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最新专利技术
  • 一种二维非层状晶体的制备方法
    一种二维非层状晶体的制备方法_天津理工大学_202510877829.8
    本发明公开了一种二维非层状晶体的制备方法， 将目标产物TiO2， CdS和PbS的原料粉末与助溶剂粉末混合均匀作为反应原料， 以硅片或蓝宝石作为衬底， 将反应原料夹在两片衬底之间， 放入CVD管式炉装置使反应原料充分反应， 在衬底上制备获得...
    2025-12-05
  • 一种提高金刚石单晶晶体质量的方法
    一种提高金刚石单晶晶体质量的方法_无锡光钻半导体科技有限公司_202510940387.7
    本发明公开了一种提高金刚石单晶晶体质量的方法， 本发明涉及金刚石制备技术领域， 包括设定MPCVD基础生长参数， 建立初始温度场， 引入动态温度调制机制， 通过温度波动程序打破静态温度场局限性， 本发明的优点在于：通过动态温度调制机制引入周...
    2025-12-05
  • 一种碳化硅外延生长用加热器
    一种碳化硅外延生长用加热器_中矽高温材料(泰州)有限公司_202510976587.8
    本发明涉及碳化硅外延加热领域， 具体的说是指一种碳化硅外延生长用加热器， 包括外延加热管及活动套接在外延加热管内侧壁面上的碳化硅加热限位架， 所述外延加热管的两侧表面上设置有液压杆， 所述液压杆的输出端上固定连接有弧形隔温板， 所述弧形隔温...
    2025-12-05
  • 外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备
    外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511189028.9
    一种外延设备用的进气板、外延设备用的分流组件、外延设备用的分流件及外延设备， 其中， 外延设备用的进气板包括：2个边缘部， 2个边缘部沿第一方向排列， 边缘部具有第一流气孔， 第一流气孔沿第一方向排列， 第一流气孔的出气方向与第一方向之间形...
    2025-12-05
  • 一种III-V族化合物材料生长方法
    一种III-V族化合物材料生长方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510804417.1
    本发明提供了一种III‑V族化合物材料生长方法， 获取衬底， 对衬底进行预处理；对处理过的衬底进行V族浸润， 并在进行过V族浸润的衬底上表面生成III‑V族化合物的形核层；其中， 形核层和衬底上表面之间形成有界面失配位错阵列；在形核层上依次...
    2025-12-05
  • 生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备
    生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510772618.8
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种生长锗硅叠层外延薄膜的方法及半导体工艺设备。生长锗硅叠层外延薄膜的方法包括：第一器件沉积步， 沉积第一器件；隔离层沉积步， 在第一器件的顶部依次沉积第一隔离锗硅层、单晶锗层和第二隔离锗硅层， ...
    2025-12-05
  • 一种多晶硅生产用降温冷却装置
    一种多晶硅生产用降温冷却装置_南京信息工程大学南通研究院_202511243704.6
    本发明涉及多晶硅生产技术领域， 且公开了一种多晶硅生产用降温冷却装置， 固定底座板顶部位置固定连接有下层降温箱， 下层降温箱表面且靠近底部位置固定套接有增压水箱， 下层降温箱位于固定连接增压水箱的底部位置开设有排列规整的进风口， 通过设有排...
    2025-12-05
  • 一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法
    一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法_无锡学院_202510677346.3
    本发明公开了一种基于高温超导磁控技术的超大规模硅单晶生长方法， 涉及硅单晶生长技术领域， 包括设定并校准初始磁场强度， 结合梯度石墨毡导热系数函数优化温场均匀性；在熔体阶段引入动态磁场调控机制， 通过流速－磁场联控抑制熔体对流并同步氧浓度监...
    2025-12-05
  • 大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法
    大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202510686038.7
    本发明提供一种大尺寸单晶硅棒的多棒拉制方法， 属于大尺寸晶棒生产领域， 包括：S1、向坩埚内进行装料， 装料至预设高度时将钡粉均匀地撒在硅料上；S2、进行化料， 使硅料与钡粉熔化， 熔化的钡粉随着硅液流动至坩埚内壁， 以在坩埚内壁形成保护层...
    2025-12-05
  • 一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法
    一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法_北京理工大学_202511115362.X
    本发明公开了一种基于光照和肖特基势垒层耦合的单晶硅挠曲电系数的增强方法， 包括：在单晶硅样片的上下表面分别蒸镀电极材料形成叠层结构， 叠层结构包括顶电极、单晶硅样片和底电极；当顶电极和底电极分别与单晶硅样片形成肖特基势垒层， 且两势垒的内建...
    2025-12-05
  • 一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法
    一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法_上海君宇浩升光电科技有限公司_202510970911.5
    本发明提供了一种用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液及减薄方法， 其中用于大尺寸单晶钙钛矿的减薄液， 包括去离子水以及分散在去离子水中的纳米粉末， 所述纳米粉末的质量占比为5‑15wt%。去离子水解钙钛矿单晶待减薄层， 其表面会生成质地松散的产物，...
