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最新专利技术
  • 一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法
    一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511396996.7
    本发明涉及一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有晶体键合方法存在的对预键合面抛光质量要求高、键合界面折射率突变以及键合面积受限等技术问题，本发明选择纯氟化物基质晶体或稀土掺杂氟化物晶体中的一种作为...
    2026-03-23
  • 降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法
    降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法_中南钻石有限公司_202511548136.0
    本发明公开了降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，选择多个尺寸大于10mm×10mm的金刚石单晶衬底；步骤2，利用激光切割对步骤1中的金刚石单晶衬底进行加工，在靠近边缘的位置处切割出多个方形孔或者一个...
    2026-03-23
  • 一种改善外延片少子寿命的工艺方法
    一种改善外延片少子寿命的工艺方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511398280.0
    本申请提供一种改善外延片少子寿命的工艺方法，步骤包括：获取传输腔和工艺反应腔的压力；计算传输腔与工艺反应腔之间的压力差，并判断所述压力差是否大于等于第一阈值；若是，控制晶圆从所述传输腔中传送至工艺反应腔中。本申请工艺方法，通过精确控制传输腔...
    2026-03-23
  • 一种外延生长设备
    一种外延生长设备_季华实验室_202511894882.5
    本申请涉及半导体晶体生长设备领域，本申请提供一种外延生长设备，包括反应室、工件台和气体注入装置，工件台位于反应室底部的工件台，用于承载基片；气体注入装置位于反应室顶部，其包括壳体以及设于壳体内且与反应室连通的吹扫气体通道和多个独立设置的反应...
    2026-03-23
  • 一种多区域进气的外延沉积设备
    一种多区域进气的外延沉积设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511694066.X
    本发明公开了一种多区域进气的外延沉积设备，包括反应室腔体，所述反应室腔体内设有石墨大盘，所述石墨大盘均匀划分为多个独立的生长区域，晶圆放置在生长区域上进行外延工艺，所述反应室腔体侧部均匀设有多个独立的进气装置，以实现多种工艺气体独立输送；所...
    2026-03-23
  • 一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置
    一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511575026.3
    本发明提供一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置，涉及分子束外延生长技术领域。该装置包括分子束外延设备四溴化碳源材料装载区、管道加热区、液氮存储区、四溴化碳源出口管道、金属加热丝、控制器，分子束外延设备四溴化碳源材料装载区与四溴化碳源...
    2026-03-23
  • 碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件
    碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202511370573.8
    本发明涉及半导体技术领域，本发明提供了一种碳化硅外延片的制备方法，包括：S1、将碳化硅衬底置于反应腔室内，在所述衬底的至少一侧沉积第一掺杂层；S2、在1610℃~1660℃的温度下，300mbar~1000mbar的压力下，采用氢气或含氯气...
    2026-03-23
  • 一种基于石墨烯的可剥离Ga2O3薄膜的制备及转移方法
    一种基于石墨烯的可剥离Ga2O3薄膜的制备及转移方法_浙江大学_202511283167.8
    本发明公开了一种基于石墨烯的可剥离Ga22O33薄膜的制备及转移方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少双层石墨烯转移到Al22O33单晶衬底上；然后在Al22O33/石墨烯衬底上生长Ga22O33薄膜；最后将Ga22O33薄膜从Al22O...
    2026-03-23
  • 铜单晶晶圆及其制备方法和应用
    铜单晶晶圆及其制备方法和应用_北京石墨烯研究院_202410940268.7
    本发明公开一种铜单晶晶圆的制备方法，该方法制备的铜单晶晶圆及其应用。所述铜单晶晶圆的制备方法，包括：对晶面取向为c面的蓝宝石单晶晶圆表面进行氧等离子体预处理；在预处理后的蓝宝石单晶晶圆表面沉积铜薄膜；以及对所述铜薄膜进行退火。本发明的制备方...
    2026-03-23
  • 一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉
    一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉_北京天科合达半导体股份有限公司_202511899761.X
    本申请提供了一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。本申请提供的技术方案，基于闭环反馈控制的温控方式调整混合气体的温度，从而将进气温度和炉内温度的差异精确控制在允许范围内，优化了PVT碳化硅长晶炉的进气控制，...
