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最新专利技术
  • 一种工件电泳磷化装置及方法
    一种工件电泳磷化装置及方法_重庆利普科技股份有限公司_202511286486.4
    本发明涉及磷化装置技术领域，具体涉及一种工件电泳磷化装置及方法：包括底板、磷化桶、支架、电动推杆、放置框和搅拌机构，在利用电动推杆带动放置框下降的同时，同步启动升降组件，带动滑动座在支撑臂上滑动，使得四个搅拌叶片和滤网与放置框同步下降，当利...
    2026-03-02
  • 一种锌镍电池负极集流体制备方法
    一种锌镍电池负极集流体制备方法_森克创能(江苏)新能源科技有限公司_202511676320.3
    本申请涉及锌基电池技术领域，公开了一种锌镍电池负极集流体制备方法，所述负极集流体包括三维多孔铜基材，以及形成在所述基材表面的锡锑功能层。其制备方法为：将三维多孔铜基材浸没于一种功能性深度共晶溶剂中，在80～120℃的预设温度下进行低温原位化...
    2026-03-02
  • 一种梯度耐蚀-高强电子用高性能铜合金的复合表面处理的方法
    一种梯度耐蚀-高强电子用高性能铜合金的复合表面处理的方法_江西金连升铝业有限公司_202511299641.6
    本发明公开了一种梯度耐蚀‑高强电子用高性能铜合金的复合表面处理的方法，属于铜合金表面处理技术领域。该方法包括预处理、梯度化学镀镍‑磷合金、微弧氧化及封孔处理步骤。预处理通过脱脂和酸洗去除铜合金表面油污与氧化层；梯度化学镀分三阶段调控磷含量，...
    2026-03-02
  • 一种加快化学镀镍速度的交替沉积方法
    一种加快化学镀镍速度的交替沉积方法_广东工业大学_202511183875.4
    本发明公开了一种加快化学镀镍速度的交替沉积方法，属于化学镀技术领域。包括以下步骤：S1.将待镀工件浸入化学镀镍液中进行化学镀镍，得到第一镀层；S2.清除镀层表面化学镀镍液，将含有第一镀层的待镀工件浸入加速液中处理，得到处理后的第一镀层；S3...
    2026-03-02
  • 一种用于气相沉积的流量控制柜
    一种用于气相沉积的流量控制柜_九未实业(上海)有限公司_202511175516.4
    本发明公开了一种用于气相沉积的流量控制柜，涉及气相沉积技术领域，包括控制箱，所述控制箱内部设置有两组流量控制机构；所述流量控制机构包括两组固接于腔体内部两侧的空心半圆块，所述空心半圆块内均滑动连接有实心半圆盘，所述空心半圆块上设置有多个气孔...
    2026-03-02
  • 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法
    薄膜沉积装置及薄膜沉积方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410783053.9
    本发明提出的薄膜沉积装置，包括：处理腔室，用于进行薄膜沉积；喷淋头，设置在所述处理腔室的顶部，用于向所述处理腔室内供应工艺气体；基板支撑组件，设置在所述喷淋头的下方，所述基板支撑组件包括固定部和旋转部，所述旋转部的下表面与所述固定部的上表面...
    2026-03-02
  • 一种可提高等离子体分布均匀性的圆柱谐振式MPCVD装置
    一种可提高等离子体分布均匀性的圆柱谐振式MPCVD装置_厦门韫茂科技有限公司_202511262956.3
    本发明提供了一种可提高等离子体分布均匀性的圆柱谐振式MPCVD装置，涉及半导体设备技术领域。包括：包括波导装置、谐振反应腔体，所述谐振反应腔体内设置有用于承载基片的载台；所述波导装置包括矩形传导腔体、垂直于所述矩形传导腔体的环形同轴天线；沿...
    2026-03-02
  • 一种等离子体加热气相沉积制备铁镍负载纳米管炭材料的方法
    一种等离子体加热气相沉积制备铁镍负载纳米管炭材料的方法_苏州零粒新碳科技有限公司_202511307348.X
    本发明公开了一种等离子体加热气相沉积制备铁镍负载纳米管炭材料的方法。该方法以铁镍双金属有机化合物为前驱体，通过等离子体辅助化学气相沉积在300‑600℃低温条件下实现纳米管的可控生长。具体包括：配制铁镍摩尔比1 : 1‑1 : 3的前驱体溶...
    2026-03-02
  • 一种用于保证石英舟化学气象沉积反应温度的保温桶
    一种用于保证石英舟化学气象沉积反应温度的保温桶_北京凯德石英股份有限公司_202511283475.0
    本申请涉及一种用于保证石英舟化学气象沉积反应温度的保温桶，属于半导体制造设备技术领域，该保温桶的结构包括：包括固定支架，固定支架上纵向设置有多组中空连接杆，中空连接杆的顶部设置有安装保温板，安装保温板下部的中空连接杆上设置有多组保温玻璃层，...
