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  • 本发明属于半导体技术领域,涉及一种适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、通过图形化转移工艺对衬底上的锥形结构的异质层进行刻蚀,以在异质层的侧壁上形成凹凸微结构;S2、在侧壁上具有凹凸微结构的异...
  • 本发明提供一种电池组件及其制备方法,所述电池组件包括硅基底;所述硅基底上具有类金字塔结构,所述钝化膜层设置在所述类金字塔结构的表面;所述硅基底的表面包括第一区域和第二区域;所述第二区域位于所述硅基底的中部,所述第一区域位于所述硅基底的边缘区...
  • 本发明涉及一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置,其包括从下至上依次设置的制冷设备、第一导热层、基板以及第二导热层;所述第一导热层位于所述制冷设备、基板之间,且分别与制冷设备表面、基板表面贴合;所述第二导热层位于所述基板、芯片之间,且分...
  • 本发明属于固态脉冲功率技术领域,公开了一种长寿命光导开关及其制备方法,封装外壳中设有基板,基板上设有光导开关晶片,光导开关晶片的阳极连接有阳极外导体引线,光导开关晶片的阴极连接有阴极外导体引线,光导开关晶片上还连接有光斑光纤,阳极外导体引线...
  • 本发明涉及光传感器技术领域,公开了一种光学传感器的共面封装结构,其包括:基板、发光芯片、收光芯片和垫块;基板具有第一侧面;发光芯片设于基板靠近第一侧面的一侧,发光芯片与基板电连接;发光芯片与第一侧面间隔布置;收光芯片设于基板靠近第一侧面的一...
  • 本公开提供了一种晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括N型晶体硅衬底、第一钝化层、第二钝化层、N型非晶硅层、叠层结构、第一透明导电层和第二透明导电层。第一钝化层和第二钝化层位于N型晶体硅衬底的相对表面上。N型非晶硅层位于第一钝化层上。...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法,所述太阳能电池包括硅衬底,所述硅衬底具有相背设置的受光面和背光面;其中,所述受光面上依次包括正面掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极;所述背光面包括金属化区域和非金属化区域,所述金属化区域依次包括隧穿氧化...
  • 本申请提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括硅片和减反结构,减反结构包括设置于硅片表面的第一减反层和设置于第一减反层表面的第二减反层。第一减反层的折射率为n11,第二减反层的折射率为n22,n11与n22满足如下关系之一:(a)‑0....
  • 本公开提供一种具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池及其制造方法、电池组件。具有局域化钝化接触结构的TOPCon太阳能电池包括:电池硅片;多晶硅堆栈层,设于所述电池硅片的背面;介质层,设于所述多晶硅堆栈层与所述电池硅片之间;沟槽,沿...
  • 本发明公开了一种高效的背接触电池电极结构,涉及电池制备技术领域,包括硅片、细栅和主栅,距离硅片第一边缘或第二边缘区域最近的一条所述主栅为第一主栅,所述第一主栅为不连续主栅结构并分割成若干个离散的Pad点状结构,若干个所述Pad点状结构形成正...
  • 本发明公开了一种背接触电池、电池组件和光伏系统,背接触电池包括:硅基底,硅基底包括至少一个切割区域和至少两个栅线区域,切割区域设置在相邻两个栅线区域之间,栅线区域包括多个第一细栅和多个第二细栅,多个第一细栅和多个第二细栅沿第一方向交替排布并...
  • 本发明公开了一种背接触电池、电池组件和光伏系统。背接触电池包括:基片,基片的背面设置有多个第一细栅和多个第二细栅,多个第一细栅和多个第二细栅沿第一方向交替排布设置;多组沿第二方向相邻的两个第一细栅的相邻边缘围成多个第一串接区,多组沿第二方向...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统。太阳能电池包括:基底,所述基底的第一表面设置有若干收集栅线,所述若干收集栅线沿第一方向间隔排列;每一所述收集栅线包括沿第二方向设置的多个第一栅线段;其中,所述第一方向与所述第二方向互相垂直;部...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及太阳电池及制备方法、光伏组件。该太阳电池包括电池基体和栅线,栅线包括:底层栅线,底层栅线设在电池基体的表面,底层栅线包括银层;中间层栅线,中间层栅线设于底层栅线背离电池基体的一侧,中间层栅线包括贱金属层;顶层...
  • 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及制备方法,涉及薄膜太阳能电池技术领域,一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件,包括:玻璃衬底与钢化盖板玻璃,玻璃衬底与钢化盖板玻璃之间依次设置有可透光的阻挡层、背电极层、PN层、前电极层、胶膜,背电极层背...
  • 本发明公开了一种宽工作区间光敏晶体管的抗发射极拥挤效应优化方法,在晶体管的发射区上表面通过非均匀接触窗口分布形成非均匀的发射极金属接触,设置多个独立发射极单元构成多发射极结构以增大总接触面积,且这些发射极单元遵循非均匀设计原则,发射区中心区...
  • 本公开涉及红外探测器领域,提供一种红外探测器的电极图形结构,包括与上台面连接的上电极结构和与下台面连接的下电极结构,上电极结构包括位于上台面表面的上开口环形栅线、位于下台面上覆盖的钝化层表面且与上台面无重叠的上焊盘以及连接上开口环形栅线与上...
  • 本发明提供了一种雪崩光电二极管倍增区n型数字合金材料及其制备方法。其数字合金材料包括:与InP衬底的晶格匹配的超晶格结构;超晶格结构由单个周期单元重复堆叠形成;单个周期单元包括依次堆叠的层、第一GaAsSb层、n型掺Si的GaAsSb层和第...
  • 本申请涉及一种光伏组件,光伏组件的宽度W满足:2234mm≤W≤2254mm;光伏组件的长度L满足:2374mm≤L≤2394mm;光伏组件包括多个电池串,电池串包括电池片,电池片的长度l满足:265mm≤l≤285mm;沿光伏组件的宽度方...
  • 本发明公开一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,涉及光伏技术领域,用于优化具有非晶硅膜层的太阳能电池的电池效率。太阳能电池包括:半导体基底,所述半导体基底具有相对的第一面和第二面;第一半导体层,设置于所述第一面上,所述第一半导体层包括多个沿...
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