Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511280093.2
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管制备方法包括：在衬底上制作外延层；在外延层上制作复合掩膜层，复合掩膜层包括层叠在外延层上的第一掩膜子层和第二掩膜子层，第一掩膜子层为硅的化合物层，第二掩膜子层为光刻胶层；对复合掩膜层进行图形化处理，...
    2026-01-27
  • 一种半导体器件的制造方法
    一种半导体器件的制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202410917976.9
    本申请提供一种半导体器件的制造方法，衬底上依次层叠有埋氧层和沟道层，形成沟道层上的栅极，以及与沟道层的一端接触的源极，以及与沟道层的另一端接触的漏极。沟道层在沿衬底的表面的第一方向上的第一尺寸大于栅极沿第一方向的第二尺寸，第一尺寸与第二尺寸...
    2026-01-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202410889435.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一掺杂层，所述第一掺杂层表面形成有鳍片结构，所述鳍片结构两侧的第一掺杂层表面还形成有底部间隔层；所述鳍片结构顶面的两侧形成有顶部间隔层，所述顶部间隔...
    2026-01-27
  • 具有稳健触发元件的ESD保护器件
    具有稳健触发元件的ESD保护器件_英飞凌科技股份有限公司_202510956140.4
    本公开涉及具有稳健触发元件的ESD保护器件。一种半导体器件，包括：第一行掺杂阱，其包括在半导体主体中与第二导电类型阱交替布置的第一导电类型阱；第一导电触点，其形成在与第一导电类型阱中的一者电连接的半导体主体上；第二导电触点，其形成在与第二导...
    2026-01-27
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511574277.X
    本申请涉及一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底；于第一衬底的正面键合第二衬底；于第二衬底的正面依次形成外延层、正面金属层和正面保护层；对第一衬底的背面进行减薄，直至完全去除第一衬底；于第...
    2026-01-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511563907.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供初始衬底。于初始衬底在竖直方向上的一侧形成漂移区。于漂移区在竖直方向上背离初始衬底的一侧形成第一缓冲层。于第一缓冲层在竖直方向上背离漂移区的一侧形成第二缓冲层。于第二缓冲...
    2026-01-27
  • 半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法
    半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511561568.5
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法、注入挡片的制造方法。该制造方法包括：提供衬底。于所述衬底的一侧形成晶体管结构。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧执行背面减薄工艺。于所述衬底背离所述晶体管结构的一侧形成第一型集电区。将注入挡片置于所述第...
    2026-01-27
  • 一种集成双向SCR的碳化硅IGBT及其制作方法
    一种集成双向SCR的碳化硅IGBT及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511682167.5
    本发明提供了一种集成双向SCR的碳化硅IGBT及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域。包括在N型碳化硅衬底及其N型外延层中依次形成P型体区、N+发射区和背面P+集电区，栅极位于P型体区上方，发射极与N+发射区欧姆接触；在栅极与发射极之间一...
    2026-01-27
  • 一种高压SiC IGBT及电力电子器件
    一种高压SiC IGBT及电力电子器件_安徽工业大学_202511643416.X
    本发明公开一种高压SiC IGBT，包括碳化硅衬底，自第一表面至第二表面方向依次布置的P+注入层、N缓冲区、N漂移区和N电流增强层，以及，形成于N电流增强层内在横向方向间隔布置的P+隐埋层，形成于P+隐埋层与第二表面之间的P+区、N+源区和...
    2026-01-27
  • 低电磁干扰的功率半导体器件
    低电磁干扰的功率半导体器件_江苏中科君芯科技有限公司_202511539247.5
    本发明涉及一种低电磁干扰的功率半导体器件。其包括有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干呈并列分布的元胞，其中，每个元胞包括一个元胞沟槽，所述元胞沟槽贯穿有源区内的第二导电类型阱区，且在每个元胞沟槽内均填充有沟槽栅；在有源区内，至少在一个...
    2026-01-27
  • 分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路
    分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路_江苏宏微科技股份有限公司_202511478844.1
    本发明属于技术领域，具体涉及一种分离栅IGBT结构及其栅电极驱动电路。本发明的分离栅IGBT结构通过结构设计和电场屏蔽效应，电容Cge和电容Cgc主要部分分别连接到控制栅aG和调制栅mG，从而可以实现Cge和Cgc的分别驱动，从而可以优化器...