    2026-03-02
  • 一种热平衡装置
    一种热平衡装置_盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司_202410775457.3
    本申请涉及热平衡技术领域，公开一种热平衡装置，设置于加热器与被加热材料之间，包括：多个温控单元，采用在热量从加热器传递到被加热材料的方向上具有负热膨胀系数的材料制成；约束架，至少部分地包围所述多个温控单元而设置，用于将所述多个温控单元约束在...
    2026-03-02
  • 在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法
    在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511224618.0
    本发明涉及芯片制造技术领域，具体为在LPCVD制备工艺中的高稳定性石英硅舟平台结构及方法，包括制备仓，所述制备仓的内壁固定连接有控制座，所述控制座的顶部设置有伞状支架，所述伞状支架的内壁环形阵列活动连接有多个石英舟板，多个所述石英舟板的内壁...
    2026-03-02
  • 镀膜系统及镀膜方法
    镀膜系统及镀膜方法_上海派拉纶生物技术股份有限公司_202511697418.7
    本发明公开了一种镀膜系统及镀膜方法，属于镀膜技术领域。镀膜系统包括反应腔体和进气装置，进气装置具有两个分支分配管，两管上分别设有多个沿腔体高度方向对应分布的腔体进气管，且两管内气体流向相反；各分支分配管上的腔体进气管管径沿气体流向逐渐增大，...
    2026-03-02
  • 一种基于多维电场矢量调控的原子层沉积装置及工艺
    一种基于多维电场矢量调控的原子层沉积装置及工艺_中步擎天新能源(湖北)有限公司_202511593435.6
    本发明涉及一种基于多维电场矢量调控的原子层沉积装置及工艺，包括反应腔组件、气体分布组件、电场发生组件、衬底旋转机构和多维电场控制系统，所述反应腔组件包括上腔体和下腔体，所述上腔体设置有反应源一入口、反应源二入口和载气入口，所述下腔体设置有尾...
    2026-03-02
  • 一种半导体加工设备及其进气单元
    一种半导体加工设备及其进气单元_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511416242.3
    本发明公开一种半导体加工设备及其进气单元，其中，所述半导体加工设备包括金属盖体，所述进气单元包括：进气部件，所述进气部件设置有第一气体通道，所述第一气体通道用于引入第一工艺气体；绝缘材质的连接部件，包括第一筒体和第二筒体，所述第一筒体位于所...
    2026-03-02
  • 基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法
    基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511400116.9
    本公开提供一种基于区域选择性原子层沉积的图形制备方法，包括：在衬底上形成第一金属增强层；在第一金属增强层上形成具有光敏性的自组装单分子层；在具有光敏性的自组装单分子层上形成第二金属增强层；利用深紫外光对具有光敏性的自组装单分子层进行曝光并显...
    2026-03-02
  • 立式炉管
    立式炉管_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410783591.8
    本申请提出的立式炉管，包括：工艺管，底部内侧设有基座；多个气体喷射器，包括流体连通的进气管和喷射管，所述进气管的一端与工艺气体的供应源连接，另一端水平插设在所述基座内；所述喷射管设置在所述工艺管内部，且竖直插设在所述基座内；所述喷射管靠近底...
    2026-03-02
  • 一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法
    一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法_湖南科技大学_202511725586.2
    本发明公开了一种带有多层纳米涂层的刀具及其制备方法，刀具包括刀具基体和设置在刀具基体表面的多层纳米涂层，所述多层纳米涂层从内向外依次包括过渡层、功能层和保护层；所述功能层包括交替设置的耐磨层和润滑层，所述功能层中的最上层和最下层为耐磨层。制...
    2026-03-02
  • 一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法
    一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511110754.7
    本发明涉及材料表面改性技术领域，且公开了一种在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法，该在石墨基体上实现快速CVD碳化硅涂层的方法，包括以下步骤：S1、石墨基体预处理，对石墨基体进行表面粗糙化处理，依次包括混合酸蚀刻和低温等离子体活化；S...
    2026-03-02
  • 一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法
    一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法_许昌学院_202511080975.4
    本发明公开了一种铜催化辅助制备二维转角WS2的方法，属于无机纳米半导体材料领域，包括：将装载硫粉的第一刚玉舟放在多温区管式炉的上游低温区；将氧化钨粉与铜粉混合后的混合粉末放在第二刚玉舟内的前端，将沉积衬底放在第二刚玉舟内的末端，第二刚玉舟入...
    2026-03-02
  • 一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法
    一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法_苏州五强光学科技有限公司_202511292948.3
    本发明涉及光学元件处理技术领域，具体公开了一种针对金属、陶瓷的光学遮光圈内孔的消光方法，先采用超声波清洗，内孔区域辅以旋转式喷淋清洗；再用去离子水进行内外高压冲洗，最后在烘箱中烘干；将经过表面预处理的遮光圈放入VCD反应炉内；通入碳源气体，...
    2026-03-02
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