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最新专利技术
  • 一种含有离子存储层的钙钛矿光伏电池及其制备方法
    一种含有离子存储层的钙钛矿光伏电池及其制备方法_国家能源投资集团有限责任公司_202411323805.X
    本发明属于光伏领域，具体涉及一种含有离子存储层的钙钛矿光伏电池，其包括正式结构或反式结构，其反式结构包括依次设置的导电基底层、空穴传输层、离子存储层、钙钛矿吸收层、电子传输层和金属电极层；其正式结构包括依次设置的导电基底层、电子传输层、钙钛...
    2026-04-07
  • 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511996979.7
    本申请公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钙钛矿太阳电池包括钙钛矿层，钙钛矿层中包含氟取代苯酚化合物，氟取代苯酚化合物的分子量小于等于200。本申请能有效钝化钙钛矿层内部和表面的缺陷，提升载流子的传输及收集效果，实现钙钛矿太阳...
    2026-04-07
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_西安天交新能源有限公司_202511848567.9
    本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。该钙钛矿太阳能电池包括透明导电基底、第一传输层、钙钛矿吸收层、共掺缓冲层、第二传输层和金属电极层；其中，共掺缓冲层通过在原子层沉积Al2O3过程中引入加热升华的有机...
    2026-04-07
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法_极电光能有限公司_202411334323.4
    本申请公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。钙钛矿太阳能电池导电衬底；空穴传输层，设置于导电衬底的一侧；空穴选择层，设置于空穴传输层远离导电衬底的一侧；以及钙钛矿吸收层，设置于空穴选择层远离导电衬底的一侧；其中，空...
    2026-04-07
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_旗滨新能源发展(深圳)有限责任公司_202511973627.X
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池至少包括层叠设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿活性层和电极层；所述空穴传输层的材料包括自组装材料和掺杂材料；所述掺杂材料包括硼酸苯基铵的盐酸盐。本发明将硼酸苯基铵的盐酸盐掺杂入...
    2026-04-07
  • 一种基于有机电化学晶体管的单沟道垂直互补放大电路及其制备方法
    一种基于有机电化学晶体管的单沟道垂直互补放大电路及其制备方法_河南工业大学_202512030744.9
    本申请公开了一种基于有机电化学晶体管的单沟道垂直互补放大电路及其制备方法，属于有机电子技术领域。所述基于有机电化学晶体管的单沟道垂直互补放大电路自下而上包括基底、底电极、单组分双极半导体沟道层、顶电极VDD、顶电极VSS及封装层；其中，顶电...
    2026-04-07
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_上海天马微电子有限公司_202512035958.5
    本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置，显示面板包括驱动基板、发光器件、封装结构和透镜结构。发光器件电连接在驱动基板的一侧。封装结构包覆发光器件的发光面，封装结构包括侧面和底面，侧面与底面之间的夹角为钝角。透镜结构位于封装结构远离发光器件...
    2026-04-07
  • 一种LED封装器件
    一种LED封装器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511954981.8
    本申请涉及一种LED封装器件，该器件包括线路板，及在线路板的正面线路面上沿线路板长度方向依次倒装的第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片和发光器件，第一发光芯片、第二发光芯片、第三发光芯片和发光器件共阳极或共阴极；其中，第一发光芯片与发光...
    2026-04-07
  • 一种LED封装器件
    一种LED封装器件_佛山市国星光电股份有限公司_202511954979.0
    本发明涉及一种LED封装器件，包括基板，设置在基板第一侧面的焊盘组件，以及设置在焊盘组件上的发光组件；焊盘组件包括至少五个相互独立的焊盘，其中包括一个A极焊盘和四个B极焊盘，A极焊盘位于基板的中部区域，四个B极焊盘环绕A极焊盘分布；发光组件...
    2026-04-07
  • 发光面板及其制作方法
    发光面板及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511625471.6
    本公开提供了一种发光面板及其制作方法。所述发光面板包括：驱动基板、第一钝化层、多个外延单元和多个透镜；第一钝化层位于驱动基板上，第一钝化层开设有多个凹槽，凹槽的开口面积大于凹槽的底面面积，多个外延单元分别位于多个凹槽内，多个外延单元通过凹槽...
