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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411654503.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件的制造方法包括：对覆盖有掩模结构的初始衬底进行刻蚀，形成衬底结构。衬底结构包括位于第一区域的第一底部、第二区域的第一斜坡部和位于第三区域的基础部。第一斜坡部一端与第一底部齐平，沿...
    2026-01-03
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511230407.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，第二掩模层中具有第一开孔，第一掩模层中形成有与第一开孔连通的第二开孔，第一开孔的第一投影图形在第二开孔的第二投影图形的范围内。以第二掩模层为掩模对介质层进行刻蚀，在介质层中形成初始接触槽。以...
    2026-01-03
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511181220.3
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成第一导电层，然后在第一导电层上形成掩模层，掩模层的材料包括碳，以掩模层为掩模，对第一导电层进行刻蚀形成多条第一导电线。在对第一导电层进行刻蚀的工艺中，第一导电层相对于掩模层的刻...
    2026-01-03
  • 基于相变材料的存储器电路
    基于相变材料的存储器电路_意法半导体国际公司_202510802320.7
    本公开的各实施例涉及基于相变材料的存储器电路。本说明书涉及一种包括存储器电路的电子器件，该电路包括：衬底，该衬底的内部和顶部上被布置有选择晶体管；互连堆叠；多个存储器元件，该互连堆叠被布置在互连堆叠之上并且被组织成阵列，该阵列形成行和列，每...
    2026-01-03
  • 三维存储阵列及其制备方法、电子设备
    三维存储阵列及其制备方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410806159.6
    一种三维存储阵列及其制备方法、电子设备。三维存储阵列的制备方法包括形成第一存储单元阵列，其包括形成在竖直方向堆叠的多个晶体管，形成沿竖直方向堆叠的多个存储节点，存储节点和晶体管在水平方向耦合，以及形成和晶体管连接的位线。形成多个存储节点包括...
    2026-01-03
  • 半导体存储器结构及其形成方法
    半导体存储器结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608011.2
    一种半导体存储器结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成堆叠初始结构、栅电极层以及覆盖栅电极层侧壁的保护层，栅电极层位于堆叠初始结构上，堆叠初始结构包括依次层叠的电荷隧穿初始层、电荷捕获初始层和电荷阻挡初始层；通过湿法刻...
    2026-01-03
  • SONOS存储器及其制造方法
    SONOS存储器及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511379052.9
    本发明提供一种SONOS存储器及其制造方法。该方法通过在形成SONOS器件及其他CMOS器件的栅极结构后，沉积一层阻氧化保护层，接着再刻蚀形成逻辑CMOS器件的栅极结构，最后进行统一的热氧化工艺。该独特的工艺顺序使得仅逻辑CMOS器件的栅极...
    2026-01-03
  • 闪存器件的制备方法
    闪存器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511383895.6
    本申请提供一种闪存器件的制备方法，通过在形成第一保护层和第二介质层后，刻蚀与外围逻辑区相邻的存储区的一定宽度的第二介质层以形成第一开口，并在第一开口内填充第二保护层，接着在形成第二保护层和第三保护层之后，刻蚀第一开口内侧的第三保护层和第二保...
    2026-01-03
  • 存储器元件与形成存储器元件的方法
    存储器元件与形成存储器元件的方法_南亚科技股份有限公司_202511617014.2
    一种存储器元件包括基材、电容器结构、支撑层以及导电结构。电容器结构于基材上方。电容器结构包括下电极、电容器介电层以及上电极。电容器介电层于下电极上方。上电极于电容器介电层上方。支撑层于基材上方且接触于电容器结构的下电极的外表面。导电结构接触...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511361527.1
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构，包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域外侧；分立的多个下电极，位于第一区域的衬底上；第一支撑层，位于相邻的下电极之间，第一支撑层沿平行于衬底表面的方向延伸到第二区...
    2026-01-03
  • 半导体结构的制作方法以及半导体结构
    半导体结构的制作方法以及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410816523.7
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于衬底上形成由多个第一材料层和多个第二材料层交替堆叠的叠层结构；于叠层结构的第一端形成凹槽，凹槽贯穿叠层结构；执行第一侧蚀，由第一端去除多个第一材料层并保留多个第...
