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最新专利技术
  • 一种工艺腔室和半导体设备
    一种工艺腔室和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411111132.1
    本申请公开了一种工艺腔室和半导体设备，该工艺腔室包括腔体、托盘、预热环和环形内衬。其中：预热环环绕设置在托盘周围，且与托盘之间具有环形间隙；预热环的内部沿周向设置有第一流道，预热环的内侧立面沿周向设置有与第一流道连通的第一进气口；环形内衬环...
    2026-02-28
  • 气动控制喷嘴组件、基板处理装置及其控制方法
    气动控制喷嘴组件、基板处理装置及其控制方法_弘塑科技股份有限公司_202411108120.3
    本申请公开了一种气动控制喷嘴组件、基板处理装置及其控制方法。气动控制喷嘴组件包括喷嘴本体、闭合活动件和气控驱动部。喷嘴本体包括入口端、出口端和内部通道。闭合活动件可移动地设置在所述喷嘴本体的所述内部通道中。气控驱动部与所述喷嘴本体和所述闭合...
    2026-02-28
  • 晶圆传输装置
    晶圆传输装置_马森科技股份有限公司_202411106963.X
    一种晶圆传输装置，供承载一晶圆，包括有一本体、一壳体及一位移感测器，所述本体具有相连接的一柄部及一承载部，所述承载部供承载所述晶圆；所述壳体具有一容置空间，所述柄部设置于所述容置空间中，所述壳体供连接外部机具；所述位移感测器设置于所述壳体中...
    2026-02-28
  • 晶圆传输装置
    晶圆传输装置_马森科技股份有限公司_202411106961.0
    一种晶圆传输装置供承载一晶圆，包括有一本体以及三应变感测组件，所述本体具有相连接的一柄部及一承载部，所述承载部供承载所述晶圆，所述承载部具有二牙叉，所述二牙叉彼此间隔设置，所述本体具有相背对的一第一面及一第二面；所述三应变感测组件分别设置于...
    2026-02-28
  • 晶圆研磨清洗工艺改善方法
    晶圆研磨清洗工艺改善方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511787414.8
    本发明公开了一种晶圆研磨清洗工艺改善方法，在晶圆进行研磨液研磨之后，额外引入化学清洗液对晶圆进入清洗模块前进行预清洗，去除晶圆表面携带的大量的TiN杂质颗粒，减少对清洗模块自身的污染，避免后续清洗晶圆时清洗模块自带的杂质颗粒回粘在晶圆表面造...
    2026-02-28
  • 晶圆边缘疏水表面处理方法
    晶圆边缘疏水表面处理方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695343.9
    本发明公开了一种晶圆边缘疏水表面处理方法，在键合界面外围边沿的环形区域进行疏水处理，形成疏水环以阻挡清洗液渗入，同时保持键合中心区域的亲水性以确保粘附强度；本发明在晶圆键合后清洗晶圆表面，由于边缘有疏水层阻挡液体渗透，清洗液不会渗入键合界面...
    2026-02-28
  • 晶圆划片方法
    晶圆划片方法_安徽光智科技有限公司_202511572192.8
    本申请公开一种晶圆划片方法，包括步骤：S110，在片环上粘附划片膜；S120，在划片膜的一侧粘附双面膜；S130，将晶圆粘附于双面膜；S140，对晶圆进行划片；S150，对划片膜进行解胶，将双面膜与划片膜分离；S160，通过加热台对双面膜进...
    2026-02-28
  • 一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统
    一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610063657.5
    本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种用于硅片表面刻蚀的光照装置、使用方法及刻蚀系统；承载台，用于承放多个硅片；光源，多个光源位于承载台正上方设置，用于对硅片的表面进行光照；液晶遮光板，设于硅片与光源之间，所述液晶遮光板的透光率可通过电信号...
    2026-02-28
  • 图案转移方法及装置、设备及存储介质
    图案转移方法及装置、设备及存储介质_武汉大学_202511608408.1
    本申请提供了一种图案转移方法及装置、设备及存储介质，属于半导体领域。该方法包括：执行第一光刻步骤，在晶圆表面形成图形化的第一刻蚀阻挡层；执行第一湿法刻蚀步骤，在晶圆表面形成晶向识别图案，并去除第一刻蚀阻挡层；获取晶圆表面的晶向识别图案的深度...