    2026-04-07
  • 包括发光二极管的显示装置
    包括发光二极管的显示装置_乐金显示有限公司_202510552031.6
    公开一种包括发光二极管的显示装置。所述显示装置包括：显示面板，所述显示面板具有显示区和位于所述显示区的外围的非显示区；在所述显示区中的多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线彼此交叉以限定第一、第二和第三子像素；驱动晶体管，位...
    2026-04-07
  • 显示面板与显示装置
    显示面板与显示装置_上海天马微电子有限公司_202512040922.6
    本申请涉及一种显示面板与显示装置，显示面板包括：基板；多个发光器件设于所述基板的一侧，且沿第一方向排布成多个器件行，沿第二方向排布成多个器件列；所述第一方向、所述第二方向和所述基板的厚度方向两两相交；第一阻挡层设于所述基板的一侧；所述第一阻...
    2026-04-07
  • 一种显示集成单元、显示阵列及制备方法
    一种显示集成单元、显示阵列及制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202512003845.7
    本发明公开了一种显示集成单元、显示阵列及制备方法，应用于集成光电子器件领域，包括位于衬底一侧的本征材料层；位于本征材料层背向衬底一侧表面的Mg掺材料层；第二Mg掺材料层与第二本征材料层之间形成有二维空穴气；位于第一Mg掺材料层背向衬底一侧表...
    2026-04-07
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511904453.1
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板包括：基底；像素，位于基底的一侧；第一绝缘层，位于像素远离基底的一侧；阵列复合层，位于第一绝缘层远离基底的一侧；第一通孔，至少贯穿第一绝缘层；其中，阵列复合层通过对应的第一通孔电连接对应的像素。本申...
    2026-04-07
  • 显示面板的制造方法、临时转移基板及显示面板
    显示面板的制造方法、临时转移基板及显示面板_成都辰显光电有限公司_202411315487.2
    本申请提供一种显示面板的制造方法、临时转移基板及显示面板，所述方法包括：提供一临时转移基板，临时转移基板包括承载板及位于承载板的一侧间隔设置的多个凸起部；将多个待转移的发光器件分别设置于凸起部远离承载板的一侧；发光器件的出光面与凸起部粘接；...
    2026-04-07
  • 一种LED显示模块及制备方法
    一种LED显示模块及制备方法_佛山市国星光电股份有限公司_202511954697.0
    本发明公开了一种LED显示模块及其制备方法，所述显示模块包括：基板、电子元器件、LED灯珠、过渡层和封装层；所述LED灯珠设置在所述基板上，且所述LED灯珠容纳在所述封装层内，所述过渡层设置在所述LED灯珠和所述封装层之间，所述过渡层覆盖在...
    2026-04-07
  • 一种LED模组的单面集成封装结构及显示设备
    一种LED模组的单面集成封装结构及显示设备_湖北芯映光电有限公司_202511920489.9
    本申请涉及一种LED模组的单面集成封装结构及显示设备，LED模组的单面集成封装结构包括：基板，基板上排列有至少一颗LED灯珠，且基板上设置有驱动IC，驱动IC与LED灯珠位于基板的同一面，驱动IC与LED灯珠电连接，且一颗驱动IC控制至少一...
    2026-04-07
  • 一种柔性发光膜及制备方法
    一种柔性发光膜及制备方法_江西易晖光电科技有限公司_202511875186.X
    本发明提供一种柔性发光膜及制备方法，涉及发光膜技术领域，包括第一主体层、导通结构、LED芯片和第二主体层，第一主体层具有一第一界面层；导通结构粘贴于第一界面层上，导通结构由若干经线组成，经线为金属线；LED芯片的正极与负极分别与导通结构相导...
    2026-04-07
  • 一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置
    一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置_山西高科华兴电子科技有限公司_202512050611.8
    本发明公开了一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置，涉及幻彩LED灯珠领域，包括SMD封装基板，所述SMD封装基板上固定连接有散热框，所述散热框内固定连接有反光侧板，该一种侧发光高集成度动态幻彩LED灯珠、制备方法及装置，通过...
    2026-04-07
  • 双层基板芯片转移方法及激光巨量转移平台
    双层基板芯片转移方法及激光巨量转移平台_广东工业大学_202511905529.2
    本发明涉及芯片转移技术领域，特别涉及双层基板芯片转移方法及激光巨量转移平台。先根据转移基板第一方向上待转移芯片位置之间的第一间距、承接基板第一方向上对应芯片承接位置之间的第二间距以及能量阵列中第一方向上的能量作用点的第一数量，划分出每个芯片...
    2026-04-07
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