    2026-03-23
  • 用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置
    用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置_科芯半导体科技(凉山州)有限公司_202511667241.6
    本发明涉及晶体生长技术领域，提供用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置，包括：作为保护用壳体的壳体，所述壳体的底侧固定连接有用于吸附片状SiC籽晶的陶瓷吸附盘，所述陶瓷吸附盘由壳体内部所安装的放电电极供电，以令放电电极所产生的电场在作为陶瓷...
    2026-03-23
  • 一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置
    一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置_山东大学_202511506945.5
    本发明公开了一种降低SiC单晶生长过程中金属杂质污染的方法及装置，属于半导体材料制备技术领域。本发明提供的方法包括如下步骤：将SiC粉料装入坩埚，固定籽晶并放置生长所需组件，密封SiC生长腔室后进行抽真空处理；升温至设定温度，并通入惰性气体...
    2026-03-23
  • N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件
    N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511496528.7
    本发明涉及一种N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件，涉及半导体领域，包括：将籽晶、长晶原料和N型掺杂原料利用物理气相传输法进行长晶，得到N型掺杂碳化硅单晶；其中，所述N型掺杂原料包括：氮气和氨气的混合气。本发明提供的制备方法，...
    2026-03-23
  • 低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置
    低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置_河北同光半导体股份有限公司_202511486262.8
    本发明提供了一种低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置，包括坩埚本体、多孔石墨过滤板以及丝网过滤件。坩埚本体具有生长腔，所述坩埚本体中设有籽晶，所述籽晶位于所述生长腔的顶部；所述生长腔的底部用于盛放SiC多晶原料；多孔石墨过滤板设置在所述生长腔中...
    2026-03-23
  • 大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置
    大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置_中国科学院物理研究所_202511378622.2
    本发明提供大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置。具体地，本发明的装置包括石墨坩埚主体和与石墨坩埚主体配合的石墨坩埚盖；其中：石墨坩埚盖自其顶壁起依次包括扩径部段和等径部段，扩径部段的内径自上而下逐渐增大；等径部段位于扩径部段下端，其内径恒定；...
    2026-03-23
  • 一种碳化硅材料制备用加热结构
    一种碳化硅材料制备用加热结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511242245.X
    本发明涉及机械技术领域。一种碳化硅材料制备用加热结构，包括石墨加热器，石墨加热器包括底部加热器以及侧面加热器，底部加热器的中央设置有用于避让升降机构的中空避让孔；底部加热器包括两个镜像对称设置的石墨电极连接区以及底部串接区；侧面加热器包括周...
    2026-03-23
  • 一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法
    一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法_刘大壮_202511600209.6
    一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法，涉及人工晶体制备领域，本发明通过多套测径机构同步采集晶体冷却盘上每一圈晶体的直径数据Di，为每一圈直径Di分配一个可调系数Ki，将多圈直径偏差加权组合为新直径偏差，结合加权组合的直径...
    2026-03-23
  • 一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法
    一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法_泸溪蓝天高科有限责任公司_202511844198.6
    本发明涉及单晶生长技术领域，公开一种从锌浸出渣中提纯锗并提拉单晶的集成工艺方法，包括：等径生长阶段周期性执行稳定生长期与瞬态扰动期步骤，稳定期监测驱动力矩信号；扰动期由时长或力矩漂移触发，通过同时且耦合地控制晶体与坩埚转速，改变其相对角速度...
    2026-03-23
  • 结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质
    结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511494017.1
    本发明提供了一种结晶控制设备、结晶控制方法、装置、控制设备及介质，属于半导体生产技术领域。该结晶控制设备包括：自动温度控制ATC系统，还包括：测距单元，用于测量目标点到晶棒表面的距离数据，所述目标点为所述测距单元所在位置，所述晶棒位于所述拉...
    2026-03-23
  • 一种单晶炉异形加热器
    一种单晶炉异形加热器_北京北方华创真空技术有限公司_202511703859.3
    本申请涉及一种单晶炉异形加热器，涉及单晶硅制备设备的技术领域，加热器包括加热环以及连接腿，加热环轴向沿竖直方向设置，连接腿长度方向沿水平方向设置，并且连接腿一端与加热环固定连接且电连接。本申请通过将连接腿设计为水平设置，使得连接腿产生的热量...
    2026-03-23
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