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最新专利技术
  • 一种结构耦合碳-碳复合材料的制备装置
    一种结构耦合碳-碳复合材料的制备装置_东华大学_202610090278.5
    本发明公开一种结构耦合碳‑碳复合材料的制备装置，涉及复合材料制备装置技术领域，包括第一雾化喷洒系统、第一进液单元、第二雾化沉积系统和第二进液单元；第一进液单元向第一雾化喷洒系统提供催化剂溶液；第一雾化喷洒系统将催化剂溶液进行雾化并能够在喷洒...
    2026-03-10
  • 一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备
    一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备_北京市天润中电高压电子有限公司_202610091710.2
    本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种在细长管内激发均匀等离子体的镀膜设备，包括机架、石英舟、推送装置、输气装置；机架上固定有连接筒；连接筒下端设有输送管；输气装置包括稀释组件和混合组件；稀释组件用于使载气分别将前驱体气体和反应气体单独稀释，...
    2026-03-10
  • 一种基于PECVD的基底预清洁方法
    一种基于PECVD的基底预清洁方法_嘉际环控(西安)科技有限公司_202610093209.X
    本申请公开了一种基于PECVD的基底预清洁方法，属于半导体薄膜沉积技术领域。该方法主要包括：将待沉积基底放置于沉积腔体内的加热器上，并将闭合的沉积腔体内的真空度调整至第一预定值；以预定大小的流量向沉积腔体内通入氩气，并将沉积腔体内的真空度调...
    2026-03-10
  • 碳纳米管-炭黑杂化结构的制备方法及其应用
    碳纳米管-炭黑杂化结构的制备方法及其应用_东莞瑞泰新材料科技有限公司_202511712990.6
    一种碳纳米管‑炭黑杂化结构的制备方法及其应用，碳纳米管‑炭黑杂化结构的制备方法包括如下步骤：(1)炭黑预处理：采用酸溶液对导电炭黑进行预处理；(2)催化剂负载：加入金属催化剂前驱体，使催化剂金属离子均匀吸附沉积在炭黑表面；(3)原位化学气相...
    2026-03-10
  • 一种真空过渡室换样装置
    一种真空过渡室换样装置_南京艾德利智能装备有限公司_202511645155.5
    本发明涉及一种真空过渡室换样装置，包括，过渡室主体、磁流体密封机构、旋转机构、升降机构和转接法兰，所述过渡室主体上设置有连接窗口，所述转接法兰与连接窗口连接，所述过渡室主体内部设置有样品承载机构，所述样品承载机构包括旋转轴、轴承座和样品承载...
    2026-03-10
  • 工艺环境的检测装置、薄膜沉积设备、方法及存储介质
    工艺环境的检测装置、薄膜沉积设备、方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511966980.5
    本发明提供了一种工艺环境的检测装置、一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述工艺环境的检测装置包括载盘及控制器。所述载盘包括多个复合检测模块。所述多个复合检测模块分布于所述载盘的多个位置，用于在所述载盘位于工艺腔室的...
    2026-03-10
  • 双驱动可变位真空镀膜机转架
    双驱动可变位真空镀膜机转架_北京中科科美科技股份有限公司_202610092431.8
    本发明涉及镀膜机转架技术领域，公开了双驱动可变位真空镀膜机转架，该转架包括传动轴、固定于其上的公转盘、套装于传动轴且具有上下层齿圈的复合齿轮、与下层齿圈啮合的驱动齿轮、转动连接于公转盘的行星传动组件、下端连接有传动齿轮的若干转动杆以及变位机...
    2026-03-10
  • 钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置
    钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置_中国科学院合肥物质科学研究院_202610080074.3
    本申请公开了一种聚变装置的钨第一壁的表面原位处理方法，包括：将钨第一壁加热至预设温度区间，预设温度区间为[700℃，1300℃]。基于预设辐照模式，对预先注入的氦气进行处理，生成氦等离子体并控制氦等离子体到达钨第一壁的入射离子能量处于预设能...
    2026-03-10
  • 一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法
    一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法_珠海二四九五设备有限公司_202511887854.0
    本发明公开了一种基于布朗气体的宽温域磁控溅射物理气相沉积设备及方法，包括：布朗气体发生输送系统、火焰加热系统、真空系统、安全防控系统以及总控制系统；布朗气体发生输送系统包括电解制气单元、纯化模块与双输送回路；火焰加热系统包括靶材侧环形喷嘴、...
    2026-03-10
  • 一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用
    一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用_昆山博翊汇新材料有限公司_202511730758.5
    本发明公开了一种具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片及其制备方法与应用，该具有低磁性金属化合物渗层的薄硅钢片以含硅量3.2‑3.4 wt%的冷轧无取向硅钢为基体，在其表面形成分布均匀、且厚度为10‑30微米的金属化合物渗层；薄硅钢片厚度为0....
    2026-03-10
  • 一种氢气响应的复合多层镁基薄膜表面自褶皱图案的制备方法
    一种氢气响应的复合多层镁基薄膜表面自褶皱图案的制备方法_上海交通大学_202511730501.X
    本发明公开了一种氢气响应的复合多层镁基薄膜表面自褶皱图案的制备方法，包括以下步骤：A. 在支撑基底表面制备聚合物弹性层；B. 在所述聚合物弹性层上采用磁控溅射法沉积多层金属基薄膜；C. 将所制备样品暴露于含氢气氛中，常温下通过氢化反应在表面...
