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最新专利技术
  • 双通道切换结构及吹风机
    双通道切换结构及吹风机_联宝(合肥)电子科技有限公司_202510472610.X
    本发明涉及吹风机吹风结构技术领域，尤其涉及一种双通道切换结构及吹风机，该结构包括风道组件和切换组件；风道组件包括风筒和挡板，风筒通过挡板分隔为第一区域和第二区域，挡板上设有第一内出风口和第二内出风口；切换组件包括风嘴和调节装置，风嘴设于第一...
    2025-09-28
  • 一种便于精准计数鸡蛋的环境控制设备
    一种便于精准计数鸡蛋的环境控制设备_安徽省农业科学院畜牧兽医研究所_202510469848.7
    本发明涉及蛋鸡养殖环境控制技术领域，公开了一种便于精准计数鸡蛋的环境控制设备，包括装置本体、检测装置、收集设备和搅动机构，装置本体由多个收集设备并排拼接构成，装置本体底端放置有垫草，装置本体整体向同一方向倾斜设置，且倾斜下方设置有输送装置，...
    2025-09-28
  • 霍尔器件及其制造方法
    霍尔器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510477089.9
    本申请提供一种霍尔器件及其制造方法，在制造方法中，先通过光刻工艺在高阻衬底表面定义霍尔器件的功能层区的区域，然后对高阻衬底同时进行N型、P型离子注入，并经过高温长时间的热过程，以在高阻衬底中形成均匀的N型掺杂的器件主功能层区和位于器件主功能...
    2025-09-28
  • 具有双埋层结构的SOI LDMOS器件及其制造方法
    具有双埋层结构的SOI LDMOS器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510480706.0
    本申请提供一种具有双埋层结构的SOI LDMOS器件及其制造方法，该器件包括：由下而上依次层叠的体硅层、埋氧层和顶硅层；形成于顶硅层中的第一导电类型漂移区、第二导电类型体区和多晶硅场板；形成于第一导电类型漂移区中的第二导电类型第一埋层和第二...
    2025-09-28
  • TGBT器件的制作方法
    TGBT器件的制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510477130.2
    公开了一种TGBT器件的制作方法，包括：提供一衬底，其中形成有沟槽，该沟槽包括深沟槽以及位于其两侧且与其连通的浅沟槽，浅沟槽中形成有第一多晶硅层，浅沟槽和第一多晶硅层之间形成有第一隔离层，衬底、第一多晶硅层、深沟槽表面形成有第二隔离层；在第...
    2025-09-28
  • DTC介质层的刻蚀方法
    DTC介质层的刻蚀方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510484319.4
    本申请公开了一种DTC介质层的刻蚀方法，包括：提供一晶片，晶片上形成有第一绝缘层，第一绝缘层中形成有深沟槽，第一绝缘层和深沟槽上形成有DTC多层膜结构，DTC多层膜结构上形成有第二绝缘层，第二绝缘层填充深沟槽，DTC多层膜结构包括依次交叠的...
    2025-09-28
  • 闪存器件中的高压CMOS器件的工艺集成方法
    闪存器件中的高压CMOS器件的工艺集成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510481881.1
    本申请提供一种闪存器件中的高压CMOS器件的工艺集成方法，在制备高压MOS器件区的栅极之前，借用闪存器件区的阈值电压离子注入的掩模版，采用非自对准方式，以图案化的牺牲层为掩膜，对闪存器件区和高压MOS器件区的衬底进行阈值电压离子注入(CVT...
    2025-09-28
  • 应用于存储器制造中的工艺方法
    应用于存储器制造中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510480724.9
    本申请公开了一种应用于存储器制造中的工艺方法，包括：提供一晶片，晶片上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成闪存器件，第二区域用于形成逻辑器件，晶片上形成有衬垫氧化物层，第一区域的晶片中形成有第一STI结构，第一S...
    2025-09-28
  • 小区偏移量的确定方法及装置、电子设备
    小区偏移量的确定方法及装置、电子设备_中国电信股份有限公司_202510481383.7
    本申请公开了一种小区偏移量的确定方法及装置、电子设备。其中，该方法包括：在源小区中确定常驻终端设备；在常驻终端设备中确定发生过乒乓切换的第二终端设备，并确定第二终端设备在乒乓切换过程中的多个驻留小区；在多个驻留小区中，将丢包率小于预设阈值的...
    2025-09-28
  • 语音覆盖互操作门限的调整方法及装置
    语音覆盖互操作门限的调整方法及装置_中国电信股份有限公司_202510480915.5
    本申请公开了一种语音覆盖互操作门限的调整方法及装置。其中，该方法包括：获取多个小区的上行语音数据和每个小区内多个终端在进行语音通话时的PUSCH功率数据；对于每个小区，依据上行语音数据确定该小区的上行语音丢包率，并依据该小区对应的PUSCH...
