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最新专利技术
  • 叠层电池及其制备方法、光伏组件及用电装置
    叠层电池及其制备方法、光伏组件及用电装置_天合光能股份有限公司_202511378948.5
    本申请涉及一种叠层电池及其制备方法、光伏组件及用电装置。叠层电池包括晶硅电池和设于晶硅电池向光侧的钙钛矿电池，晶硅电池包括硅基底，钙钛矿电池包括钙钛矿吸光层和第一钝化层，钙钛矿吸光层设于晶硅电池与第一钝化层之间；叠层电池中至少一个侧面设置有...
    2026-01-19
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511345441.X
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括硅衬底、钙钛矿层，以及位于硅衬底和钙钛矿层之间的第一功能膜层；硅衬底的表面分布有金字塔微单元结构，金字塔微单元结构的侧壁分布有凸起子结构；第一功能膜层覆盖于金字塔微单元结构的表...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法_极电光能有限公司_202410849758.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法。本发明提供的钙钛矿叠层太阳能电池，包括依次设置的金属基底、InGaAs子电池、中间复合层和钙钛矿子电池；所述中间复合层包括依次层叠的宽带隙InGaAs层和p‑In...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池、电气连接系统及方法
    一种钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池、电气连接系统及方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511437658.3
    本发明公开了一种钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池、电气连接系统及方法，属于太阳能电池生产技术领域中的一种电池的生产方法，其技术方案为钙钛矿顶电池和晶硅底电池，用于光波吸收并形成电流；两个独立DC‑DC变换器，DC‑DC变换器分别连接所述钙钛矿顶电...
    2026-01-19
  • 一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511375174.0
    本发明提供了一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿吸收层和电子传输层的界面通过真空沉积引入由TmPyPb小分子和LiF无机盐构成的超薄协同钝化层，利用化学钝化和场效应钝化相结合的策略，有效缓解钙钛...
    2026-01-19
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511292395.1
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括钙钛矿层以及设置于钙钛矿层表面的钝化层，钝化层包括第一钝化剂和第二钝化剂，第一钝化剂为卤代苯胺和/或卤代吡啶胺，第二钝化剂为卤化烷基二铵。本申请通过第一钝化剂和第二钝化剂协同配合...
    2026-01-19
  • 一种空穴传输层前驱液、空穴传输层、光伏器件及制备方法
    一种空穴传输层前驱液、空穴传输层、光伏器件及制备方法_天合光能股份有限公司_202511461652.X
    本发明属于光伏领域，具体涉及一种空穴传输层前驱液、空穴传输层、光伏器件及制备方法。本发明的空穴传输层前驱液为胶束溶液，所述胶束溶液中，胶束的粒径≤1000 nm，将胶束的粒径控制在本发明的范围内，可以实现大面积均匀制备空穴传输层，从而提高光...
    2026-01-19
  • 一种基于空穴传输层溶剂工程的钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种基于空穴传输层溶剂工程的钙钛矿太阳能电池及制备方法_江苏投特新能源有限公司_202411240590.5
    本发明公开了一种基于空穴传输层溶剂工程的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该制备方法使用氯苯(CB)、乙酸乙酯(EA)、4‑叔丁基吡啶(TBP)混合溶剂配制钙钛矿太阳能电池的空穴传输层前驱体溶液。通过调控溶剂比例得到最佳的溶剂配方，使用旋涂法制...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法_西安天交新能源有限公司_202511365629.0
    本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明的钙钛矿太阳能电池组件包括基底，基底上设置有多个相互电连接的钙钛矿太阳能电池。复合顶电极层包括交替设置的多层无机导电层和金属导电层，无机导电层和金属导电层的厚...
    2026-01-19
  • 一种异质结光电探测器及其制备方法
    一种异质结光电探测器及其制备方法_中国医学科学院生物医学工程研究所_202511402612.8
    本发明属于微纳光电器件制造技术领域，尤其涉及一种异质结光电探测器及其制备方法，该探测器是以纳米氧化锡与硼氮杂化半导体分子形成异质结提高了在特定蓝光波段的光电探测性能，并通过纳米氧化锡与硼氮杂化半导体分子之间的配位耦合作用增强了光生电荷的利用...
    2026-01-19
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法
    钙钛矿太阳电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511365099.X
    本申请涉及一种钙钛矿太阳电池及其制备方法。本申请的钙钛矿太阳电池包括依次层叠设置的透明导电层、第一界面功能层、钙钛矿层、第二界面功能层以及电极；钙钛矿层包括小晶粒子层和第一大晶粒子层；第一大晶粒子层位于小晶粒子层和第二界面功能层之间；第一大...
