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  • 本发明提供了一种全覆盖式镀膜厚度测量方法、系统、装置及相关设备,涉及镀膜厚度测量技术领域。该方法包括步骤:采集晶圆表面反射的第一反射光信号以及参照物反射的第二反射光信号;根据第二反射光信号,计算入射强度修正因子和空间位置偏移量;根据入射强度...
  • 本申请提供一种晶向偏离度检测方法、设备,包括以下步骤:对旋转中的待测硅片进行晶向检测;实时采集获得的电流值及对应的角度值,形成电流‑角度数据序列;基于采集的电流值与角度值,计算得到晶向偏离度;对比晶向偏离度与设定阈值的大小,判断待测硅片的晶...
  • 本发明公开了键合对偏移量的测量方法及测量装置。方法包括:(1)分别获取待测键合对中上模块和下模块在第一水平方向相对的两个边界的图像,并根据图像确定此时上模块和下模块在第一水平方向上的偏移量,记为第一测量偏移量;(2)将所述待测键合对旋转18...
  • 本发明公开了一种在线监控赝栅去除工艺的方法、电子设备及可读存储介质,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:在待处理晶圆上设置受保护的第一测试图形和暴露的第二测试图形;对晶圆执行赝栅去除工艺;在该工艺之后,对两组测试图形进行在线量测,以获得第一...
  • 本发明提供一种测试结构,包括以下构件。衬底包括阵列区与外围区。阵列区具有彼此相对的第一侧与第二侧。隔离结构位于衬底中。隔离结构在阵列区的衬底中定义出多个有源区。多个字线通过多个有源区,且绝缘于衬底。多个字线包括交替排列的多个第一字线与多个第...
  • 本申请提供一种表面粗糙度测量方法、装置、电子设备和存储介质,根据晶圆粗糙层的凸起的第一高度以及相邻凸起之间的凹陷的第二高度计算实体体积比和空气体积比,第一高度和第二高度为相对于凹陷的最低点所在平面为基准面的高度,其中,实体体积比是第一高度与...
  • 本申请涉及一种缺陷检测方法、装置、缺陷检测设备、存储介质和产品。所述方法包括:获取待测MOSFET的第一阈值电压,在向待测MOSFET的栅源极施加的目标栅源电压的时长为第一预设时长的情况下,获取待测MOSFET的第二阈值电压,基于第一阈值电...
  • 本发明公开了一种晶圆传送过程的位置检测方法、装置及设备。晶圆传送过程的位置检测方法包括:获取晶圆传送过程中在至少一个操作工位时的实时图像;根据实时图像提取晶圆位置;获取操作工位对应的预设标定位置;根据晶圆位置和预设标定位置确定间距值,并基于...
  • 本申请涉及一种测试芯片、晶圆结构及晶圆结构的测试方法。测试芯片用于辅助修调晶圆上的待测芯片内的待测模块,所述测试芯片的尺寸与所述待测芯片的尺寸相同,所述测试芯片包括测试模块,所述测试模块在所述测试芯片内的设置方式与所述待测模块在所述待测芯片...
  • 本发明公开了一种半导体芯片串压腐蚀的芯片夹持设备,本发明涉及芯片加工技术领域,包括芯片加工机箱,所述芯片加工机箱的顶部安装有芯片吸附器,所述芯片吸附器的侧面设置有芯片定位器。该半导体芯片串压腐蚀的芯片夹持设备,达到了避免生产过程中芯片产生串...
  • 本发明涉及微电子封装技术领域,旨在解决现有技术中利用吸嘴或镊子进行摩擦共晶时会损伤裸芯片表面图形或与芯片产生相对位移造成精度低的问题,提供一种用于裸芯片摩擦共晶的吸嘴及摩擦共晶方法;所述吸嘴包括吸嘴头部,所述吸嘴头部用于与裸芯片接触;所述吸...
  • 本申请提供一种用于制备半导体结构的治具。所述用于制备半导体结构的治具包括主体部。所述主体部包括承载面,所述承载面用于吸附制备半导体结构的过程中得到的板状中间结构。所述主体部内部设有气道,所述主体部还设有位于所述气道朝向所述承载面一侧的多个分...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,更具体地说,涉及一种晶圆压环结构及等离子体处理设备。本发明提供的晶圆压环结构,包括压环本体:所述压环本体包括上环体,中部设有与晶圆相适配的镂空区域;下环体,位于所述上环体的下方,被配置为面向所述晶圆载台,用于覆...
  • 本发明公开了一种晶圆夹持装置,包括转盘、设于转盘表面边缘的两个静止夹持件和两个旋转夹持件,静止夹持件到转盘圆心的距离、大于旋转夹持件到转盘圆心的距离,转盘上还设有促使旋转夹持件处于夹持状态的弹簧机构、和与旋转夹持件连接驱动旋转夹持件旋转、使...
  • 本发明涉及晶圆清洗技术领域,具体是一种晶圆支撑结构及晶圆清洗装置,所述晶圆支撑结构,包括支撑基础架与方位调节机组。支撑基础架借助若干按晶圆形状排布的安装座,安装单组支撑件以共同支撑晶圆。单组支撑件由支撑主筒、组装部和驱动部构成,支撑主筒底部...
  • 本发明旨在提供一种固晶机顶针装置,其包括顶针座、顶针组件及第一旋块,顶针座上开设有负压气道,负压气道用于持续与真空发生器连通,顶针组件包括顶针、顶针帽、顶杆及顶针驱动件,顶针帽设置于顶针座上,顶针帽上开设有出针孔及吸附孔,顶杆滑动设置于顶针...
  • 本发明公开了一种改善工艺腔传片报警的装置,包括:晶圆支撑平台和多个设置在晶圆支撑平台周侧的晶圆支撑手指;各晶圆支撑手指包括:第一安装部和第二指部。第二指部呈条形结构,由于靠近第二指部的内侧面的前端区域形成晶圆支撑段;晶圆支撑段的顶部表面作为...
  • 本申请提供了一种双桨连接组件以及桨组件,涉及半导体或光伏材料加工领域,解决了相关技术中的双桨固定结构易导致高度较高的桨折断的技术问题。该双桨连接组件包括:第一固定件,用于与第一个桨的支撑端连接;第二固定件,用于与第二个桨的支撑端连接;内撑件...
  • 本发明提供了一种双面曝光晶圆定位方法、装置、电子设备及存储介质,涉及半导体制造技术领域。该方法包括步骤:接收反射光信号并通过分析获取晶圆正反两面的局部Z轴高度信息;根据局部Z轴高度信息,控制上下两个光学物镜轴向移动;在光学焦点平面调整完成后...
  • 本发明提供了一种定位装置、一种定位方法及一种计算机可读存储介质。所述定位装置包括交接吸嘴、相机及控制器。所述交接吸嘴用于吸附第一待键合件,并沿预设的移动路径移动所述第一待键合件。所述相机用于获取所述第一待键合件的第一边角的第一图像,以及所述...
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