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最新专利技术
  • 一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法
    一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法_中茵微电子(南京)有限公司_202511455046.7
    本发明的目的是提供一种基于零延迟FIFO控制的HBM PHY测试芯片电路及方法，该电路包括：命令控制通道模块、写通道模块和读通道模块；所述命令控制通道模块通过命令控制通道接口与HBM PHY连接，用于存储控制信息；所述写通道模块通过写通道接...
    2026-03-01
  • NVMe-RAID性能检测方法、装置、电子设备及介质
    NVMe-RAID性能检测方法、装置、电子设备及介质_新华三信息技术有限公司_202511370953.1
    本申请实施例提供NVMe‑RAID性能检测方法、装置、电子设备及介质。在本申请中，先确定该RAID的各性能指标的理论性能值，再获得按照当前测试参数对该RAID进行性能测试时得到的该RAID的各性能指标的测试性能值，比较与该负载类型匹配的性能...
    2026-03-01
  • 数据修复装置、方法、存储器的收纳设备以及存储装置
    数据修复装置、方法、存储器的收纳设备以及存储装置_深圳市江波龙电子股份有限公司_202410924781.7
    本申请公开了数据修复装置、方法、存储器的收纳设备以及存储装置，其中，数据修复装置包括：控制单元、电源单元、转换电能单元以及接口单元，控制单元用于控制存储器进行数据修复，电源单元与控制单元连接，电源单元用于存储电能，转换电能单元与电源单元连接...
    2026-03-01
  • 一种基于坏块管理的存储器测试系统及方法
    一种基于坏块管理的存储器测试系统及方法_无锡中微腾芯电子有限公司_202511476675.8
    本发明涉及一种基于坏块管理的存储器测试系统及方法，包括：板级测试控制模块和接口模块，板级测试控制模块通过接口模块连接存储器；板级测试控制模块包括主控模块和寄存器组件，接口模块包括状态机组件；主控模块根据测试流程更新寄存器组件的状态，状态机组...
    2026-03-01
  • 数字眼图测试方法、装置、设备及存储介质
    数字眼图测试方法、装置、设备及存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511813648.5
    本申请公开了一种数字眼图测试方法、装置、设备及存储介质，涉及测试技术领域，公开了数字眼图测试方法，包括：通过捕获IC实时捕获待测试内存颗粒对应总线的总线数据，获得多个通道的数据信号；基于数据信号生成数字眼图，并获取数字眼图对应的眼宽以及眼高...
    2026-03-01
  • 存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质
    存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质_深圳市江波龙电子股份有限公司_202410914819.2
    本发明公开了一种存储装置的测试方法、电子设备以及存储介质，其中，存储装置的测试方法包括：获取到测试对象，并确定测试对象的测试用例；基于测试用例对测试对象进行测试，得到测试结果。通过上述方法，本发明能够实现对测试对象的高效测试。
    2026-03-01
  • 一种适用于多存储器测试系统的延迟器及延迟控制方法
    一种适用于多存储器测试系统的延迟器及延迟控制方法_芯梦达半导体科技(济南)有限公司_202511881312.2
    本发明公开了一种适用于多存储器测试系统的延迟器及延迟控制方法，涉及存储器测试技术领域，包括第一延迟寄存器和第二延迟寄存器；其中，第一延迟寄存器与多存储器测试系统中电子引脚的数据驱动器连接，用于根据第一延迟逻辑，调节数据驱动器对测试向量中若干...
    2026-03-01
  • 检测方法及检测系统
    检测方法及检测系统_力晶积成电子制造股份有限公司_202410995878.7
    检测方法及检测系统。检测方法用以扫描三维存储器芯片。三维存储器芯片包括互相堆叠的多个存储器芯片。检测方法包括：将各存储器芯片划分为多个存储器区块；针对各存储器区块中进行检测，以由各存储器区块中沿着第一方向延伸的多个第一信号线中检测出总失效第...
    2026-03-01
  • 一种非易失性存储器的冗余替换方法及装置
    一种非易失性存储器的冗余替换方法及装置_芯合电子(上海)有限公司_202511185847.6
    本申请实施例提供了一种冗余替换方法及装置，通过外部数字控制模块向内部数字控制模块发送指令以读取主阵列的特殊存放区的数据；在内部数字控制模块中对数据进行校验判断，并发送校验判断结果至外部数据控制模块；如果校验判断结果显示主阵列中存在坏区，通过...
    2026-03-01
  • 确定存储器的读电压的方法、装置、介质和设备
    确定存储器的读电压的方法、装置、介质和设备_抖音视界有限公司_202511400989.X
    一种确定存储器的读电压的方法、装置、介质和设备，所述方法包括：使用多个扫描电压对每个存储单元读取第一目标位，获得所述多个存储单元的与各个扫描电压对应的第一目标位的读数；对于每两个相邻的第一扫描电压和第二扫描电压，统计第一存储单元的第一数目和...