    2025-12-05
  • 一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法
    一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法_上海应用技术大学_202510875578.X
    本发明公开了一种高含量(202)/(222)/(123)高指数晶面的YFeO3晶体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：按照Y3+：Fe3+＝1：1的摩尔比称取Y(NO3)3·6H2O和Fe(NO3)3·9H2O倒入烧杯， 溶于去离子...
    2025-12-05
  • 一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉
    一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉_安徽蚌合光电科技发展有限公司_202511084587.3
    本发明涉及晶体制造技术领域， 尤其是一种用于制备钇铝石榴石晶体的熔化炉， 包括有支撑座和设置于所述支撑座顶部的抬升加热组件， 所述抬升加热组件包括有设置于所述支撑座顶部的加热件和设置于所述加热件内部的抬升盛料件， 所述加热件的端部设置有往复...
    2025-12-05
  • 一种利用定向凝固法生长半绝缘氧化镓晶体的方法
    一种利用定向凝固法生长半绝缘氧化镓晶体的方法_杭州镓仁半导体有限公司_202311172445.3
    本发明公开了一种利用铸造法生长半绝缘氧化镓晶体的方法， 包括以下几个步骤：原料的处理：将氧化镓粉末和掺杂原料粉末放入铱金坩埚中， 加热熔完全熔化， 增加中频感应线圈功率使得氧化镓熔体温度升高并保温， 降温至氧化镓的熔点；晶体的生长：打开观察...
    2025-12-05
  • 氮化镓薄膜及其远程外延生长方法
    氮化镓薄膜及其远程外延生长方法_苏州大学_202510888071.8
    本发明公开了一种氮化镓薄膜的远程外延生长方法， 包括如下步骤：对硅衬底依次进行表面清洁、氩气蚀刻、退火处理、表面氮化处理， 所述硅衬底的表面形成Si3N4层；在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层；在所述单层石墨烯层上远程外延...
    2025-12-05
  • 一种碱金属稀土硫酸盐晶体及其应用
    一种碱金属稀土硫酸盐晶体及其应用_深圳大学_202511254647.1
    本发明提供了一种碱金属稀土硫酸盐晶体及其应用， 碱金属稀土硫酸盐晶体的化学式为ARE(SO4)2， 属于非中心对称单斜晶系， 其中， A为碱金属元素， 选自K、Rb、Cs元素中的任意一种；RE为稀土元素， 选自La、Ce、Y元素中的任意一种...
    2025-12-05
  • 3-氨基-1, 2, 4-三氮唑硝酸盐的多晶型非线性光学晶体材料及其制备与应用
    3-氨基-1, 2, 4-三氮唑硝酸盐的多晶型非线性光学晶体材料及其制备与应用_同济大学_202510220132.3
    本发明涉及3‑氨基‑1, 2, 4‑三氮唑硝酸盐的多晶型非线性光学晶体材料及其制备与应用， 该多晶型材料的化学式为(C2H5N4)(NO3)， 分子量为147.11， 具体包括两类晶型：(1)α‑(C2H5N4)(NO3)属于三斜晶系， 空...
    2025-12-05
  • 一种剥离方法、应用该剥离方法的单晶薄膜制备方法及单晶薄膜
    一种剥离方法、应用该剥离方法的单晶薄膜制备方法及单晶薄膜_济南晶正电子科技有限公司_202510891699.3
    本申请属于半导体技术领域， 具体涉及一种剥离方法、应用该剥离方法的单晶薄膜制备方法及单晶薄膜。该剥离方法包括：自功能性晶圆的第一表面依次注入第一离子和第二离子， 形成包含薄膜层、分离层和余质层的离子注入片， 第一离子和第二离子聚集在分离层；...
    2025-12-05
  • 氮化铝薄膜及其远程外延生长方法
    氮化铝薄膜及其远程外延生长方法_苏州大学_202510888042.1
    本发明公开了一种氮化铝薄膜的远程外延生长方法， 包括如下步骤：对硅衬底依次进行表面清洁、氩气蚀刻、退火处理、表面氮化处理， 在所述硅衬底的表面形成Si3N4层；在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层；在所述单层石墨烯层上远程外...
    2025-12-05
  • 一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法
    一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法_杭州镓仁半导体有限公司_202511240437.7
    本发明提供了一种氧化镓氢化物气相外延片的加工方法， 属于半导体技术领域。本发明的氧化镓氢化物气相外延片的加工方法包括以下步骤：提供氧化镓氢化物气相外延片；对所述氧化镓氢化物气相外延片依次进行背面减薄、背面腐蚀、正面减薄和正面抛光；所述背面减...
    2025-12-05
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