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最新专利技术
  • 一种背接触电池以及光伏组件
    一种背接触电池以及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511310224.7
    本申请公开一种背接触电池以及光伏组件。背接触电池包括电池本体、多个第一集电栅线、多个第二集电栅线、多个第一汇流部组和多个第二汇流部组。多个第一汇流部组和多个第二汇流部组沿第一方向交替间隔分布；第一汇流部组包括多个第一汇流部和多个第一连接部；...
    2026-01-19
  • 一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件
    一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件_正泰新能科技股份有限公司_202511851449.3
    本申请公开了一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件，属于光伏技术领域，该电池片包括：至少一个切割面；在切割面的长度方向上，切割面包括两个端部和位于两个端部之间的中间部；中间部的长度大于端部的长度；端部的长度占切割面的总长度的百分比为...
    2026-01-19
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511270711.5
    本发明公开了一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括电池串，电池串包括交叠排布的多个电池片，相邻两个电池片交叠形成交叠区域；交叠区域包括第一交叠区域；电池串中，至少部分数量电池片为第一电池片，第一电池片具有两个相对的切割长边；电池串中，...
    2026-01-19
  • 光电探测器及其制备方法、芯片
    光电探测器及其制备方法、芯片_中国科学院微电子研究所_202511207383.4
    本申请公开了一种光电探测器及其制备方法、芯片，光电探测器包括衬底以及位于衬底一侧的波导层和吸收层，吸收层与波导层同层设置，吸收层与波导层沿第一方向排列且相互接触，且波导层在第一方向的投影位于吸收层在第一方向的投影内，吸收层包括沿平行于衬底方...
    2026-01-19
  • 一种低缺陷密度AlGaN紫外光电阴极材料及其制备方法
    一种低缺陷密度AlGaN紫外光电阴极材料及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511159486.8
    本发明公开了一种低缺陷密度AlGaN紫外光电阴极材料及其制备方法，该制备方法如下：将衬底转移到MOCVD设备中，在其上依次生长成核层、超晶格缓冲层、过渡层、发射层，即得。针对高Al组分AlGaN材料晶体质量差和p型掺杂效率低的问题，本发明采...
    2026-01-19
  • 太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件
    太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511483272.6
    本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。太阳能电池采用掺杂锑元素的基底提高多子浓度，优化电池的载流子传输效率，提升电池的填充因子；同时，通过控制第一半导体层中锑元素的浓度大于第二半导体层中锑元素的浓...
    2026-01-19
  • 一种TOPCon太阳能电池多阶段变温退火制备工艺
    一种TOPCon太阳能电池多阶段变温退火制备工艺_和光同程光伏科技(宜宾)有限公司_202511797796.2
    本发明公开了一种TOPCon太阳能电池多阶段变温退火制备工艺，包括初始升温与净化阶段、阶梯式预热与选择性修复阶段、主活化与核心退火阶段、精准高温修复阶段、受控阶梯降温阶段；本发明中，通过从低到高的阶梯升温，优先修复低形成能的简单点缺陷，再逐...
    2026-01-19
  • 一种提升光伏电池双面率的方法和光伏电池
    一种提升光伏电池双面率的方法和光伏电池_泰州中来光电科技有限公司_202511571532.5
    本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，公开了一种提升光伏电池双面率的方法和光伏电池。该方法包括：在前处理后的硅片背面制备掺杂硅量子点复合层；其中，硅片背面分为背面金属化区域和背面非金属化区域，且背面非金属化区域内具有若干个彼此分开的间隔区；对硅...
    2026-01-19
  • 一种硅光电倍增管及其制备方法
    一种硅光电倍增管及其制备方法_西安交通大学医学院第一附属医院_202511465302.0
    本发明公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，属于半导体器件加工技术领域，针对传统工艺中单次高剂量离子注入导致的晶格损伤、沟道效应及界面缺陷等问题，本发明通过剂量分级离子注入、阶梯式降温退火、Ge⁺预非晶化处理和原子层沉积钝化等创新工艺，显著降...
    2026-01-19
  • 电池片的生产控制方法、装置及设备
    电池片的生产控制方法、装置及设备_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511464765.5
    本申请涉及一种电池片的生产控制方法、装置及设备。该方法包括：获取多个相邻历史时段下生产的电池片的光致发光图像；对各光致发光图像进行PL气泡检测，得到每个所述历史时段对应的第一目标图像的第一数量；所述第一目标图像是具有PL气泡的光致发光图像；...
