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最新专利技术
  • 具有高二次电子发射性能的合金型打拿极零件的敏化方法及敏化系统
    具有高二次电子发射性能的合金型打拿极零件的敏化方法及敏化系统_北方夜视技术股份有限公司_202511351908.1
    本发明涉及光电倍增管技术领域，具体而言涉及具有高二次电子发射性能的合金型打拿极零件的敏化方法及敏化系统，包括：支架，所述支架上设有加热炉；转接室，连接到所述支架，所述转接室内具有第一腔体，所述转接室设有真空计、第一阀门和第二阀门，所述真空计...
    2026-03-16
  • 硅碳负极材料生产沉积舱机构
    硅碳负极材料生产沉积舱机构_博鑫元(淄博)新材料科技有限公司_202511865544.9
    本发明公开了硅碳负极材料生产沉积舱机构，涉及锂离子二次电池材料技术领域，包括沉积舱舱体，所述沉积舱舱体的顶端固定连接有进气口、泄压口和两个真空口，两个所述沉积舱舱体之间通过对接单元进行对接操作，所述沉积舱舱体的前端和后端通过开关单元进行开关...
    2026-03-16
  • 绝缘纸多层薄膜沉积装置和绝缘纸的制备方法
    绝缘纸多层薄膜沉积装置和绝缘纸的制备方法_国家能源集团科学技术研究院有限公司_202511289535.X
    本发明公开了一种绝缘纸多层薄膜沉积装置和绝缘纸的制备方法，绝缘纸多层薄膜沉积装置包括：薄膜沉积模块组件、转移组件、脉冲电源模块、气氛控制模块和控制监测模块。两个薄膜沉积模块分别为第一薄膜沉积模块和第二薄膜沉积模块，薄膜沉积模块包括电极组件，...
    2026-03-16
  • 一种上电极结构及等离子体加工设备
    一种上电极结构及等离子体加工设备_季华实验室_202511844121.9
    本申请涉及半导体设备领域，本申请提供一种上电极结构及等离子体加工设备，上电极结构包括上电极背板、喷淋板和匀场结构，上电极背板内部设有冷却通道，喷淋板与上电极背板相对设置，喷淋板上贯穿设置有多个喷气孔，匀场结构包括至少一个均匀板，均匀板设置于...
    2026-03-16
  • 一种薄膜制备方法和半导体工艺设备
    一种薄膜制备方法和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410876564.5
    本发明公开了一种薄膜制备方法和半导体工艺设备，将多个基片分别放入工艺腔室内的至少两个承载部件后，控制工艺腔室循环交替进行通气工艺和闷气工艺，并且，至少在工艺腔室进行闷气工艺时，控制至少两个承载部件异步辉光放电，其中，通气工艺用于向工艺腔室内...
    2026-03-16
  • 沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法
    沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法_三星显示有限公司_202510891010.7
    本公开涉及沉积设备和使用该沉积设备的沉积方法。该沉积设备包括：支撑件，被配置以设置在基板的底表面上，以在平面图中与基板的边缘重叠；夹具，被配置以设置在支撑件和基板的边缘上；以及静电卡盘，包括平坦部和多个突起，其中平坦部被配置以设置在基板的顶...
    2026-03-16
  • APCVD中的喷头
    APCVD中的喷头_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511425638.4
    本发明公开了一种APCVD中的喷头，包括部件主体、进气管和多个环形的喷气腔，所述部件主体包括一输出面；所述喷气腔设置于所述部件主体并分别延伸至所述输出面，所述喷气腔直径不同且同心设置；所述进气管开设于所述部件主体上，并连通所有所述喷气腔。本...
    2026-03-16
  • 一种液态源鼓泡供应系统
    一种液态源鼓泡供应系统_重庆原石智能装备有限公司_202511400513.6
    本发明涉及液态源供应技术领域，且公开了一种液态源鼓泡供应系统，包括液态源供应单元、鼓泡反应单元、气体供应单元、尾气处理单元、控制器和预留接口单元，通过采用双缓存罐并联，通过阀门切换实现交替供液，当任一缓存罐液位低于设定下限时，系统自动切换至...
    2026-03-16
  • 一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统
    一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统_苏州镓耀半导体科技有限公司_202511357691.5
    本申请公开了一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统，包括前驱体输送管路和薄膜沉积反应装置，薄膜沉积反应装置设有两个进气孔和一个排气口，进气孔分别与一路前驱体输送管路连通，前驱体输送管路包括源供应管路和吹扫管路，吹扫管路包括吹扫控制阀门和吹扫...
