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  • 本发明属于半导体封装技术领域,公开了一种半导体封装玻璃基板金属化方法。该方法融合激光诱导正向转移与原子层沉积技术,先通过脉冲激光将金属供体薄膜图案化转移至玻璃基板形成初始金属图案,再经等离子体活化后实施原子层沉积选择性增厚金属并原位生成超薄...
  • 本申请提供了一种封装基板及其制备方法、电子设备,制备方法包括:提供一载板;在载板上形成掩模层,掩模层包括孔结构,在孔结构内形成导电柱;去除掩模层;在导电柱周围形成封装体,封装体至少包覆导电柱的侧壁;移除载板;对封装体进行减薄处理,使导电柱的...
  • 本发明公开了一种基于TMV制备工艺的芯片封装方法,涉及TMV制备工艺技术领域,包括:在载板表面沉积种子层,在种子层的上表面贴合干膜,在干膜上通过掩模版进行曝光和显影,形成TMV孔位,在TMV孔位内部进行电镀,在TMV孔内形成初始金属柱结构,...
  • 本发明提供一种抗药水渗入的无核封装基板制备方法及待拆板结构,方法包括:压合后激光打孔设置第一封边孔贯通承载板边缘、微孔阵列环绕定位通孔边缘错位分布;设置基板后激光打孔设置第二封边孔贯通待拆板结构边缘、微孔阵列环绕定位通孔边缘错位分布;拆板得...
  • 本申请实施例提供一种无芯基板制作方法及无芯基板,制作方法包括:制作无芯基板,无芯基板包括依次层叠的基铜层、第一线路层、介质层、第二线路层,第一线路层嵌入介质层内;对基铜层进行蚀刻,以露出第一线路层和介质层的第一表面,介质层的第一表面高出第一...
  • 本发明公开了一种异质器件集成封装结构及方法,该封装方法包括以下步骤:提供一封装单元,所述封装单元中至少嵌入一个有源器件并包含与该有源器件电连接的第一互连结构;在所述第一互连结构上设置至少一个无源器件,并形成连接所述无源器件与所述第一互连结构...
  • 本发明公开了一种基于前置重构的异质器件集成封装结构及方法,该封装方法包括以下步骤:无源器件端子前置重构:提供一临时载体,临时载体具有一可剥离的初始界面层;在初始界面层上,为无源器件形成图案化的可布线金属端子结构;将无源器件以其原始端子面向对...
  • 本发明公开了一种异质器件集成封装结构及方法,该封装方法包括以下步骤:提供一载体,载体表面具有一层初始金属层;在初始金属层上贴装至少一个有源器件与至少一个无源器件;使用塑封料进行塑封,形成将有源器件和无源器件包覆并与初始金属层结合的塑封体;去...
  • 本发明公开了一种异质器件板级集成封装结构及方法,该方法包括以下步骤:提供至少一个无源器件和至少一个有源器件,无源器件的电极端子为锡端子;对无源器件的锡端子进行表面重构,形成可布线金属端子;将无源器件和有源器件固定于第一载板上;形成将无源器件...
  • 一种半导体器件具有光子半导体管芯。光子半导体管芯设置在载体上,其中光子半导体管芯的光子电路朝向载体定向。E‑bar设置在载体上。密封剂沉积在光子半导体管芯和e‑bar上方。背面研磨密封剂的第一表面以暴露e‑bar。在密封剂的第一表面上方形成...
  • 本申请公开了具有定位标记的GaN器件、电压转换装置及电子设备,采用栅极、源极以及漏极中的至少一个的端部作为基准位置设置第一定位标记,采用互连线的端部作为基准位置设置第二定位标记,结合栅极沿第二方向延伸,互连线中的至少部分区段沿第一方向延伸,...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成电阻材料层;在电阻材料层上形成阻挡结构材料层;刻蚀所述阻挡结构材料层和电阻材料层,在衬底上形成电阻层和位于电阻层上的阻挡结构。所述电阻层的电阻值稳定,提升所述电阻层所在电路的稳定性。
  • 本申请提供一种封装结构及电子设备,封装结构包括基板、芯片、封装层、第一金属件和屏蔽层,基板包括板体和地线,地线连接于板体。芯片连接于板体。封装层覆盖板体与芯片。第一金属件穿过封装层与芯片背离板体的表面连接,在基板的厚度方向上,第一金属件的正...
  • 本申请实施例提供一种封装结构及其封装方法,所述封装结构,包括:基板;芯片,贴装在所述基板上;应力释放架,置于所述基板和/或芯片上,用于释放所述基板和芯片的应力;其中,所述应力释放架的热膨胀系数小于等于所述芯片的热膨胀系数,所述应力释放架的杨...
  • 本申请实施例提供一种双浸没式流动沸腾相变散热器,设置于浸没箱体中,与浸没箱体中的液体换热,其包括微通道结构、第一冷却工质管路和第二冷却工质管路;微通道结构内设有多个阵列排布的肋片,以形成微通道群,第一冷却工质管路与微通道群的入口连通,向微通...
  • 本发明公开了一种利用多孔材料实现冷却剂气液分离的芯片冷却装置,芯片冷却装置包括分流室、排气室、射流冷却室、多孔材料件和检测组件;分流室形成有液相进口;排气室形成有气相出口;射流冷却室通过多个微射流通道与分流室连通,射流冷却室通过多个气体逸出...
  • 一种IGBT模块分离式热管散热装置及制造方法,它由板式蒸发皿和翅片式冷凝器构成;板式蒸发皿与翅片冷凝器之间由翅片式冷凝器的冷媒蒸汽上升管、冷媒冷凝液下降管密封连接,翅片式冷凝器位于板式蒸发皿上方。用铝制板式蒸发皿代替铝型材与内部有毛细层的水...
  • 本发明涉及电子散热器相关技术领域,尤其涉及一种用于晶闸管散热的双面交互循环式热沉结构,包括第一热沉,所述第一热沉的一侧表面焊接有第一铝复合焊片,所述第一铝复合焊片的一侧表面焊接有控制主体,所述控制主体的一侧表面贯穿连接有第一连接管,所述弹簧...
  • 一种制备半导体器件用金刚石散热的方法,步骤包括:将金属管缠绕于金刚石样片的侧壁表面,并在所述金属管内注入冷却液;所述金属管的外壁喷涂有磁致冷涂层,所述样片下方设有与热源贴合的金属层;当所述热源温度达到预设阈值时,自动触发周围磁场,使所述磁致...
  • 一种封装模块及电子设备,其中,封装模块包括基板、多个芯片、散热结构和封装件。多个芯片层叠设置于基板。散热结构设置于至少部分相邻两个芯片之间。封装件包覆于芯片,且封装件包覆于散热结构的至少部分部位。本申请中,通过设置散热结构,可以实现对温度较...
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