    2026-01-03
  • 半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法
    半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410816506.3
    本公开提供了半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底内设置有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，有源柱沿第三方向延伸；衬底内设置有暴露有源柱顶面的第一凹槽，第一凹槽沿第一方向、第二...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410758916.7
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体柱、字线结构和第一连接结构。半导体柱沿第一方向延伸，其中多个半导体柱沿与第一方向相交的第二方向排布；字线结构与多个半导体柱的侧面连接；以及第一连接结构包括沿第二...
    2026-01-03
  • 一种自动化SMT贴片机吸附设备
    一种自动化SMT贴片机吸附设备_山西朝惠半导体有限公司_202511736250.6
    本发明涉及电路板制造技术领域，具体涉及一种自动化SMT贴片机吸附设备，包括机架，所述机架的中部开设有贯通的输送开口，输送开口两侧均设置有用于输送原料板的输送架，所述机架的内部位于输送架的上方设置有调节件，所述调节件下方设置有用于吸附原料板的...
    2026-01-03
  • 一种三明治结构MXene/多壁碳纳米管/中空碳球复合电磁屏蔽膜及其制备方法
    一种三明治结构MXene/多壁碳纳米管/中空碳球复合电磁屏蔽膜及其制备方法_合肥工业大学_202511403012.3
    本发明公开了一种三明治结构MXene/多壁碳纳米管/中空碳球复合电磁屏蔽膜及其制备方法，该复合膜通过分层抽滤工艺制得，从上至下依次为多壁碳纳米管/中空碳球复合层、MXene层、多壁碳纳米管/中空碳球复合层。本发明所得三明治结构电磁屏蔽膜具有...
    2026-01-03
  • 一种电磁屏蔽膜及线路板
    一种电磁屏蔽膜及线路板_广州方邦电子股份有限公司_202511329262.7
    本发明公开一种电磁屏蔽膜及线路板，该电磁屏蔽膜包括绝缘层和屏蔽层；所述绝缘层包括第一保护层和显色层；所述显色层设于所述屏蔽层与所述第一保护层之间；所述显色层的颜色的灰度值大于所述第一保护层的颜色的灰度值；所述第一保护层对不同波段的激光的吸光...
    2026-01-03
  • 一种电磁波吸波材料及装置
    一种电磁波吸波材料及装置_汉江国家实验室_202511308803.8
    本发明属于磁场屏蔽技术领域，公开了一种电磁波吸波材料及装置。本发明提供的电磁波吸波材料包括从上至下依次设置的第一蒙皮玻璃钢、芯层介质、阻抗超材料、第二蒙皮玻璃钢和反射层；阻抗超材料包括介质薄膜，以及位于介质薄膜正反面的两层具有不同周期性结构...
    2026-01-03
  • 基于3D打印的空间频段可调的多层梯度电磁屏蔽构件
    基于3D打印的空间频段可调的多层梯度电磁屏蔽构件_上海古碳实业有限公司_202511308768.X
    本发明提供了基于3D打印的空间频段可调的多层梯度电磁屏蔽构件及其应用，属于电磁屏蔽结构件技术领域。本发明包括自外至内依次设置的高频屏蔽层、梯度过渡层和低频增强层；其中，高频屏蔽层由银网格导电层、高频聚合物基体和碳纤维增强层构成；梯度过渡层为...
    2026-01-03
  • 一种仿生多孔磁性合金@氮掺杂碳气凝胶吸波材料及其制备方法
    一种仿生多孔磁性合金@氮掺杂碳气凝胶吸波材料及其制备方法_陕西科技大学_202511308663.4
    本发明公开了一种仿生多孔磁性合金@氮掺杂碳气凝胶吸波材料及其制备方法，方法包括：1、取蛋白质分散于去离子水，得到溶液Ⅰ；取双醛多糖分散于去离子水，得到溶液Ⅱ；将溶液Ⅰ和Ⅱ混合，在1～30℃下，交联1～3h，得到悬浮液A；2、将过渡金属盐和表...
    2026-01-03
  • 一种防凝露的经颅磁线圈液冷装置及控制方法
    一种防凝露的经颅磁线圈液冷装置及控制方法_杭州米福科技有限公司_202511735282.4
    本发明公开了一种防凝露的经颅磁线圈液冷装置及控制方法，其中，经颅磁线圈液冷装置包括微控制单元MCU、半导体制冷器TEC和冷却液储存罐；TEC的冷端设有换热冷板，TEC的热端设有冷却风扇；冷却液储存罐的出液口通过冷却液管顺次连接换热冷板、经颅...
    2026-01-03
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