    2026-01-27
  • 一种负电容隧穿场效应晶体管及其制备方法
    一种负电容隧穿场效应晶体管及其制备方法_西安邮电大学_202410907048.4
    本发明涉及一种负电容隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域，解决现有隧穿场效应晶体管存在发生隧穿的面积有限、开态电流小的技术问题。其晶体管包括源区、本征区、漏区、栅氧化层、金属栅、漏电极、源电极、HfO22铁电层。HfO22...
    2026-01-27
  • 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路
    一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路_中国科学技术大学_202511903655.4
    本发明涉及半导体领域中的一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路。氧化镓肖特基二极管的氧化镓外延层的台面终端上设置有两个JTE结构和阳极。每个JTE结构包括依次叠置在台面终端上的渐变电荷量的n层JTE。阳极一端填充在两个JTE结构之间，...
    2026-01-27
  • 一种低寄生结电容的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
    一种低寄生结电容的氮化镓肖特基二极管及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511582541.4
    本发明公开了一种低寄生结电容的氮化镓肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。所述氮化镓肖特基二极管包括：半绝缘衬底①；GaN沟道层②；AlGaN势垒层③；极化形成的二维电子气④；钝化介质层⑤⑥⑦，其中⑤和⑦属于同一种类型的钝化介质，⑥...
    2026-01-27
  • 快恢复二极管及其制造方法
    快恢复二极管及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410905223.6
    本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，P型体区层和P型发射极之间形成有N型隔离层，N型漂移层具有伸入到所述P型体区层中的凸出部，所述凸出部与所述N型隔离层相连；所述P型发射极侧形成有N型接触结构，所述N型接触结构和金属阳极相连，通过在所...
    2026-01-27
  • 快恢复二极管及其制造方法
    快恢复二极管及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410905210.9
    本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过引入N型隔离层、N型接触结构和沟槽栅结构，从而在所述快恢复二极管的阳极引入了横向JFET结构，增加阳极电流的注入效率，从而调控P型发射极的空穴注入效率，进而优化器件内部载流子分布，在不需要额外少...
    2026-01-27
  • 快恢复二极管及其制造方法
    快恢复二极管及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410903046.8
    本发明提供了一种快恢复二极管及其制造方法，通过N型接触结构和沟槽栅结构能够调控P型发射极的空穴注入效率，使N型漂移层的载流子分布得到优化，从而在不需要额外的少数载流子寿命控制的情况下，便能够使器件的反向恢复时间、峰值电流和损耗得到改善，还能...
    2026-01-27
  • 基于复合纳米材料的超快恢复功率二极管及其制备方法
    基于复合纳米材料的超快恢复功率二极管及其制备方法_广东慧芯电子科技有限公司_202511720939.X
    本发明涉及电子元器件技术领域，特别是一种基于复合纳米材料的超快恢复功率二极管及其制备方法，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极与阴极之间的复合纳米半导体层；所述复合纳米半导体层为由经特殊掺杂和表面修饰的碳纳米管与高纯度硅基体构成的复合材料；所述...
    2026-01-27
  • 提高基区特定区域掺杂浓度的基极与发射极短路SiC-TVS器件
    提高基区特定区域掺杂浓度的基极与发射极短路SiC-TVS器件_西安电子科技大学_202511356141.1
    本发明公开了一种提高基区特定区域掺杂浓度的基极与发射极短路SiC‑TVS器件，包括：碳化硅衬底层；漂移基区位于碳化硅衬底层上；若干N型发射区间隔位于漂移基区上；若干P型基区，位于相邻N型发射区之间的漂移基区上，每个P型基区与两侧相邻的N型发...
    2026-01-27
  • 二极管结构、半导体器件及其制造方法
    二极管结构、半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511330206.5
    一种二极管结构包括第一半导体层堆叠，其中第一半导体层堆叠包括与多个第二半导体层交替布置的多个第一半导体层。二极管结构还包括第二半导体层堆叠，其中第二半导体层堆叠包括以与多个第四半导体层交替布置的多个第三半导体层。二极管结构还包括位于第一半导...
    2026-01-27
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证