    2026-03-01
  • 基于flash特性的高效读取重试方法、装置、介质及设备
    基于flash特性的高效读取重试方法、装置、介质及设备_深圳市德明利技术股份有限公司_202511376642.6
    本发明公开了一种基于flash特性的高效读取重试方法、装置、介质及设备，所述方法包括：确定数据读取操作的目标数据所在的目标层级；根据所述目标数据所在的目标层级，从RRT增量表中查找到所述目标层级对应的第一电压调整序列；基于所述第一电压调整序...
    2026-03-01
  • 包括管芯上端接电路的非易失性存储器件
    包括管芯上端接电路的非易失性存储器件_三星电子株式会社_202510530196.3
    提供了一种包括管芯上端接电路的非易失性存储器件，包括：输入/输出(I/O)引脚，被配置为将数据发送到存储器控制器或者从存储器控制器接收数据；以及多个存储器管芯，连接到I/O引脚，多个存储器管芯包括目标管芯、第一非目标管芯和第二非目标管芯，其...
    2026-03-01
  • 可切换的低压读写辅助电路、SRAM电路和存储芯片
    可切换的低压读写辅助电路、SRAM电路和存储芯片_安徽大学_202511474444.3
    本发明涉及存储电路领域，特别是一种可切换的低压读写辅助电路及其对应的SRAM电路和存储芯片。电路包括可切换字线驱动单元、写升压单元和读降压单元。其中，可切换字线驱动单元由反相器INV1、PMOS管P1、P2和NMOS管N1构成。INV1、P...
    2026-03-01
  • 一种忆阻器差分双子阵列结构、卷积加速系统及应用
    一种忆阻器差分双子阵列结构、卷积加速系统及应用_华中科技大学_202511420590.8
    本发明属于类脑计算与存算一体芯片技术领域，并具体公开了一种忆阻器差分双子阵列结构、卷积加速系统及应用，其包括两个不直接电连接的并行子阵列，两个子阵列包括相同数量的忆阻器，且两个子阵列中的忆阻器两两成对构成差分单元，每个差分单元以差分形式存储...
    2026-03-01
  • 集成电路存储器装置、电阻式存储器装置和操作其的方法
    集成电路存储器装置、电阻式存储器装置和操作其的方法_三星电子株式会社_202510202024.3
    公开了集成电路存储器装置、电阻式存储器装置和操作其的方法。所述电阻式存储器装置包括：电阻式存储器单元的阵列、行解码器和列解码器、控制电路以及写入/读取电路，写入/读取电路结合到列解码器和控制电路。第一电阻式存储器单元包括：可变电阻器元件，具...
    2026-03-01
  • 调控钙钛矿薄膜性能的方法、光刻方法和相关装置
    调控钙钛矿薄膜性能的方法、光刻方法和相关装置_上海理工大学_202511486402.1
    本申请涉及钙钛矿薄膜技术领域，尤其涉及一种调控钙钛矿薄膜性能的方法、光刻方法和相关装置。本申请实施例的可逆调控钙钛矿薄膜光电性能的方法，包括以下操作：提供钙钛矿薄膜；对所述钙钛矿薄膜交替进行直写操作和擦除操作，以便可逆调控所述钙钛矿薄膜的光...
    2026-03-01
  • 用于对随机访问存储器进行读写的电路和存储电路
    用于对随机访问存储器进行读写的电路和存储电路_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511446857.0
    本公开提供了一种用于对随机访问存储器(RAM)进行读写的电路和存储电路，该电路包括：移位寄存器，用于在对RAM写入数据的时候对输入的写入地址和写入数据进行移位操作；至少一个比较器，用于确定第一信号和第二信号是否相同，以及将确定的结果输出至数...
    2026-03-01
  • 基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片
    基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器、芯片_安徽大学_202511862052.4
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种基于MTJ的双节点翻转自恢复的非易失性锁存器及其对应的抗辐照存储芯片。该非易失性锁存器包括抗辐照锁存电路、读写电路和备份恢复电路，其中，抗辐照锁存电路包括多组互为冗余且经过加固的存储节点；其中至少包括一组采...
    2026-03-01
  • 一种内存刷新方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品
    一种内存刷新方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511375672.5
    本公开涉及一种内存刷新方法及装置、电子设备、存储介质和计算机程序产品，所述方法包括：根据目标内存对应的内存刷新间隔，生成目标内存对应的内存刷新请求；在内存刷新请求积压数量大于第一阈值的情况下，选择一个内存刷新请求确定为目标内存刷新请求，内存...
    2026-03-01
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202511270865.4
    本公开使受到行锤的影响的存储单元的数据有效率地恢复，而不会因高频率的刷新而使写入及读出速度降低。存储单元阵列(10)包括多个子阵列(11)。多个子阵列(11)分别与多个感测放大器电路(14)中的两个连接。在列选择线(16)的方向上彼此相邻的...
    2026-03-01
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