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  • 本申请提供的高压开关柜的放电检测方法、装置、设备、介质和系统,基于麦克风阵列,实时采集高压开关柜产生的超声波信号;对超声波信号进行预处理,得到放电信号;基于预设分解声场分布算法和三维麦克风布阵算法,对放电信号进行分析处理,确定放电位置信息;...
  • 本发明涉及套管检测技术领域,公开了基于多参数实时监测的套管绝缘状态检测方法。该方法包括实时采集套管运行环境中的局部放电脉冲序列、介质损耗角正切值波动数据及表面泄漏电流密度分布等多维度监测数据;对该数据集合进行绝缘缺陷特征提取,生成包含沿面放...
  • 本发明涉及配电柜监测领域,尤其涉及一种配电柜智能监测方法及系统。方法包括步骤:首先获取表征配电柜运行状态的声学时序信号并生成时频能量图;接着采用仅经正常状态数据训练的变分自编码器模型,对时频能量图进行异常检测以识别待验证声学异常事件;随后同...
  • 本发明涉及电缆绝缘状态检测技术领域,是一种基于PDC支路参数法的电缆局部老化状态诊断方法及装置,其装置包括:PDC测试单元,对待测电缆进行PDC测试,得到待测电缆的极化/去极化电流曲线;电导率计算单元,取极化电流曲线的稳态值减去去极化电流曲...
  • 本申请公开一种基于振荡波的电缆局放分析方法及装置,方法包括对被测电缆施加振荡波并同步采集低频包络与高频脉冲;依据电缆参数进行结构归一化;将环境与工况数据编码为条件向量实施条件归一化;再与按型号、长度、接头/终端类型分簇的理想模板进行域自适应...
  • 本发明提供了一种调制补偿式直流系统电弧检测装置,包括磁芯、绕设于所述磁芯上的感应线圈与调制线圈、依次连接的带通滤波电路、补偿放大电路、AD转换电路和算法单元,以及PWM调制电路;其中,所述感应线圈的输出端连接所述带通滤波电路的输入端;所述补...
  • 本申请提供一种晶圆测试异常的确定方法及设备。该方法包括:对待测晶圆进行测试,获取测试数据;若测试异常,根据所述测试数据确定异常类型是否为开路或短路;若否,基于所述测试数据生成晶圆图,并根据所述测试数据和所述晶圆图确定异常类型是否为误宰;根据...
  • 一种多器件串联混检的双极退化筛选测试装置及方法,其包括上位机、温度检测单元、冷却单元和检测电路。其中,冷却单元的冷端设有测试平台,测试平台上配置有检测电路,且温度检测单元的测量端安装于测试平台上。检测电路中串接有多个待测器件,且配置有电流通...
  • 本发明公开基于脉冲测试的自热效应表征分析方法、装置及设备,涉及半导体器件效应评估技术领域,用于解决现有技术中无法精确表征器件自热效应的问题。包括:将超快脉冲信号输入至高带宽器件测试结构,利用高速示波器观测器件源漏电流的时域变化动态;超快脉冲...
  • 一种IGBT器件的结温标定方法、结温检测方法及装置,属于结温标定技术领域,所述方法包括如下步骤:获取IGBT结温标定数据;其中,所述IGBT结温标定数据包括导通压降、结温和导通电流;根据IGBT结温标定数据拟合结温标定拟合函数,确定导通压降...
  • 本发明提供了一种多工况下单相四象限整流器IGBT开路故障诊断方法,涉及IGBT故障诊断的技术领域。获取单相四象限整流器的交流侧电压、交流侧电流、直流侧电压的历史数据,并获取总谐波失真率阈值、直流侧电压阈值和交流侧电流第一阈值。构建并训练IG...
  • 本发明属于电力系统技术领域,具体公开了一种SVC中晶闸管和BOD的故障预测方法,包括优化数据采集阶段:利用长短期记忆网络,持续采集和储存数据,并将故障类型分为晶闸管开路、晶闸管短路、触发角度偏移和正常状态;建立预测模型:利用时间序列法,分析...
  • 本申请涉及一种功率模块失效的检测方法,包括以下步骤:监测高压系统预充阶段的母线电压的电压数据;当电压数据超过预设的安全电压阈值时,控制驱动电路交替向功率模块的下桥臂和上桥臂输出设定频率和设定占空比的PWM驱动信号,以使上桥臂和下桥臂交替导通...
  • 本申请涉及半导体探测器件可靠性测试技术领域,公开了一种盖革雪崩焦平面探测器加速寿命试验方法及寿命预测系统,该方法包括:通过构建多物理场应力叠加环境对探测器同步施加温度应力、偏置电压应力和辐射剂量应力以加速关键失效机制显现,实时监测探测器响应...
  • 本发明提供了一种高迁移率器件势垒层缺陷对电学特性影响的分析方法,涉及电子元器件技术领域,所述方法包括:对预设能量的粒子入射AlGaN/GaN HEMTs器件的物理过程进行数值模拟,得到位移能量损失谱;确定辐照实验参数,并基于辐照实验参数对A...
  • 本发明提供了一种基于深能级瞬态谱的非均匀陷阱浓度分布测量方法,涉及二极管检测技术领域,该基于深能级瞬态谱的非均匀陷阱浓度分布测量方法根据获取的肖特基二极管的参数和肖特基二极管辐照后的电容‑电压曲线,通过预设的缺陷分布关系得到对应的缺陷分布数...
  • 本发明属于电子工业技术领域,具体涉及一种半导体模块门(栅)极自适扎接装置,包括橡胶固定块、两个弹簧针、三角形铜金属件;所述的两个弹簧针有固定安装在橡胶固定块上,所述的三角形铜金属件有两个,两个三角形铜金属件分别固定安装在两个弹簧针的下端,橡...
  • 本发明涉及一种重离子辐照对氮化镓高电子迁移率晶体管逆压电效应影响的试验方法,该方法是由试验样品选择及分组、重离子辐照试验、逆压电效应试验组成。氮化镓高电子迁移率晶体管由于自身特殊的压电效应的影响,在高电压下会引起逆压电效应,导致晶体管性能下...
  • 本发明公开了一种IGCT单级频率工作特性测试装置,应用于电气测量领域,包括单级IGCT测试压装结构、信号控制系统、单级吸收回路及外部供能电路,单级IGCT测试压装结构用于安装固定元件并提供电气连接,信号控制系统通过光纤向单级IGCT测试压装...
  • 本申请提供可调门极电压的驱动电路及设备,涉及半导体测试技术领域。该电路包括:驱动芯片、恒压电源、后级驱动电路、正压可调电源及负压可调电源,后级驱动电路,用于通过后级驱动电路的控制端接收驱动芯片输出的驱动信号,并在驱动信号的作用下向被测器件输...
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