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最新专利技术
  • 铁电材料组合结构、基于铁电调控的可调谐光传感器及其制备方法
    铁电材料组合结构、基于铁电调控的可调谐光传感器及其制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511160256.3
    本申请提供了一种铁电材料组合结构、基于铁电调控的可调谐光传感器及其制备方法，可以应用于半导体芯片领域。该铁电材料组合结构形成了双重电荷屏蔽系统，石墨烯与金属层两者协同可使铁电材料的退极化场大幅度降低。基于铁电调控的可调谐光传感器，包括：衬底...
    2025-12-25
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511232934.2
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，平板探测器包括闪烁体层和图像传感器层，所述图像传感器层包括多组像素区，一组所述像素区设置有至少两个感光区，且仅设置有一个非感光区，每一个所述感光区内设置有一个光电传感器，所述非感光区内设置有至少两...
    2025-12-25
  • 一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法
    一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法_成都微光集电科技有限公司_202511429718.7
    本申请公开了一种图像传感器封装结构及图像传感器封装方法，属于半导体集成电路制造工艺领域，该图像传感器封装结构包括：图像传感器芯片、支撑层、第一挡光层和透明盖板；图像传感器芯片表面设置有像素区；第一挡光层设置在像素区外围至少一侧的图像传感器芯...
    2025-12-25
  • 一种背照式图像传感器及制备方法
    一种背照式图像传感器及制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511598775.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种背照式图像传感器及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供器件晶圆和载体晶圆，所述器件晶圆的键合边缘表面为外凸曲面；在所述载体晶圆与所述器件晶圆的键合边缘对应的位置上形成支撑部，对所述支撑部的内侧表...
    2025-12-25
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511628584.1
    本申请公开了一种图像传感器及其制造方法，包括：在半导体结构上形成第一掩膜层，经由所述第一掩膜层在焊盘区中形成第一通孔，以及沉积第四氧化层；形成第二掩膜层，经由所述第二掩膜层在所述焊盘区形成第二通孔和在所述像素区形成第三通孔，所述第二通孔暴露...
    2025-12-25
  • 背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器
    背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511635099.7
    本申请实施例公开了一种背照式图像传感器的制造方法和背照式图像传感器，该方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆包括功能区域和焊垫区域，在焊垫区域器件晶圆背面的焊垫窗口暴露出焊垫；在器件晶圆背面依次沉积第一介质层和刻蚀停止层，第一介质层和刻蚀停止层覆...
    2025-12-25
  • 红外线光学元件
    红外线光学元件_旭化成微电子株式会社_202510714213.9
    本发明提供一种红外线光学元件，其能够兼顾电阻降低的改善以及SNR提高。红外线光学元件具备基板(10)和第一导电型半导体层(123)、活性层(122)以及第二导电型半导体层(121)构成台面结构的单位元件，单位元件还具备第一接触部(125H)...
    2025-12-25
  • 红外线光学元件
    红外线光学元件_旭化成微电子株式会社_202510714991.8
    本发明提供一种红外线光学元件，其通过对将多个光电转换元件串联连接的配线图案进行研究，提高了对由ESD引起的短路的耐受性。红外线光学元件具备基板(10)、单位元件(20)以及焊盘电极(40)，单位元件为多个，多个单位元件分别具备的第一导电型半...
    2025-12-25
  • 一种宽光谱硅基锗探测器及其制备方法
    一种宽光谱硅基锗探测器及其制备方法_中山大学_202511155223.X
    本发明公开了一种宽光谱硅基锗探测器，涉及短波红外光探测与成像领域，解决了现有硅基锗光电探测器存在响应光谱范围窄、暗电流高和灵敏度与集成度难以兼容的技术问题。该探测器包括第一衬底，以及制备在第一衬底上的掺杂源区、掺杂漏区、栅绝缘层和栅电极，构...
    2025-12-25
  • 基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法
    基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构及制备方法_西南技术物理研究所_202511012726.1
    本发明公开了一种基于深隔离槽钨栓塞的InGaAsP SPAD坏点抑制结构，包括：在n+型InP衬底上依次外延生长的包括n+型InGaAs刻蚀截止层、n+型InP接触层、i型InGaAsP吸收层、n+型InGaAsP电场修饰层、n+型InP电...
