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最新专利技术
  • 具有终端结构和钝化层的β-Ga2O3光电导开关及制备方法
    具有终端结构和钝化层的β-Ga2O3光电导开关及制备方法_西安电子科技大学_202511591724.2
    本发明公开一种具有终端结构和钝化层的β‑Ga22O33光电导开关及制备工艺，本发明通过在光触发区——掺铁氧化镓层的上下分别增加n型掺杂层，提高了电极的欧姆特性；同时将击穿点/电场密集点移动到n‑‑‑Ga22O33再生长层，方便加入终端结构；...
    2026-02-17
  • 一种异质结构的光热电探测器及其制备方法
    一种异质结构的光热电探测器及其制备方法_中北大学_202610043743.X
    本发明属于光热电探测器件技术领域，公开了一种异质结构的光热电探测器及其制备方法，光热电探测器包括由下至上依次设置的底电极、P型Si衬底、ZnO介电层、Ag22Se吸收层和顶电极；所述ZnO介电层和Ag22Se吸收层形成Type‑II异质结。...
    2026-02-17
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202511745330.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括：第一电池串，第一电池串包括第一端部焊带和第一端部电池片，第一端部电池片通过第一端部焊带与端部汇流条电性连接，第一端部焊带中与第一端部电池片连接的一面背...
    2026-02-17
  • 光伏组件及光伏系统
    光伏组件及光伏系统_隆基绿能科技股份有限公司_202511419712.1
    本发明公开了一种光伏组件及光伏系统，光伏组件包括电连接在一起的多个电池串，电池串包括边缘交叠排布的多个电池片，电池串具有串轮廓；多个电池串包括第一电池串和第二电池串，两个第一电池串的串轮廓相同，两个第二电池串的串轮廓相同，第一电池串的串轮廓...
    2026-02-17
  • 一种背接触电池组件及其制备方法和光伏系统
    一种背接触电池组件及其制备方法和光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202411077547.1
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件及其制备方法和光伏系统。背接触电池组件包括电池串和焊带，背面设置有第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层和第二掺杂层沿第一方向延伸，并沿第二方向交替分布，其中，第一方向和第二方向相交，焊带...
    2026-02-17
  • 一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法
    一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法_绍兴华源新材料科技有限公司_202511813392.8
    本发明公开了一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法，该TOPCon组件用光伏背板包括由上到下依次复合的外层、第一阻隔层、中间层、第二阻隔层和内层。本发明通过加入包覆处理的金刚石和包覆处理的蒙脱土产生协同作用，提升了光伏背板的强度、散热性...
    2026-02-17
  • 一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法
    一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法_赛威(天津)工业有限公司_202511710091.2
    本发明公开了一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法，属于光伏组件制造技术领域。该工艺通过飞秒激光与玻璃材料的非线性相互作用，激活界面硅氧键的重构与共价键合，实现光伏玻璃的全域无介质封装。创新点在于开发了双波段飞秒激光协同作用机制，构建了玻璃界...
    2026-02-17
  • 一种基于铁电极化的光能电池技术
    一种基于铁电极化的光能电池技术_孙俏_202411061109.6
    本发明是一种基于铁电极化的光能电池技术。所属技术领域是可再生能源，新能源，清洁能源，属于国家重点产业。所要解决的技术问题是硅电p‑n结太阳能电池的转换效率比较低，其光伏发电系统存在间歇性、波动性、不确定性的问题。解决该问题的技术方案的要点是...
    2026-02-17
  • 一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法
    一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法_无锡华兴光电研究有限公司_202511751683.9
    本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法。本发明提供的太阳能电池包括依次层叠设置的下电极、衬底、缓冲层、下电池、隧道结、上电池、透明导电层、减反射层和上电极；所述下电池为GaAs同质结，包括层叠设置...
    2026-02-17
  • 一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法
    一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511721066.4
    本申请公开了一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，太阳能电池包括N型基底硅片，N型基底硅片的正面包括依次堆叠的前表面场、氧化铝和减反射膜，N型基底硅片的背面包括依次堆叠的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、氧化铝和钝化层，...
    2026-02-17
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511483706.2
    本申请公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低对接结构的遮光影响，降低背接触电池背面不同区域之间的色差。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和多列电连接部。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的...
    2026-02-17
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511453396.X
    本发明提供一种半导体器件，包括基底，位于所述基底中具有第一掺杂类型的第一阱区，位于所述基底中具有第二掺杂类型的第二阱区，第一阱区与第二阱区分离设置；位于所述第一阱区中具有第一掺杂类型的第一掺杂区，位于所述第二阱区中具有第一掺杂类型的第二掺杂...
    2026-02-17
  • 沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法
    沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511654798.6
    本申请提供一种沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法，所述版图结构包括：第一沟槽图案和第二沟槽图案，其中所述第一沟槽图案包括多个第一子沟槽图案，相邻所述第一子沟槽图案之间具有间隔区域，所述第一子沟槽图案与所述第二沟槽图案的宽度差异小于第...
    2026-02-17
  • 标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线
    标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线_英特尔公司_202510914482.X
    本发明题为“标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线”。本文提供了在标准单位单元内形成半导体装置的技术，该标准单位单元具有与背侧金属迹线偏离的顶侧金属迹线。设置堆叠式晶体管，使得一个装置的源极或漏极区域垂直位于另一个装置的源极或漏极区域之上。可...
    2026-02-17
  • 薄膜晶体管单元和包括该薄膜晶体管单元的显示装置
    薄膜晶体管单元和包括该薄膜晶体管单元的显示装置_乐金显示有限公司_202510987803.9
    本发明提供了一种薄膜晶体管单元，包括：衬底基板；设置在衬底基板上并且彼此并联连接的第一和第二下部薄膜晶体管；设置在第一和第二下部薄膜晶体管上并且彼此并联连接的第一和第二上部薄膜晶体管，其中第一上部薄膜晶体管包括第一上部有源层和设置在其上的第...
    2026-02-17
  • 一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备方法
    一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511651989.7
    本发明公开了一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备，基于薄硅膜SOI材料，在完成阱、栅氧、多晶、源漏相关工序后，在器件漏端靠近沟道区上方生长一层SiN，再形成金属硅化物和引线，最终实现耐高温短沟SOI CMOS器件的制备；发明通过对漏...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498327.0
    根据本公开实施例的半导体结构包括：未掺杂半导体部件，位于衬底中；第一底部纳米结构和第二底部纳米结构，位于衬底上方；底部外延部件，位于未掺杂半导体部件上方以及第一底部纳米结构和第二底部纳米结构之间；第一隔离层，位于第一底部纳米结构上方；第二隔...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511490160.3
    提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括第一介电层、位于第一介电层中的第一源极/漏极区域、位于第一源极/漏极区域的侧壁上的第一纳米结构、位于第一纳米结构周围的第一栅极结构、电连接至第一源极/漏极区域的第一导电接触件以及位于第一导电接...
    2026-02-17
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411095025.4
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，从而避免第一垂直环栅晶体管受到金属边界效应的影响。该芯片包括衬底，设置在衬底上的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管分别包括：设置于衬底上的沟道；分设于沟道两端的第一极...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202411081351.X
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及电子设备技术领域。半导体器件包括衬底、鳍结构、第一导电部、栅极和侧墙层。鳍结构设于衬底上，鳍结构包括沿第一方向间隔设置的多个子鳍；第一方向平行于衬底。第一导电部设于子鳍的...
    2026-02-17
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