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最新专利技术
  • 一种高效散热的碳化硅功率模块
    一种高效散热的碳化硅功率模块_浙江翠展微电子有限公司_202511292555.2
    本发明涉及功率模块技术领域， 特别涉及一种高效散热的碳化硅功率模块。所述高效散热的碳化硅功率模块包括散热组件， 模块组件， 外壳。所述散热组件包括底座， 凹槽， 进口， 出口， 散热基板， 扰流组件， 第一挡板， 以及第二挡板。所述扰流组件...
    2025-12-03
  • 一种散热芯片封装结构、散热封装器件及电子设备
    一种散热芯片封装结构、散热封装器件及电子设备_珠海凌烟阁芯片科技有限公司_202511305025.7
    本发明涉及芯片封装技术领域， 尤其涉及的是一种散热芯片封装结构、散热封装器件及电子设备， 散热芯片封装结构包括：散热部、芯片、封装基板和导热材料层， 其中， 所述散热部为一体成型结构， 所述散热部的下表面设置有用于固定所述芯片的容置槽， 所...
    2025-12-03
  • 一种半导体加热与散热一体化装置
    一种半导体加热与散热一体化装置_深圳深汕特别合作区乾泰技术有限公司_202510700817.8
    本发明公开了一种半导体加热与散热一体化装置， 涉及散热装置技术领域。包括半导体芯片模块， 包括数量不少于一个的半导体制冷片。通过半导体制冷片的双向热传导特性， 实现了制冷与制热模式的智能切换， 解决了传统单一功能散热系统在温差大环境下适应性...
    2025-12-03
  • 一种多孔芯片结构
    一种多孔芯片结构_南京工程学院_202510934321.7
    本发明公开了一种多孔芯片结构， 包括芯片、封装层和基板， 芯片上阵列有若干个竖向的通孔， 芯片下表面粘接在基板， 基板上表面开设若干个微通道， 每个微通道分别与一个或多个通孔相连通， 且微通道端部均贯通基板侧壁至与外侧连通， 封装层包裹在芯...
    2025-12-03
  • 一种液冷功率模块封装方法及装置
    一种液冷功率模块封装方法及装置_杭州爱矽科技有限公司_202510605858.9
    本发明提供了一种液冷功率模块封装方法及装置， 属于功率模块封装结构技术领域， 包括外壳体， 所述外壳体的内部设有衬板， 所述外壳体的侧壁设有封装气囊和挤压板， 所述挤压板连接有膨胀气囊， 还包括：封装组件， 所述封装组件用于对冷却液的封存；...
    2025-12-03
  • 一种散热结构及其设计方法
    一种散热结构及其设计方法_苏州元脑智能科技有限公司_202510885140.X
    本申请提供了一种散热结构及其设计方法， 该散热结构包括基底， 以及内嵌在基底内相互层叠， 且在延伸方向相互交错的第一流道和第二流道， 并通过适应性调整第一流道和第二流道交错形成的微流道网格的结构参数， 即可以使低温冷却工质在第一流道和第二流...
    2025-12-03
  • 一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺
    一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺_深圳市纪斯微电子技术有限公司_202511009163.0
    本申请涉及一种用于电源管理芯片的微流道热管理结构及其低温键合工艺， 属于半导体封装领域， 包括DC‑DC转换器晶圆、数字控制晶圆、TSV硅通孔阵列、蛇形微流道， 其特征在于， 所述TSV硅通孔阵列设置于DC‑DC转换器晶圆与数字控制晶圆之间...
    2025-12-03
  • 一种具有超声波焊接框架的半导体模块
    一种具有超声波焊接框架的半导体模块_江苏南天烁科技有限公司_202510947920.2
    本发明涉及半导体模块领域， 且公开了一种具有超声波焊接框架的半导体模块， 包括铜板， 所述铜板的顶部呈一字形排列有若干个连接架， 所述连接架的底部对称设置有两个支脚， 所述支脚呈Z字形， 所述连接架底部与铜板表面连接处设有铜支撑层， 所述铜...
    2025-12-03
  • 一种应力释放通孔结构及其制备方法
    一种应力释放通孔结构及其制备方法_厦门大学_202510966723.5
    本发明公开了一种应力释放通孔结构， 其包括形成于衬底中的通孔， 通孔的侧壁为沿深度方向排布的周期性曲面， 所述曲面为向背离深孔中心线的方向凹陷的弧形曲面；通孔的侧壁上设有功能层， 通孔内剩余部分填充导电材料。本发明还公开了其制备方法。本发明...