    2026-01-19
  • 太阳能电池及其制造方法
    太阳能电池及其制造方法_天合光能股份有限公司_202511327391.2
    本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括钙钛矿电池结构及透明绝缘无机氧化物介质。钙钛矿电池结构包括层叠设置的第一电极层、第一电荷传输层、钙钛矿活性层、第二电荷传输层以及第二电极层。钙钛矿电池结构还具有贯穿第二电极层、第二电荷传输...
    2026-01-19
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511292830.0
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及钙钛矿太阳电池及制备方法、光伏组件。本申请公开了一种钙钛矿太阳电池，该钙钛矿太阳电池包括：钙钛矿层，钙钛矿层沿自身厚度方向具有第一表面和第二表面；其中，第一表面的荧光光谱曲线具有第一平均半峰宽，第二表面的荧光...
    2026-01-19
  • 太阳能电池及制备方法、光伏组件、发电装置、用电装置
    太阳能电池及制备方法、光伏组件、发电装置、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410865124.X
    本申请提供了一种太阳能电池及制备方法、光伏组件、发电装置、用电装置，其中，太阳能电池包括沿光入射方向依次设置的第一电极、钙钛矿吸光层以及第二电极；所述钙钛矿吸光层包括硫元素，所述硫元素在所述钙钛矿吸光层中的质量占比为0.000014％至1....
    2026-01-19
  • 一种基于框架材料的多模态感觉人工突触器件及其制备方法、应用
    一种基于框架材料的多模态感觉人工突触器件及其制备方法、应用_深圳大学_202511312837.4
    本发明公开了一种基于框架材料的多模态感觉人工突触器件及其制备方法、应用。人工突触器件包括：衬底，沟道，所述沟道设置在所述衬底表面；所述沟道为非晶形态的对光和气体刺激响应的有机金属框架薄膜；金属电极，所述金属电极设置在所述沟道的表面；所述金属...
    2026-01-19
  • 一种显示面板及其修复方法、显示装置
    一种显示面板及其修复方法、显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511437988.2
    本公开提供一种显示面板及其修复方法、显示装置，涉及显示技术领域，包括：衬底和设置于衬底一侧的遮光层和多个晶体管，遮光层位于衬底和晶体管之间；沿垂直于衬底所在平面的方向，遮光层至少覆盖晶体管的有源层；显示面板还包括沿第一方向延伸并沿第二方向排...
    2026-01-19
  • 一种主动驱动的HEMT-microLED阵列的芯片及其制备方法和应用
    一种主动驱动的HEMT-microLED阵列的芯片及其制备方法和应用_南方科技大学_202511257560.X
    本发明公开了一种主动驱动的HEMT‑microLED阵列的芯片及其制备方法和应用，属于半导体芯片技术领域。本发明提供的主动驱动的HEMT‑microLED阵列的芯片，包括基底以及集成在基底表面的microLED和主动驱动电路；主动驱动电路包...
    2026-01-19
  • 一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法
    一种垂直去衬底p-DBR红光LED芯片及制备方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511794484.6
    本申请公开了一种垂直去衬底p‑DBR红光LED芯片及制备方法，针对现有AlGaInP红光LED芯片GaAs衬底吸光、DBR绝缘致反射率与电流分布恶化、电极遮光及散热低效的缺陷采用垂直结构，通过MOCVD外延生长含p型DBR反射层的多层外延结...
    2026-01-19
  • 垂直型鳍式显示传感模组及其制备方法
    垂直型鳍式显示传感模组及其制备方法_常州大学_202511446140.6
    本发明涉及智能集成器件技术领域，尤其是一种垂直型鳍式显示传感模组及其制备方法，该模组包括驱动背板及其上的阳极，阳极上设有半导体鳍式结构，该结构包括n+GaN层和图形化n‑GaN外延层，形成具缺口的凸起鳍部，缺口及鳍部侧壁离子注入形成P+区和...
    2026-01-19
  • 一种具有新型散热结构的三维micro-led芯片及介质层制造方法
    一种具有新型散热结构的三维micro-led芯片及介质层制造方法_中南大学_202511419231.0
    本发明公开了一种具有新型散热结构的三维micro‑led芯片及介质层制造方法；该芯片包括硅衬底和红、绿、蓝三色micro‑led，硅衬底、红色micro‑led、绿色micro‑led与蓝色micro‑led依次堆叠设置，且任意两者之间设有...
    2026-01-19
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