    2026-03-10
  • 一种钻针制作装置及其使用方法
    一种钻针制作装置及其使用方法_深圳市金洲精工科技股份有限公司_202511729137.5
    本申请公开了一种钻针制作装置及其使用方法，包括带电粒子生成装置和磁场生成装置。其中，带电粒子生成装置的输出端朝向钻针设置，以将带电粒子生成装置产生的带电粒子喷射至钻针。磁场生成装置用于产生磁场，磁场的磁感线与钻针的轴向平行，磁感线方向由钻针...
    2026-03-10
  • 一种提高吸气膜靶材利用率的圆形磁控溅射装置的磁场结构
    一种提高吸气膜靶材利用率的圆形磁控溅射装置的磁场结构_兰州空间技术物理研究所_202511704040.9
    本发明公开了一种提高吸气膜靶材利用率的圆形磁控溅射装置磁场结构。吸气膜做为一种新型的真空封装材料，目前的主流制备技术是圆形平面装置磁控溅射技术，其中吸气膜靶材属于一种稀土合金靶材，价格昂贵，工业生产中要求尽可能提高其靶材利用率，降低生产成本...
    2026-03-10
  • 一种双旋磁控溅射阴极
    一种双旋磁控溅射阴极_杭州朗为科技有限公司_202511704024.X
    本申请公开了一种双旋磁控溅射阴极，包括靶管，用于装载靶材；第一驱动组件，用于驱动靶管绕其中心轴线旋转；其特征在于：还包括磁性组件，同轴设置于靶管内部；第二驱动组件，用于驱动磁性组件绕其中心轴线旋转；第一驱动组件和第二驱动组件被独立控制，以使...
    2026-03-10
  • 一种高强度耐冲压的复合涂层和制备方法
    一种高强度耐冲压的复合涂层和制备方法_东莞市俊威纳米科技有限公司_202511671830.1
    本发明涉及PVD涂层技术领域，公开了一种高强度耐冲压的复合涂层和制备方法，所述复合涂层由含钨、钛、铝、铪的第一靶材和含钒、钼的第二靶材溅射制备而成，所述复合涂层在厚度方向上呈现富氮区段和富碳区段周期性交替的纳米层状结构；所述复合涂层制备方法...
    2026-03-10
  • 一种“蓄水池”结构长寿命空间机构润滑薄膜及其制备方法
    一种“蓄水池”结构长寿命空间机构润滑薄膜及其制备方法_兰州空间技术物理研究所_202511634840.8
    本发明公开了一种“蓄水池”结构长寿命空间机构润滑薄膜及其制备方法，属于表面处理技术领域。该“蓄水池”结构长寿命空间润滑薄膜包括在基底表面依次设计的磁控溅射Ti打底层、磁控溅射复合等离子辅助化学气相沉积Ti‑DLC梯度层、等离子辅助化学气相沉...
    2026-03-10
  • 一种氧化钼溅射靶材及其制备方法和应用
    一种氧化钼溅射靶材及其制备方法和应用_中山智隆新材料科技有限公司_202511449954.5
    本发明公开了一种氧化钼溅射靶材及其制备方法和应用；包括如下按重量份计算的原料：含钼化合物60~90重量份；金属氧化物M1 10~30重量份；金属M2 5~20重量份；所述含钼化合物选自MoO22、MoO33、Mo44O1111或MoN中的至...
    2026-03-10
  • 一种真空镀膜方法及系统
    一种真空镀膜方法及系统_宁波锦辉光学科技股份有限公司_202610078025.6
    本发明公开了一种真空镀膜方法及系统。所述系统包括依次连通的第一溅射腔室、第一真空传输通道、CVD腔室、第二真空传输通道及第二溅射腔室。本发明利用基片在第一真空传输通道内移动时形成的流阻节流效应，在第一溅射腔室与CVD腔室之间建立压力梯度，驱...
    2026-03-10
  • 一种钴溅射靶材的制备方法
    一种钴溅射靶材的制备方法_云南贵金属实验室有限公司_202511870147.0
    本发明涉及磁控溅射技术领域，提供了一种钴溅射靶材的制备方法。本发明首先通过真空感应熔炼制备高纯钴锭，随后进行多段均匀化热处理，再对热处理后的钴锭进行热变形加工及真空退火处理，得到钴溅射靶材。本发明提供的方法操作简单，且能有效控制钴溅射靶材的...
    2026-03-10
  • 一种TiNbNiCr合金靶材及其制备方法
    一种TiNbNiCr合金靶材及其制备方法_苏州六九新材料科技有限公司_202511779635.0
    本申请提供了一种制备TiNbNiCr合金靶材的方法以及使用该方法制备的TiNbNiCr合金靶材。所用原料按原子百分比的配比为：Ti：20‑50％，Nb：10‑30％，Ni：1‑30％，Cr：10‑60％，其采用等离子烧结法进行制备。该靶材制...
    2026-03-10
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