    2025-12-25
  • 一种有源像素传感器及电子设备
    一种有源像素传感器及电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410718517.8
    本申请涉及电子技术领域，公开一种有源像素传感器及电子设备，该有源像素传感器包括：衬底和高电子迁移率晶体管，所述衬底形成有光电二极管和浮置扩散区；所述高电子迁移率晶体管位于所述衬底上方，用于控制所述光电二极管和所述浮置扩散区之间的载流子转移；...
    2025-12-25
  • 具有稀疏自动聚焦像素的图像感测阵列
    具有稀疏自动聚焦像素的图像感测阵列_苹果公司_202510474303.5
    本发明涉及“具有稀疏自动聚焦像素的图像感测阵列。”一种图像感测设备包括半导体基板和以预定义间距设置在基板上的光电检测器的第一阵列。颜色滤波器层设置在光电检测器之上，并且包括红色区域、绿色区域和蓝色区域的矩阵，每个区域覆盖光电检测器的相应组。...
    2025-12-25
  • 成像元件和图像传感器
    成像元件和图像传感器_天马日本株式会社_202510729596.7
    本发明涉及成像元件和图像传感器。设置在基板上的成像元件包括：光电探测器；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述光电探测器和所述基板之间；以及信号线，所述信号线被配置为通过所述薄膜晶体管传输来自所述光电探测器的信号。所述信号线的至少一部分包括直...
    2025-12-25
  • 一种3D堆栈的硅基锗探测器
    一种3D堆栈的硅基锗探测器_中山大学_202511155221.0
    本发明公开了一种3D堆栈的硅基锗探测器，涉及短波红外光探测与成像领域，解决了现有硅基锗光电探测器光谱响应度低的技术问题。该探测器由第一晶圆和第二晶圆倒装键合构成，第一晶圆中设有MOSFET结构，第二晶圆中设有Ge‑on‑Si的光电二极管结构...
    2025-12-25
  • 一种用于无创血糖监测的双电荷层图像传感器及制造方法
    一种用于无创血糖监测的双电荷层图像传感器及制造方法_广州诺尔光电科技有限公司_202511161055.5
    本申请属于半导体工艺技术领域，公开了一种用于无创血糖监测的双电荷层图像传感器及制造方法，图像传感器，包括读出电路以及依次叠加的硅衬底层、硅电极层、本征雪崩层、双电荷层、本征锗吸收层、锗电极层和钝化层；多个以预设间隔分布的矩形凹槽依次贯穿锗电...
    2025-12-25
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_滁州惠科光电科技有限公司_202511226102.X
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器，阵列基板包括衬底基板，以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、光电转换层、缓冲层和共掩膜层，第一金属层包括第一导体部和第二导体部，光电转换层形成在第二导体部远离衬底基板一侧，共...
    2025-12-25
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511635667.3
    本发明属于半导体技术领域，公开一种背照式图像传感器及其制备方法，所述方法包括：提供一晶圆键合结构；晶圆键合结构包括器件晶圆；对器件晶圆的背面进行共离子注入，然后进行化学机械平坦化使器件晶圆减薄至设定厚度，然后在器件晶圆的背面形成衬底氧化层；...
    2025-12-25
  • 一种开窗介质孔超薄多光谱堆叠芯片
    一种开窗介质孔超薄多光谱堆叠芯片_上海叠铖光电科技有限公司_202511149740.6
    本发明公开了一种开窗介质孔超薄多光谱堆叠芯片，涉及多光谱成像技术领域。包括：超薄可见光芯片，所述超薄可见光芯片为经过感光区介质层开窗、正面镀膜新介质层、临时键合、背部极限减薄及反面镀膜新介质层制备工艺处理的晶圆；常规厚度的第二感光芯片，所述...
    2025-12-25
  • 一种N型TOPCon电池片及其制备方法
    一种N型TOPCon电池片及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202410681499.0
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池片及其制备方法，其中，本发明实施例所提供的制备方法中，利用激光辅助烧结正极栅线和/或负极栅线，可以在不损害硅片钝化层的情况下，直接形成低电阻的金属电极与硅之间接触点，从而降低整体的接触电阻，并促进金...
    2025-12-25
  • 用于制造背接触电池、电池串以及电池组件的方法
    用于制造背接触电池、电池串以及电池组件的方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202410719565.9
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种用于制造背接触电池、电池串以及电池组件的方法，通过在第一掺杂层和第二掺杂层上制备直接与焊接件焊接的金属薄膜层，可以无需设置主栅来进行汇流，也无需在掺杂层上设置金属化细栅和电镀工艺，解决了成本。同时，...
    2025-12-25
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