    2026-02-28
  • 半导体器件多晶硅层中离子注入方法
    半导体器件多晶硅层中离子注入方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411108126.0
    本发明提供一种半导体器件多晶硅层中离子注入方法，该方法包括：提供需进行离子注入的半导体器件，半导体器件上形成有多晶硅层；于多晶硅层中的预设区域进行具有导电类型离子及氮离子的离子注入；对离子注入后的多晶硅层进行热处理工艺。本方法通过在向多晶硅...
    2026-02-28
  • 一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用
    一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用_郑州大学_202511763945.3
    本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种金属卤化物单晶阵列及其制备方法和应用，制备方法的步骤为：(1)将三氧化二铝基底进行清洗、干燥，然后采用氟硅烷疏水修饰得到疏水基底；(2)将金属掩模板置于疏水基底上，进行氧气等离子体处理，得到具有亲疏水...
    2026-02-28
  • 低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用
    低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202610067132.9
    本申请涉及半导体材料技术领域，公开了低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片及其制备方法、应用。该低表面缺陷的厚膜碳化硅外延片的制备方法包括：对碳化硅衬底进行表面刻蚀，得到第一碳化硅衬底；在所述第一碳化硅衬底上气相沉积碳化硅层，得到碳化硅外延片前体；在...
    2026-02-28
  • 一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法
    一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511673021.4
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种铥掺杂氧化亚锡薄膜及其制备方法。所述铥掺杂氧化亚锡薄膜包括从下到上依次堆叠的衬底、Tm : SnO材料层和封装层；以Tm : SnO材料层的原子总含量计，所述Tm : SnO材料层中Tm的掺杂浓度为2‑...
    2026-02-28
  • 晶圆键合方法及晶圆键合系统
    晶圆键合方法及晶圆键合系统_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511911912.9
    本发明提供一种晶圆键合方法及晶圆键合系统，属于半导体材料加工技术领域。该晶圆键合方法包括：在原始晶圆的待键合面上制备隔离膜层形成成膜晶圆的工序；对所述成膜晶圆表面进行等离子活化的工序；对经所述等离子活化工序的成膜晶圆激光修复的工序；对经过激...
    2026-02-28
  • 一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法
    一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511743889.7
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法，制备方法包括步骤：准备图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片，图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片均具有键合面；图形化衬底为由不同材料复合而成的叠层结构，在至少任一层中设有图形化凹槽...
    2026-02-28
  • 晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法
    晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511726037.7
    本发明公开一种晶圆级熔融键合方法及MEMS器件的制备方法，该晶圆级熔融键合方法包括：提供第一硅晶圆，第一硅晶圆具有相对的正面和背面；在第一硅晶圆的正面形成凹槽并在凹槽的顶部边缘拐角处形成倒角；通过热氧生长方式在第一硅晶圆的正面形成氧化硅介电...
    2026-02-28
  • 一种压变存储器
    一种压变存储器_上海交通大学_202511740413.8
    本申请提供一种压变存储器，每个所述压变存储器单元包括由上至下依次设置的第一电极、第一介质层、存储功能层、第二介质层和第二电极；所述存储功能层具有非晶特性以及浓度高于101414 cm‑3‑3的缺陷态，组分选自硫系阈值开关材料、氧化物、氮化物...
    2026-02-28
  • 施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置
    施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置_苏州大学_202511633758.3
    本发明公开了一种施密特触发器、人工神经元电路及神经形态计算装置，施密特触发器包括柔性衬底、栅电极、生物相容的栅介质层以及P型与N型有机半导体，通过三个顶电极实现互补连接，栅介质层电容值随电场变化且具有滞后特性，使器件在单一结构中具备双阈值电...
    2026-02-28
  • 具有非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用
    具有非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用_浙江大学杭州国际科创中心_202511496828.5
    本发明公开了一种非易失性的铌酸锂神经突触器件及其制备方法与应用，该具有非易失性的铌酸锂神经突触器件，包括层叠设置的亲氧电极、储氧层、阻变层以及惰性电极，其中，所述阻变层的材料为非晶型铌酸锂，其中，所述非晶型铌酸锂中包括有氧空位，铌元素与氧元...
    2026-02-28
  • 一种室温霍尔整流器及其制备方法
    一种室温霍尔整流器及其制备方法_深圳国际量子研究院_202610078123.X
    本发明涉及非线性电子器件的技术领域，具体涉及一种室温霍尔整流器及其制备方法。所述室温霍尔整流器包括从下至上依次设置的衬底、非线性霍尔效应层、源漏电极、阻挡层和测量电极，所述非线性霍尔效应层由表面为(111)晶面的L111序的合金构成。本发明...
    2026-02-28
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