    2026-01-19
  • 一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法
    一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511400539.0
    本发明公开一种用于掺杂原子激活的激光选择性退火系统及方法，旨在解决传统高温退火导致SiOx层退化、掺杂激活率低的问题。方法包括：硅片制绒→硼扩散→去BSG/碱抛→LPCVD沉积隧穿氧化层/多晶硅层/SiOx膜→激光选择性退火(调Q激光器53...
    2026-01-19
  • 一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法
    一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法_平煤隆基新能源科技有限公司_202511399819.4
    本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种N型太阳能电池的复合光注入设备及其钝化方法，该设备包括UV光注炉，该UV光注炉包括依次连接的升温区、保温区和降温区；所述保温区设有UV‑LED灯组，波长范围为365nm，光照强度为12‑30Suns...
    2026-01-19
  • 层压机
    层压机_晶科能源股份有限公司_202511383728.1
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种层压机，包括下压板、上压板、第一支撑部和第二支撑部，下压板用于放置待压紧件；上压板可升降地设置于下压板上方，以接触待压紧件的上表面从而压紧待压紧件；第一支撑部和第二支撑部，分别设置在待压紧件的相对两侧，设置...
    2026-01-19
  • 用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法
    用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法_重庆文理学院_202511341905.X
    本发明公开用于自供电日盲紫外探测器的氧化镓/MXene异质结的制备方法，步骤包括：制备α‑Ga2O3/Nb2CTx异质结，将制备得到α‑Ga2O2/Nb2CTx异质结后的钛片置于超薄石英片上，将钛片和超薄石英片封装，然后将导电铜线的一端固定...
    2026-01-19
  • 一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用
    一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用_深圳大学_202511311170.6
    本发明涉及半导体薄膜光电器件领域，尤其涉及一种绿色无镉且高效稳定的电子传输层、制备方法及其应用。所述绿色无镉且高效稳定的电子传输层包括三元化合物(Zn，Ti)O，其制备方法包括如下步骤：取洁净的衬底，在所述衬底上依次交替进行若干次ZnO沉积...
    2026-01-19
  • 底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法
    底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511302800.3
    本申请涉及一种底电池及其制备方法、钙钛矿叠层电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。底电池的制备方法包括：S110前处理步骤；S120烧蚀gap线步骤：对硅片的第一侧采用激光烧蚀工艺形成gap线，gap线将硅片划分成工作区域和非工作区域；...
    2026-01-19
  • 光伏组件的焊接方法及光伏组件
    光伏组件的焊接方法及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511182913.4
    本发明提供了一种光伏组件的焊接方法及光伏组件。光伏组件的焊接方法包括：将电池片放置于载体基板上，电池片的第一表面面向载体基板；将互联条按照预设方式铺设于电池片的第二表面；将膜层覆盖载体基板，以使电池片处于膜层和载体基板之间的密封空间；膜层上...
    2026-01-19
  • 一种单片光电集成芯片结构及其制造方法
    一种单片光电集成芯片结构及其制造方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511354734.4
    本申请涉及单片光电集成技术领域，公开了一种单片光电集成芯片结构及其制造方法，其结构包括半绝缘砷化镓衬底，半绝缘砷化镓衬底上设置量子阱发光二极管区域，量子阱发光二极管区域由下到上依次设置有N型重掺杂砷化镓电极层、多量子阱结构和P型重掺杂砷化镓...
    2026-01-19
  • 导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置
    导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置_友达光电股份有限公司_202511464524.0
    一种导电通道及光通道的制造方法及使用其的通信装置，形成导电通道及光通道的制造方法包括以下步骤：提供基板，并于基板中形成第一通孔及第二通孔；于第一通孔及第二通孔的壁面上形成第一材料侧壁及第二材料侧壁；填入导电胶第一材料侧壁所环绕的空间中，以形...
    2026-01-19
  • 具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法
    具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202511465220.6
    本发明公开了具有引线框架的光电集成式半导体封装结构及其制备方法，引线框架正面经限定结构分为电气连接部和芯片容置部，芯片容置部表面低于电气连接部表面，限定结构包括阶梯式设置的第一台阶和第二台阶，第一台阶具有第一凹槽，第二台阶具有第二凹槽，芯片...
    2026-01-19
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