体片段来进行抗原结合的高通量排序的方法和测定。
    2026-01-15
  • 整体编织的气囊织物结构
    整体编织的气囊织物结构_奥托立夫开发公司_202480039185.9
    一种整体编织的气囊织物结构(16)，该整体编织的气囊织物结构包括第一层(17)，该第一层包括多根第一经纱(18)和多根第一纬纱(19)，其中这些第一纬纱(19)中的至少一些第一纬纱与这些第一经纱(18)编织在一起。气囊织物结构(16)包括至...
    2026-01-15
  • 具有纱线退出的三维编织方法
    具有纱线退出的三维编织方法_赛峰集团_202480035583.3
    本发明涉及一种通过编织织机(100)，用于在经纱(210)和纬纱(220)之间编织织物(200)的方法，编织织机包括至少一个剑杆(130)，该剑杆能够沿参考路径(T130)穿过织机(100)和拉取纬纱(220)，该方法包括至少移位旨在从织物...
    2026-01-15
  • 具备移圈底脚片的横机及移圈底脚片
    具备移圈底脚片的横机及移圈底脚片_株式会社岛精机制作所_202480037753.1
    本发明提供一种具备移圈底脚片的横机及移圈底脚片，该移圈底脚片将左右非对称形状的基部件和翼片部件组合，实现刚性的提高和移圈的稳定性，并能够与左右对称形状的薄板的翼片部件等同地使用。移圈底脚片(10)将由具有刚性的板材形成的基部件(11)和安装...
    2026-01-15
  • 洗涤剂供应装置和具有该洗涤剂供应装置的衣物处理设备
    洗涤剂供应装置和具有该洗涤剂供应装置的衣物处理设备_LG电子株式会社_202480033416.5
    本文公开了一种洗涤剂供应装置，包括：抽屉，该抽屉包括：本体，具有被配置为储存洗涤剂的储存部分；和排放阀，设置在本体中并且被配置为将洗涤剂从储存部分排放；壳体，该壳体包括：第一腔室，允许本体可抽出地容纳在其中；第二腔室，限定与第一腔室分开的空...
    2026-01-15
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