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最新专利技术
  • 一种带自保护功能的功率模块封装体
    一种带自保护功能的功率模块封装体_上海嘉泽和信实业发展有限公司_202511770666.X
    本发明涉及封装体技术领域，尤其为一种带自保护功能的功率模块封装体，包括散热基板，所述散热基板的顶部螺纹连接有双面压接基板，所述双面压接基板底内壁的中部固定连接有功率芯片组。本装置可通过双面冷却，热阻显著降低，允许模块在更高功率下运行而不触发...
    2026-02-27
  • 一种封装方法与封装结构
    一种封装方法与封装结构_湖南越摩先进半导体有限公司_202610055522.4
    本发明涉及芯片封装领域，具体公开一种封装方法与封装结构，所述方法包括步骤：在基板上铺设芯片，将所述芯片与所述基板通过引线进行键合；提供胶膜盖板；所述胶膜盖板包括盖体，以及设于盖体表面的胶膜；加热胶膜盖板，直至所述胶膜盖板内设置的胶膜呈半液态...
    2026-02-27
  • 一种基于半导体器件低漏电率的氧化钝化装置及其方法
    一种基于半导体器件低漏电率的氧化钝化装置及其方法_核芯光电科技(山东)有限公司_202511715065.9
    本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种基于半导体器件低漏电率的氧化钝化装置及其方法，该装置包括：工艺腔室机柜，安装于工艺腔室机柜内部的炉管组件，炉管组件用于对硅片进行加热、以及安装于工艺腔室机柜内部且位于炉管组件进料口的硅片传输结构；基于...
    2026-02-27
  • 一种键合区分层改善的引线框架类塑封器件及方法
    一种键合区分层改善的引线框架类塑封器件及方法_郑州兴航科技有限公司_202511701009.X
    本发明公开了一种键合区分层改善的引线框架类塑封器件及方法，属于半导体集成电路封装测试领域，所述方法具体包括以下步骤：将待加工的芯片依次进行减薄、划片后，与引线框架进行粘片和引线键合处理，得到半成品电路；在半成品电路的芯片表面中心区域上用胶水...
    2026-02-27
  • 一种GPU芯片的CoWoS封装工艺
    一种GPU芯片的CoWoS封装工艺_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511621855.0
    本发明公开一种GPU芯片的CoWoS封装工艺，步骤如下：S1、以玻璃晶圆作临时载体形成玻璃基板，涂覆临时键合胶层；S2、用深反应离子蚀刻技术形成铜质硅通孔，沉积绝缘层和阻挡层，图案化金属布线层，用Cu Pin制程优化TSV制造形成铜柱互连结...
    2026-02-27
  • 芯片封装方法及芯片封装结构
    芯片封装方法及芯片封装结构_海光信息技术股份有限公司_202511604910.5
    本发明提供一种芯片封装方法，包括：制作铜柱阵列预制件，铜柱阵列预制件包括铜柱阵列及连接铜柱阵列中各铜柱的底座；将铜柱阵列预制件和硅桥芯片粘接在第一载片上；进行晶圆级塑封，得到塑封结构；对塑封结构的第一面进行研磨，将底座完全磨去，露出铜柱及硅...
    2026-02-27
  • 一种用于手办的芯片植入封装工艺
    一种用于手办的芯片植入封装工艺_安徽卡盟科技有限公司_202511375656.6
    本发明涉及一种用于手办的芯片植入封装工艺，涉及手办的芯片植入技术领域，包括以下操作：初步放置操作、再次定位操作；将罩板边缘均匀涂覆胶液，将罩板放置在封装接触面上，通过胶液的固化，使罩板和手办本体之间形成固定空腔，将固化液体从再次注入口填充到...
    2026-02-27
  • 电子装置及其制备方法
    电子装置及其制备方法_群创光电股份有限公司_202411106024.5
    本发明提供一种电子装置及其制备方法，其中，电子装置包括：一第一衬底；一元件层，设置在该第一衬底上，该元件层包含一主动区和一周边区，该周边区围绕该主动区；一第一接合垫，设置在该元件层的该周边区上；一第二衬底，相对于该第一衬底设置；一第二接合垫...
    2026-02-27
  • 应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备
    应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备_常州市朗捷电子有限公司_202610058016.0
    本发明提供一种应用于低热阻大功率贴片式芯片封装工艺及设备，属于芯片封装技术领域。方法包括在真空环境中对芯片基板进行等离子体表面活化处理，构建智能预处理系统；配置复合导热材料，控制材料配比与涂布厚度；采用多阶段温度压力曲线完成芯片贴装，形成初...
    2026-02-27
  • 一种半导体功率模块的封装结构及封装方法
    一种半导体功率模块的封装结构及封装方法_华羿微电子股份有限公司_202511749942.4
    本发明公开一种半导体功率模块的封装结构及封装方法，涉及功率半导体封装的技术领域，该方法包括：通过钢网印刷技术在引线框架的中间载体上印刷第一焊膏，利用第一焊膏将MOSFET芯片粘接在引线框架上；在MOSFET芯片的源极和引线框架的源极点胶第二...
