Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法
    一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法_中国电力科学研究院有限公司_202511639258.0
    本发明涉及一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法。本发明提供的具有高过载能力的功率模块封装结构，包括上电极组件、第一低热阻结合层、芯片、第二低热阻结合层、下电极板，所述上电极组件包括固定连接的上电极板和凸台电极；所述第一低热阻结合层...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410756923.3
    本公开的实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括：第一半导体结构、第三键合层和第二半导体结构；第一半导体结构包括第一键合层及延伸至第一键合层内部的第一键合垫；第二半导体结构...
    2026-02-07
  • 一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺
    一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺_广州齐达材料科技有限公司_202511179007.9
    本发明涉及放大器技术领域，具体涉及一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺。包括热沉材料、绝缘层、引线框架、无源器件、封盖以及芯片，所述热沉材料采用CPC、CMC、CWC或C金刚石材质，所述绝缘层为陶瓷材料，所述引线框架为可伐合金，所述...
    2026-02-07
  • 铜片及半导体功率器件
    铜片及半导体功率器件_南通尚阳通集成电路有限公司_202511323453.2
    本申请公开了一种铜片及半导体功率器件，涉及半导体功率器件技术领域。铜片包括芯片连接结构、引线框架连接结构及桥接结构，芯片连接结构包括主体部、第一延伸部和第一导通部，主体部与桥接结构固定连接，第一延伸部与主体部间隔设置，第一导通部设于主体部和...
    2026-02-07
  • 一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法
    一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法_江西誉鸿锦电子技术有限公司_202511263003.9
    本发明提供了一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法，包括封装基板和其上具有若干凸块的倒装芯片；封装基板的正面上形成有第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘，第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘内均形成有梯度导流槽，梯度导流槽的...
    2026-02-07
  • 芯粒模块和封装结构
    芯粒模块和封装结构_上海壁仞科技股份有限公司_202511640542.X
    本公开实施例提供一种芯粒模块和封装结构，包括：多个芯粒以及控制器，其中每个芯粒包括多个接口区，且每个接口区被配置为能够与其他芯粒的多个接口区匹配；控制器被配置为控制所述多个芯粒之间的互联，且被配置为控制所述多个芯粒之一的一接口区在不同芯粒排...
    2026-02-07
  • 一种晶圆级系统封装结构及电子装置
    一种晶圆级系统封装结构及电子装置_上海易卜半导体有限公司_202511280441.6
    本公开提供一种晶圆级系统封装结构及电子装置，涉及半导体技术领域，包括：衬底，衬底上形成有阵列排布的第一芯片以及桥接芯片，桥接芯片位于第一芯片背离衬底的一侧，沿垂直于衬底所在平面的方向上，桥接芯片在衬底上的投影与第一芯片至少部分交叠，桥接芯片...
    2026-02-07
  • 芯片结构、功能器件和芯片封装方法
    芯片结构、功能器件和芯片封装方法_浙江清华柔性电子技术研究院_202410745239.5
    本申请实施例公开了一种芯片结构、功能器件和芯片封装方法。芯片结构包括了芯片本体、支撑体、互联通道和液体填料，支撑体起到支撑芯片本体的作用，支撑体由柔性材料制成，因此支撑体是可以弯折和拉伸的，而在支撑体被拉伸或压缩的过程中，互联通道会产生形变...
    2026-02-07
  • 一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法
    一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法_北京新雷能科技股份有限公司_202410752605.X
    本发明提供了一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法，涉及混合集成电路封装技术领域，其中陶瓷绝缘板焊接于金属壳体的底部，陶瓷功率板焊接于陶瓷绝缘板上，陶瓷高密度板焊接于陶瓷功率板上。陶瓷功率板位于正面的第一布线层和位于反面的第二布线层之间...
    2026-02-07
  • 一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件
    一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件_中科同德微电子科技(大同)有限公司_202511324232.7
    本申请提供一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件，涉及半导体领域。晶片阵列封装模块包括：载板，沿厚度方向的至少一面具有导电层，导电层用于与外部电连接；若干晶片，每个晶片包括沿厚度方向相对设置的第一面和第二面，第一面形成有源极和栅极，第二...
    2026-02-07
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511543948.6
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一重布线结构包括介电层以及位于介电层中的功能走线；功能芯片，设置于第一面上，且功能芯片与第一重布线结构电连接；应力控制结构，位于功能芯片底部的介电层中，应力控制结构与功能走线电隔离。应力控制结构可以抵消...