    2025-09-28
  • 流量检测方法、装置、电子设备及存储介质
    流量检测方法、装置、电子设备及存储介质_山石网科通信技术股份有限公司_202510479890.7
    本申请公开了一种流量检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及网络安全领域。其中，该方法包括：对目标流量数据进行特征提取，得到目标流量特征；将目标流量特征输入至目标模型中，依据目标模型在模型训练阶段的先验知识，基于目标流量特征检测目标流量数据...
    2025-09-28
  • 一种针对有源RIS场景的提高ISAC系统感知性能的安全传输方法
    一种针对有源RIS场景的提高ISAC系统感知性能的安全传输方法_南京邮电大学_202510476260.4
    本发明公开了一种针对有源RIS场景的提高ISAC系统感知性能的安全传输方法，该方法构建一种基于有源RIS辅助的ISAC系统，来同时完成通信和感知任务。有源RIS在辅助系统进行安全通信的同时，还可以有效克服四跳雷达带来的严重的乘性干扰，进而提...
    2025-09-28
  • 基于频率偏差的微电网自适应优化调控方法
    基于频率偏差的微电网自适应优化调控方法_三峡大学_202510478186.X
    基于频率偏差的微电网自适应优化调控方法，该方法首先通过实时比较微电网的频率与额定值的偏差，将频率偏差分为多个区间；其次考虑系统频率偏差和系统运行成本建立微电网多目标优化调控模型；然后采用加权求和方法将微电网多目标优化调控模型转换为单目标优化...
    2025-09-28
  • 一种船舶分区域布线方法
    一种船舶分区域布线方法_中船澄西船舶修造有限公司_202510474830.6
    本发明公开了一种可以降低船舶电缆布线复杂度、减少船舶电缆布线成本的船舶布线方法。该船舶分区域布线方法包括：根据船舶中终端设备的位置的集散度划分船舶布线区域；针对每个船舶布线区域，在所述船舶布线区域内设置接线盒，将所述船舶布线区域内的终端设备...
    2025-09-28
  • 一种高容量水系铁铕液流电池的电解液及其制备方法
    一种高容量水系铁铕液流电池的电解液及其制备方法_北京化工大学_202510483044.2
    一种高容量水系铁铕液流电池的电解液及其制备方法，属于液流电池储能技术领域，负极电解液主要成分为含铕盐与有机膦配体；正极电解液主要成分为含铁盐。还包括支持电解质用于调整并稳定电解液的pH环境。三价铕与有机膦螯合剂配位后，具有较高的溶解度，有着...
    2025-09-28
  • 一种铕铈液流电池电解液及其制备方法
    一种铕铈液流电池电解液及其制备方法_北京化工大学_202510481004.4
    一种铕铈液流电池电解液及其制备方法，属于液流电池技术领域。负极电解液包括铕盐与添加剂，正极电解液包括铈盐与添加剂，添加剂包括含磷酸基团螯合剂以及支持和辅助电解质。本发明提供螯合剂分子量大，避免了活性离子跨膜造成的交叉污染。且两端添加剂相同，...
    2025-09-28
  • 刻蚀抗残留的方法
    刻蚀抗残留的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510481884.5
    本发明提供一种刻蚀抗残留的方法，芯片封装工艺中将钝化层直接覆盖在最顶层金属层上，在钝化层刻蚀暴露最顶层金属层后，进行预清洗步骤，预清洗步骤包括在等离子体激发条件下，向反应腔室通入第一含氧气体和第一惰性气体，进行离子轰击清洗；在等离子体激发条...
    2025-09-28
  • 应用于半导体制造后段制程中的工艺方法
    应用于半导体制造后段制程中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510476626.8
    本申请公开了一种应用于半导体制造后段制程中的工艺方法，包括：提供一晶片，该晶片用于形成半导体器件，晶片上形成有绝缘层，绝缘层中形成有金属焊垫；通过光刻工艺进行刻蚀，使金属焊垫的预定区域暴露在外，在刻蚀过程中通入的气体包括含氟气体；通过湿法刻...
    2025-09-28
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510476598.X
    本申请提供一种半导体器件的制备方法，通过在刻蚀第二介质层和第一介质层之后，以及在刻蚀阻挡层之前，对半导体结构执行第一湿法清洗工艺，可以及时地、有效地清除刻蚀第二介质层和第一介质层过程中产生的大量的含有N、F、O等离子的聚合物残留，然后在没有...
    2025-09-28
  • 去除化镀聚酰亚胺层残留的方法
    去除化镀聚酰亚胺层残留的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510484354.6
    本发明提供一种去除化镀聚酰亚胺层残留的方法，在基板上形成聚酰亚胺层，在聚酰亚胺层上形成光刻胶层，利用光刻图案化光刻胶层使得部分聚酰亚胺层裸露；采用化学蚀刻去除裸露的聚酰亚胺，在蚀刻过程中存在外漂的聚酰亚胺残留物；去除剩余的光刻胶层；向反应腔...
    2025-09-28
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