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  • 本发明提供了一种基于RMS‑Prop算法的主动偏振控制方法及系统,涉及偏振控制技术领域,方法包括:接收来自光电探测器反馈的电压信号,利用RMS‑prop算法对电压信号进行优化处理,产生实施偏振控制所需的控制电压;将控制电压加载在偏振控制器中...
  • 本发明涉及一种基于微透镜阵列的SRS晶体抗损伤激光能量均化装置,属于短脉冲激光技术领域。沿光路方向依次设置有泵浦激光器、光束隔离系统、光束能量调节系统、色分离镜、微透镜阵列、受激拉曼散射介质池;所述微透镜阵列集成多个微小透镜单元,用于将所述...
  • 本发明公开了一种基于镱离子掺杂晶体的低热效应自光参量振荡激光器,涉及激光技术领域,沿光路方向依次设置的泵浦源、聚焦系统、输入镜、镱离子掺杂晶体和输出镜;其中,所述镱离子掺杂晶体为能够同时实现基频光增益和光参量振荡的功能复合晶体,所述输入镜和...
  • 本发明公开了一种基于衍射匀化及闭环稳频控制的激光器、原子钟及实现方法,属于量子精密测量与原子钟技术领域。所述激光器包括激光光源、光路优化模块和闭环稳频控制模块。核心在于,所述光路优化模块集成有衍射匀化器,其设置于激光光路中,用于将激光光源输...
  • 本发明公开了一种蓝光半导体激光器串联型边缘取样注入式线宽压缩模块,属于蓝光半导体激光技术领域。包括:准直系统、反射阵列、外腔反馈系统,利用取样反馈的方式,使得模块中的单管能够互相串联,相互影响以达到波长统一并进一步压缩线宽的目的,降低单管波...
  • 本发明公开一种激光封装装置及其制造方法与激光光源装置。激光封装装置包含一基板、一激光二极管、一热侦测器以及一封盖。在激光封装装置中,基板包含一第一导电层,激光二极管及热侦测器分别位于基板上且电连接第一导电层。封盖覆盖激光二极管及热侦测器,封...
  • 本申请提供一种半导体激光器烧结夹具及使用方法,涉及半导体激光器技术领域,包括激光器壳体和限位罩;激光器壳体和限位罩通过定位销可拆卸连接;限位罩设有卡槽;卡槽和安装面形成多个夹持工位;夹持工位用于容纳焊料片和激光器芯片;压块;压块设有贯通的第...
  • 本发明公开了一种芯片安装结构及白光激光器,涉及激光器技术领域,包括:覆铜基板、支架、芯片载体和激光芯片,所述芯片载体为直角三棱柱结构,其两个直角面同时共晶安装在所述覆铜基板和所述支架上,所述激光芯片安装在所述芯片载体倾斜的安装面上;其中,所...
  • 本发明公开了一种模拟光模块的控温降噪方法,涉及数据处理技术领域;本发明通过收集光模块的原始温度信号、环境温度时序数据和光波长原始检测值并进行预处理;对LSTM模型进行改进,构建结温动态预测模型并输出预测数据;利用预训练的BP神经网络根据实时...
  • 本发明提供一种梯形电极边发射宽面低相干半导体激光器,包括:衬底层;依次层叠设置在衬底层第一表面的n限制层、n波导层、量子阱有源区、p波导层、p限制层、p接触层以及绝缘层;其中,p接触层和p限制层中形成有沿半导体激光器腔长方向的台面结构,台面...
  • 一种提高半导体激光器调制速率的方法。涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种提高半导体激光器调制速率的方法。本发明从半导体激光器器件中的基础电学原理出发,通过调整电极金属引线、欧姆接触性能以及器件中金属覆盖面积等参数,进而调整半导体激光器器件...
  • 本发明公开一种基于RN5C711的双光束激光二极管驱动电路,适用于激光打印机和数字复印机。所述电路采用+5V电源为RN5C711的AVCC、DVCC和LDV引脚供电,双激光二极管分别连接RN5C711的LD1、LD2引脚,通过可调电阻实现独...
  • 本发明属于半导体激光技术领域,并具体公开了一种多光栅可调谐波长的激光输出装置,其包括激光单管、光束快慢轴准直系统和可调光栅线宽压缩系统,其中:光束快慢轴准直系统用于准直激光单管发出的光束;可调光栅线宽压缩系统包括光束反射镜、多光栅透射组件和...
  • 本发明公开了一种蓝光相干调谐锁定窄线宽的输出系统,属于蓝光半导体激光技术领域。该输出系统包括空间合束模块和双外腔调谐锁定模块;空间合束模块输出蓝光光束;双外腔调谐锁定模块包括可调节波片、偏振分光棱镜、第一外腔和第二外腔;可调节波片改变蓝光光...
  • 本公开提供的激光芯片及其制备方法中,激光芯片包括发光区与电吸收调制区。电吸收调制区包括衬底、有源层、波导层、调制电极。其中,波导层包括脊结构、位于脊结构两侧第一脊沟槽与第二脊沟槽。在第一脊沟槽内设有第一填充介质,在第二脊沟槽内设有第二填充介...
  • 本申请涉及光通信用半导体激光器技术领域,尤其涉及一种单横模深脊波导CW‑DFB激光器及其制备方法,方法包括设计主波导与无源波导,通过耦合共振原理将主脊的高阶模耦合到边脊,边脊不进行电流注入,最终消除主脊的高阶横模;在宽脊波导增大输出功率的基...
  • 本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,垂直腔面发射激光器包含阶梯式电流扩散层,由于该阶梯式电流扩散层包括同心的中心圆形区域、外圈环形区域,以及中心圆形区域和外圈环形区域之间的至少一个中圈环形区域,并且,从中心圆形区域到外圈环形区域...
  • 本发明涉及光电子器件技术领域,公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。制备方法包括:提供衬底层;在衬底层的一侧表面形成外延结构,外延结构为砷化镓基结构,包括层叠设置的第一反射镜层、第一限制层、有源层、第二限制层和第二反射镜层;在第二反射镜层一...
  • 本公开提供的光模块中,激光组件包括基板与激光芯片,激光芯片设于基板表面。基板与电路板电连接,激光芯片与基板电连接。激光芯片的一端形成有发光区,发光区发出多束不携带信息的光。发光区的一侧形成有多个调制区,多个调制区中,一个调制区对其中一束不携...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种多有源区半导体激光器及其制备方法,多有源区半导体激光器包括:堆叠结构,堆叠结构包括依次堆叠的N面电极、衬底缓冲层、第一N型包层、第一波导层、第一P型包层、隧穿结、第二N型包层、第二波导层以及第二P型包层...
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