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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510144171.X
    提供能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体元件(10)、引线框架(20)、封装部件(30)、引线端子(21)。半导体元件(10)设置在引线框架(20)的第一面上。封装部件(30)设置在引线框架(20)上及半导...
    2026-04-04
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510076003.1
    实施方式提供能够抑制制造成本的增加的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含：半导体芯片；第一导电体，包含从密封树脂的朝向第一方向的第一面露出的第一部分、从所述密封树脂的朝向与所述第一方向交叉的第二方向的第二面突出的第二部分、及将所...
    2026-04-04
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510040983.X
    本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的半导体装置包括半导体层和保护膜。半导体层具有上表面、下表面、第一侧面、第二侧面以及台阶面。下表面在与上表面相反的一侧。第二侧面位于比第一侧面靠上表面侧的位置，具有凹凸。台阶面将...
    2026-04-04
  • 一种功率模组及功率设备
    一种功率模组及功率设备_华为数字能源技术有限公司_202411320793.5
    本申请公开了一种功率模组及功率设备，涉及能源技术领域。功率模组包括基板、芯片、盖板和封装体，芯片设置于基板的第一表面。盖板位于芯片的背离基板的一侧，且盖板与芯片间隔设置。在本申请中，盖板包括本体和延伸部，延伸部设置于本体的周侧，且延伸部的背...
    2026-04-04
  • 半导体封装结构及其制造方法
    半导体封装结构及其制造方法_瑞昱半导体股份有限公司_202411299001.0
    本公开提供一种半导体封装结构及其制造方法，半导体封装结构包含基板、第一材料、第二材料以及芯片。基板包含至少一通孔，至少一通孔贯穿基板。第一材料由基板的第一侧填充进至少一通孔。第二材料由基板的第二侧填充进至少一通孔。第一材料的第一膨胀系数大于...
    2026-04-04
  • 芯片嵌埋封装方法、结构、电子设备和介质
    芯片嵌埋封装方法、结构、电子设备和介质_南通越亚半导体有限公司_202511670591.8
    本发明公开了一种芯片嵌埋封装方法、结构、电子设备和介质，涉及封装基板技术领域。该方法包括：获取第一框架基板；在第一牺牲铜柱的表面设置第二牺牲铜柱，使第一牺牲铜柱和第二牺牲铜柱导通形成牺牲柱；在第一框架基板的表面压合第二介质层，第二介质层覆盖...
    2026-04-04
  • 一种芯片扇出的封装方法及其封装结构
    一种芯片扇出的封装方法及其封装结构_厦门云天半导体科技有限公司_202511638524.8
    公开了一种芯片扇出的封装方法及其封装结构，封装方法方法包括：提供硅基板与芯片，将芯片非功能面键合于硅基板第一表面；形成包裹芯片的塑封层，激光开窗露出芯片焊盘；对芯片功能面一侧进行金属布线形成重布线结构；硅基板第一表面一侧临时键合于临时基板，...
    2026-04-04
  • 功率模块的封装方法及功率模块
    功率模块的封装方法及功率模块_鹏鼎控股(深圳)股份有限公司_202411310942.X
    本申请提出一种功率模块的封装方法及功率模块。本申请通过在基板的切割道上设置挡板，并设置贴合基板表面以及挡板表面的第一柔性保护膜，再贴合第二柔性保护膜以对电子器件进行封装，使得制得的功率模块中，电子器件的侧表面被第一柔性保护膜完全覆盖，电子器...
    2026-04-04
  • 一种SiC器件电镀铜表面PI钝化保护的制造方法
    一种SiC器件电镀铜表面PI钝化保护的制造方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511980325.5
    本发明公开了一种SiC器件电镀铜表面PI钝化保护的制造方法。该方法在DPC介质生长后直接涂覆PI并光刻，以固化后的PI作为掩膜刻蚀介质孔；该方法节省了总工艺步骤和所用光刻版，简化了工艺流程，降低了物料成本；同时DPC介质能够有效防止电镀铜在...
    2026-04-04
  • 一种具有校准功能的芯片封装结构和封装工艺
    一种具有校准功能的芯片封装结构和封装工艺_山东摩信新材料科技有限公司_202512024217.7
    本发明公开了涉及芯片封装技术领域，具体为一种具有校准功能的芯片封装结构和封装工艺，包括芯片主体和贴合压紧组件，所述芯片主体的四侧均水平设有引脚连接条，引脚连接条内下端设有若干连接触点，在芯片引脚进行可拆卸组装式，通过排列条将芯片引脚进行逐个...