    2026-02-27
  • 基于金凸点与金锡间隔结构的陶瓷基板多层封装结构及方法
    基于金凸点与金锡间隔结构的陶瓷基板多层封装结构及方法_中国电子科技集团公司第四十三研究所_202511636365.8
    本发明涉及一种基于金凸点与金锡间隔结构的陶瓷基板多层封装结构及方法。该多层封装结构包括自上向下依次设置的若干层金凸点组装子单元；相邻金凸点组装子单元之间通过金锡焊接相连；所述金凸点组装子单元包括通过金凸点相连的第一氧化铝陶瓷基板和第二氧化铝...
    2026-02-27
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511667438.X
    本申请提供了一种半导体结构及其形成方法；其中，半导体结构，包括：基底、第一芯片、保护结构和隔离结构，基底包括键合区域，以及环绕所述键合区域的外围区域；第一芯片位于所述基底表面、且与所述键合区域相键合；保护结构环绕所述第一芯片的侧壁；所述保护...
    2026-02-27
  • 半导体封装、封装半导体裸片的方法及具有扩展高带宽存储器偏移的中介层
    半导体封装、封装半导体裸片的方法及具有扩展高带宽存储器偏移的中介层_安华高科技股份有限公司_202511688157.2
    本公开涉及半导体封装、封装半导体裸片的方法及具有扩展高带宽存储器偏移的中介层。一种半导体封装包含中介层、若干第一集成电路IC裸片、一或多个第二IC裸片，及一或多个虚拟裸片。所述第一IC裸片、所述第二IC裸片及所述虚拟裸片在所述中介层上实施。...
    2026-02-27
  • 具有中介层的封装结构及其形成方法
    具有中介层的封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511642199.2
    本发明涉及一种具有中介层的封装结构及其形成方法。所述具有中介层的封装结构包括：中介层，包括沿第一方向相对分布的上表面和下表面；绝缘填充层，覆盖于中介层的侧壁上；第一通孔互连结构，位于绝缘填充层内；上布线层，连续分布于中介层的上表面上和绝缘填...
    2026-02-27
  • 一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法
    一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法_武汉大学_202511618793.8
    本发明公开了一种高密度封装的TGV梯度材料填充互连结构及其填充方法，涉及半导体封装技术领域。TGV梯度材料填充互连结构包括位于玻璃基板上的玻璃通孔，玻璃通孔内部填充有导电金属主体；玻璃通孔的内壁与导电金属主体之间依次设有微纳锚钉结构层、分子...
    2026-02-27
  • 一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法
    一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511812571.X
    本发明涉及半导体技术领域，具体地说是一种非对称玻璃基板的制作结构及其方法，利用玻璃胶层固定TGV打孔后的玻璃芯层，采用双面化镀以及电镀填孔有效的提升了电镀效率，同时做到两面电镀面积平衡可以有效提升玻璃面的镀铜均匀性以及玻璃孔的填孔均匀性。同...
    2026-02-27
  • 一种芯片埋入式硅转接板的封装方法及对应的封装结构
    一种芯片埋入式硅转接板的封装方法及对应的封装结构_华天科技(江苏)有限公司_202511770545.5
    本发明提供了一种芯片埋入式硅转接板的封装方法，其用于解决现有技术封装中热膨胀系数失配、封装翘曲过大的问题。其通过在硅转接板内部蚀刻形成凹槽，凹槽用于内嵌元件，随后通过硅通孔的垂直互连结构实现硅转接板的上/下表面与嵌入式元件的电气连接。
    2026-02-27
  • 一种光电共封装结构及其制备方法
    一种光电共封装结构及其制备方法_厦门大学_202511717946.4
    本发明公开了一种光电共封装结构及其制备方法，所述光电共封装结构包括光波导放大器、光纤连接器、LED垂直泵浦阵列、电子集成芯片、光子集成芯片和倏逝波层间耦合结构；芯片之间通过TGV、RDL等电互连结构实现电信号传输；其中，光波导放大器与光子集...
    2026-02-27
  • 一种防水效果好的电源IC
    一种防水效果好的电源IC_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610070344.2
    本发明公开了一种防水效果好的电源IC，属于电源管理集成电路技术领域，包括封装壳体、芯片、引脚和防水组件，所述芯片设置于封装壳体内，所述引脚一端与芯片电连接，另一端伸出封装壳体，所述防水组件包括覆盖于芯片表面的复合钝化层，复合钝化层由氧化硅层...
    2026-02-27
  • 半导体器件、引线框架、系统及其相关的制造方法
    半导体器件、引线框架、系统及其相关的制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511074459.0
    一种半导体器件包括第一管芯焊盘，所述第一管芯焊盘包括第一安装表面和相对于所述第一安装表面升高的第一升高部分。第一半导体芯片安装在所述第一安装表面上。所述半导体器件还包括第二管芯焊盘，所述第二管芯焊盘包括第二安装表面。第二半导体芯片安装在所述...
    2026-02-27
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