    2025-12-03
  • 半导体封装结构及其制备方法
    半导体封装结构及其制备方法_甬矽半导体(宁波)有限公司_202510988874.0
    本申请公开一种半导体封装结构及其制备方法， 涉及半导体技术领域， 该半导体封装结构包括第一芯片、第二芯片、第一塑封体、第二塑封体、第一重布线层和第二重布线层， 第一塑封体包覆于第一芯片外， 第一重布线层和第二重布线层分别设置于第一塑封体的相...
    2025-12-03
  • 半导体结构、形成方法、器件及电子装置
    半导体结构、形成方法、器件及电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410424766.6
    本申请涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种半导体结构、形成方法、器件及电子装置。半导体结构包括：基底结构、焊盘金属层、凸块结构、保护层和应力分散层；基底结构中形成有介电层；焊盘金属层形成在基底结构上；焊盘金属层包括焊垫区域和非焊垫区域， 凸块...
    2025-12-03
  • 双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法
    双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法_湖南国芯半导体科技有限公司_202511145775.2
    本发明提供了双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法， 涉及半导体封装领域， 包括内部结构， 内部结构包括：GaN功率芯片， 正面具有漏电极、源电极和栅电极；散热板， 设置在GaN功率芯片的上方， 并且散热板与GaN功率芯片的背面粘接；...
    2025-12-03
  • 一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法
    一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法_珠海凌烟阁芯片科技有限公司_202511287974.7
    本发明涉及半导体封装技术领域， 公开了一种裸片直接互连的封装结构及其制备方法， 裸片直接互连的封装结构包括：第一裸片， 设置有第一金属凸起与第二金属凸起；第二裸片， 设置有与第一金属凸起相对设置的第三金属凸起；第一裸片通过第一金属凸起与第二...
    2025-12-03
  • 右手半导体器件和包括右手半导体器件的系统
    右手半导体器件和包括右手半导体器件的系统_英飞凌科技奥地利有限公司_202510446207.X
    公开了一种右手半导体器件， 包括：控制连接器、第一负载连接器和第二负载连接器；其中， 连接器布置在同一平面中并从半导体器件的封装体中突出， 形成右手布置结构的手指；其中， 控制连接器后是第一负载连接器， 第一负载连接器后是第二负载连接器；和...
    2025-12-03
  • 复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法
    复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法_深圳芯源新材料有限公司_202510977620.9
    本申请公开了复合键合片及其制备方法、半导体封装结构及方法， 方法包括：提供大面积复合基材， 大面积复合基材包括导电金属片和结合层；对大面积复合基材按照复合键合片的轮廓进行不完全切割， 形成被至少一个连接点中断的切割线， 切割线围合形成对应于...
    2025-12-03
  • 用于集成电路封装的焊接偏移减少
    用于集成电路封装的焊接偏移减少_亚德诺半导体国际无限责任公司_202510443190.2
    本发明公开了用于集成电路封装的焊接偏移减少。在某些实施例中， 封装集成电路包括底焊盘、具有附接到所述底焊盘的底侧和包括在其上制造的应力敏感电路的顶侧的主半导体管芯、以及附接到所述主半导体管芯的所述顶侧的应力消除管芯。所述应力消除管芯用于提供...
    2025-12-03
  • 一种全桥功率模块引线框架及封装
    一种全桥功率模块引线框架及封装_峰岹科技(深圳)股份有限公司_202510821219.6
    本申请提出一种全桥功率模块引线框架及封装， 涉及半导体封装技术领域。全桥功率模块引线框架通过电源框架将控制侧与功率侧在第一方向上进行隔离。同时， 在控制侧以一个大面积的第一基岛作为载体， 通过并排对称设置的方式贴放三个功率驱动器件， 并在第...
    2025-12-03
  • 金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
    金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510923219.7
    本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆， 金属夹结构应用于功率模块， 金属夹结构包括：汇流金属带；汇流端部， 位于所述汇流金属带的一侧并与汇流金属带电连接；至少两条键合带， 位于所述汇流金属带的一侧， 并分别与汇流金属带电连接...
    2025-12-03
  • 金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆
    金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510923226.7
    本申请公开了一种金属夹结构、功率模块、转换电路和车辆， 其中金属夹结构包括：汇流金属带；汇流端部， 与汇流金属带电连接且位于所述汇流金属带的第一位置；至少两条键合带， 分别与汇流金属带的第二侧壁电连接；多个散热凸起， 位于键合带的表面；其中...
    2025-12-03
  • 铜种子层及其制备方法和应用
    铜种子层及其制备方法和应用_纳设智能装备(江苏)有限公司_202510989007.9
    本发明提供了一种铜种子层及其制备方法和应用， 涉及半导体封装的技术领域， 本发明提供的制备方法进行沉积时将采用三步法来进行铜薄膜的沉积。该方法包括：第一步为在玻璃衬底表面沉积高氢含量铜薄膜层作为最底层， 减少对样品表面损伤， 提高薄膜致密性...
    2025-12-03
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