    2026-04-04
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511799928.5
    本发明的实施例提供一种半导体装置及其形成方法。在一些实施例中，半导体装置包括在第一半导体衬底上的第一互连结构，其中第一互连结构包括第一导电金属材料和环状结构。环状结构可延伸至第一导电金属材料上方或围绕第一导电金属材料。在一些实施例中，半导体...
    2026-04-04
  • 一种耐高温金钯合金凸块封装方法
    一种耐高温金钯合金凸块封装方法_光洋新材料科技(昆山)有限公司_202511920929.0
    本发明涉及一种耐高温金钯合金凸块封装方法，步骤包括：S1、凸点制作：采用电镀的方式在芯片的表面制造金属凸块，金属凸块的材料为金钯合金，然后退火得到带凸点芯片，电镀液包括主盐、传导盐、膜硬度调节剂、结晶调节剂和pH调节剂，主盐包括氰化金钾和四...
    2026-04-04
  • 具有第一和第二直流电压负载端子的功率半导体模块
    具有第一和第二直流电压负载端子的功率半导体模块_赛米控丹佛斯电子股份有限公司_202511334900.4
    本发明提出了一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有基板，该基板具有法线方向并且具有呈半桥拓扑结构的电路布置结构，该功率半导体模块具有壳体，该壳体具有覆盖表面，并且该功率半导体模块具有第一直流电压负载端子、第二直流电压负载端子和交流电压负载...
    2026-04-04
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510289253.3
    实施方式提供一种可靠性提高的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括：第1步骤，对半导体元件施加第1载荷以将半导体元件的凸块压抵于配线衬底，并且不对凸块施加超声波振动或者对凸块施加第1强度的超声波振动以使凸块变形；及第2步骤...
    2026-04-04
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510144172.4
    本发明提供一种能够提高性能的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：第一导电部件；第二导电部件；半导体芯片，设置在所述第一导电部件与所述第二导电部件之间；以及第一连接部件，设置在所述半导体芯片与所述第二导电部件之间。所述第二导电部件具有连续...
    2026-04-04
  • 一种半导体芯片加工用贴片机构
    一种半导体芯片加工用贴片机构_河北百睿科技发展有限公司_202511617761.6
    本发明公开了一种半导体芯片加工用贴片机构，涉及芯片加工技术领域，包括皮带、圆环、弹性伸缩板、圆柱和圆角块，所述皮带转动安装在底板的表面，所述圆环固定安装在滚柱的内部，所述弹性伸缩板固定安装在圆环的圆周面上，所述弹性伸缩板的内部开设有空槽，所...
    2026-04-04
  • 一种系统级扇出封装结构及其制作方法
    一种系统级扇出封装结构及其制作方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511638590.5
    本发明公开了一种系统级扇出封装结构，包括：基板、基板焊盘、底层封装层和至少一层叠层封装层，所述底层封装层设置于所述基板与所述叠层封装层之间；所述底层封装层包括第一有机层、多个底层芯片和第一金属互连层；所述叠层封装层包括第二有机层、多个叠层芯...
    2026-04-04
  • 一种芯片扇出封装结构及其制作方法
    一种芯片扇出封装结构及其制作方法_厦门云天半导体科技有限公司_202511638589.2
    本发明公开了一种芯片扇出封装结构及其制作方法，包括：基板、钝化层、芯片、基板焊盘、芯片焊盘和塑封层，所述钝化层设置于所述基板的表面并预留有所述芯片贴装的区域，所述芯片贴装于所述基板的表面，所述芯片远离所述基板的一面设置有所述芯片焊盘，所述基...
    2026-04-04
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510233874.X
    提供能够抑制由引线的干涉引起的短路的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：布线基板；第一半导体模块，其配置在所述布线基板的主面上，层叠有1个以上的第一半导体芯片；引线，其将所述1个以上的第一半导体芯片中的1个第一半导体...
    2026-04-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411319835.3
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：底部半导体层；掩埋介质层，位于所述底部半导体层上；晶体管结构，位于所述掩埋介质层上；绝缘隔离结构，位于所述晶体管结构的侧面，所述绝缘隔离结构向下延伸至所述掩埋介质层；导电结构，侧面被...
    2026-04-04
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