    2026-02-07
  • 一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片
    一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片_深圳市高特微电子有限公司_202410719771.X
    本发明公开了一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片，它涉及半导体技术领域；金属引线框架2脚、4脚、6脚、8脚内侧的银浆焊料上均安置有降容芯片，1脚、3脚、5脚、7脚内侧的银浆焊料上均安置有静电防护芯片，每颗静电防护芯片上均植入金属球，金属引线框...
    2026-02-07
  • 一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片
    一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片_深圳市高特微电子有限公司_202410732399.6
    本发明公开了一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片，它涉及半导体技术领域。金属引线框架的GND端左右两侧放置的银浆焊料上均安置有四通道超低容单向静电防护芯片，左侧芯片的四个开窗口通过金属导线分别与金属引线框架的1脚、2脚、8脚、9脚电性连接，...
    2026-02-07
  • 集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线
    集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410752111.1
    一种集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线。集流体制备设备包括放卷机构、收卷机构和镀膜机构，放卷机构用于放卷集流体的基膜，收卷机构设于放卷机构的下游且用于收卷制备得到的集流体；镀膜机构设于放卷机构和收卷机构之间，镀膜机构包括多个...
    2026-02-07
  • 全固态电池的制造方法
    全固态电池的制造方法_BEI实验室株式会社_202411384926.5
    本发明提供一种全固态电池的制造方法，包括：混合物形成步骤，将涂覆有润滑材料的正极活性物质的粉末和电解质的粉末混合以形成混合物；涂布步骤，将所述混合物涂布于正极集电体上；以及压制步骤，对所述混合物和所述正极集电体进行压制。根据本发明，能够减少...
    2026-02-07
  • 一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法
    一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法_武汉理工大学_202511001881.3
    本发明公开了一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法，所述熔盐储能铝电池电极由水泥、石墨颗粒、石墨烯和熔盐稳定剂复合制成，其中水泥基材料占复合材料总质量的10％～50％，石墨占50％～80％，石墨烯占1％～5％，熔盐稳定剂占5％～15％。该设计充...
    2026-02-07
  • 一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用
    一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用_三峡大学_202511219515.5
    本发明涉及一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用。负极材料的清洗：将锌负极材料置于有机溶剂中超声清洗；将BiCl3和SbCl3加入到有机溶液中，搅拌得到置换液；将锌负极材料作为工作电极，置于置换液中得到改性锌电极材料。...
    2026-02-07
  • 石墨烯电池材料制备装置及方法
    石墨烯电池材料制备装置及方法_重庆石墨烯研究院有限公司_202511228043.X
    本发明涉及电池制备领域，具体涉及石墨烯电池材料制备装置及方法，包括释放辊、收卷辊以及位于释放辊、收卷辊之间的支撑台，支撑台的上方设有涂覆单元；涂覆单元包括涂覆壳、涂覆辊和多个注料管，涂覆壳的底部设有涂覆槽，涂覆槽中固定设有多个分隔板，多个分...
    2026-02-07
  • 一种用于锂金属保护的有机-无机梯度氟化复合界面的制备方法及其应用
    一种用于锂金属保护的有机-无机梯度氟化复合界面的制备方法及其应用_青岛科技大学_202511255034.X
    本发明提供了一种用于锂金属保护的梯度氟化的有机‑无机复合界面的制备方法，涉及锂离子电池锂金属负极领域。本发明中梯度氟化的有机‑无机复合界面是通过分子层沉积方法获得，分子层沉积过程中使用四氟氢醌和三甲基铝作为前驱体，在一定温度下沉积氟化的Al...
    2026-02-07
  • 一种高镍单晶三元正极材料及其制备方法与应用
    一种高镍单晶三元正极材料及其制备方法与应用_宜宾锂宝新材料股份有限公司_202511269950.9
    本发明公开了一种高镍单晶三元正极材料及其制备方法与应用，属于电池材料技术领域。该高镍单晶三元正极材料的制备包括：将三元前驱体与锂源混合后进行预烧结，随后水洗、干燥，得到干燥料；将干燥料与补充锂源以及掺杂剂混合后进行第一次烧结，得到正极基体材...
    2026-02-07
首页 上一页 16 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证