    2026-03-16
  • 基于物理吸附的原子层沉积方法
    基于物理吸附的原子层沉积方法_南方科技大学_202511320758.8
    本申请涉及微纳加工技术领域，尤其涉及一种基于物理吸附的原子层沉积方法，包括：提供基底；选取与基底表面合能为1～25kJ/mol的第一前驱体，将第一前驱体在基底上进行第一沉积循环，在基底表面形成物理吸附层；其中，第一沉积循环的每次循环包括：将...
    2026-03-16
  • 用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法
    用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法_无锡松煜科技有限公司_202511206229.5
    本申请涉及一种用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法，属于半导体材料的技术领域。它通过设计带可调挡风板的匀流板，从而控制腔室抽气区域大小分布；在制备方法上，先进行沉积实验获取膜厚分布数据，依据无膜区和薄膜区增大抽气孔径，厚膜区减小孔径...
    2026-03-16
  • 进气结构、半导体加工设备和进气方法
    进气结构、半导体加工设备和进气方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410883433.X
    本发明提供了一种进气结构、半导体加工设备和半导体加工的进气方法，涉及半导体加工技术领域，以解决工艺腔室中工艺气体不均匀的问题。进气结构，用于半导体加工设备，半导体设备具有工艺腔室，进气结构包括进气本体，进气本体中设有匀气腔，进气本体上设有与...
    2026-03-16
  • 混合器和沉积设备
    混合器和沉积设备_华为技术有限公司_202410878118.8
    本申请实施例提供一种混合器和沉积设备，涉及半导体制造领域，用于提高沉积设备所形成的薄膜的质量。沉积设备包括反应室和混合器。反应室包括进气口和出气口。反应室的内部设有载物台，载物台位于进气口和出气口之间。混合器包括壳体，以及连接于壳体的出气管...
    2026-03-16
  • 一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法
    一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法_中南大学_202511841112.4
    本发明公开了一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法，将低熔点盐A、金属氟酸盐、金属M混合获得混合物C，将混合物C置于第一坩埚中，将低熔点盐B、金属M混合获得混合物D，将混合物D置于第二坩埚中，将碳基材置于沉积炉中，然后对第...
    2026-03-16
  • 一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法
    一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法_楚赟精工科技(上海)有限公司_202311845300.5
    本发明公开了一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法，其中清理装置包括多个升降抖动组件及多个控制组件。在与反应腔室的排气口连接的排气管路内设置升降抖动组件，多个升降抖动组件位于与排气口相连通的排气管路中靠近排气口的一端，多个升降抖动组件绕排气...
    2026-03-16
  • 一种制备金刚石种子层的方法
    一种制备金刚石种子层的方法_安徽尤品新材料有限公司_202511138516.7
    本发明公开了一种制备金刚石种子层的方法，包括以下步骤，S1、衬底预处理：对衬底表面进行清洗处理；S2、金刚石微粉悬浮液配制：将金刚石微粉分散于溶剂中，形成均匀悬浮液；S3、超声波涂覆：将步骤S2中配制好的金刚石微粉悬浮液倒入超声波涂覆机的料...
    2026-03-16
  • 一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法
    一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法_湖南联合半导体科技有限公司_202511378980.3
    本发明公开了一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法，该化学气相沉积覆盖剂的制备方法，包括以下步骤：a1、制备纳米氧化锌溶胶；a2、将石墨烯量子点与水共混均匀，得到石墨烯量子点水溶液；a3、将步骤a1中制得的纳米氧化锌溶胶与步骤a...
    2026-03-16
  • 一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法及系统
    一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法及系统_安徽亚格盛电子新材料股份有限公司_202511465319.6
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法，包括以下步骤：初始填充与称重：向钢瓶中加入定量的目标固体源材料，称重并记录初始总重量；制作涂层：将填充后的钢瓶置于加热设备中，启动设备对钢瓶进行程序化的加热与...
    2026-03-16
  • 通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多分割掩膜多重涂布方法
    通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多分割掩膜多重涂布方法_威福斯株式会社_202411751714.6
    本发明涉及一种通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多(分割)掩膜多重涂布方法。由此，本发明的技术要旨的特征在于，将辅助掩膜先行接合于掩膜框架后，在除形成有焊点熔核的遮蔽区域之外的表面整体进行第一次涂布；然后接合图案掩膜后...
    2026-03-16
  • 一种多舱式真空镀膜生产线
    一种多舱式真空镀膜生产线_广东汇成真空科技股份有限公司_202511646172.0
    本发明公开了一种多舱式真空镀膜生产线，其包括进片舱、前处理舱、镀膜工艺舱、后处理舱和出片舱，各个舱内部相连通形成一条运输通道，各个舱内部设有工件运输机构，生产线至少在进片舱和出片舱设有插板阀；镀膜工艺舱设有中部运输腔室、上镀膜腔室和顶升旋转...
    2026-03-16
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