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  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底,包括第一面、第二面和侧部,侧部连接第一面和第二面;若干栅线,设于第一面和/或第二面;保护栅,设于侧部,与栅线绝缘。如此,由于硅基底的侧部设有保...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种背接触电池片、叠层电池及光伏组件,其中,背接触电池片包括:基底内掺杂有第一掺杂类型离子,基底包括:相对的正面及背面,背面包括沿第一方向依次排布的边缘区、中心区及切割区;第一掺杂导电层位于边缘区上及部分中心区...
  • 本申请提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:硅基底,包括沿硅基底厚度方向相对的第一面和第二面;依次设置于第一面的第一掺杂层和第一钝化层;第一种子层和第一贱金属层,第一种子层穿过第一钝化层与第一掺杂层电连接,第一贱...
  • 本申请提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。第一集电电极集合中的集电电极包括第一种子层和第一贱金属层;第二集电电极集合中的集电电极包括第二种子层和第二贱金属层;第一集电电极中第一种子层的中心线与第二集电电极中第...
  • 本申请公开了一种背接触式太阳能电池片及光伏组件,属于光伏组件技术领域。背接触式太阳能电池片包括电池片本体,电池片本体具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面设置有沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布的第一细栅和第二细栅,第二方向相交于第...
  • 本申请公开了一种背接触式太阳能电池片及光伏组件,属于光伏组件技术领域。包括电池片本体,电池片本体的第一表面设置有沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布的第一细栅和第二细栅;至少一列第一接合部,至少一列第一接合部设置于电池片本体的第一表面,至...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:硅基底;掺杂层,沿硅基底的厚度方向,位于硅基底至少一侧;钝化层,设置于P型掺杂层和N型掺杂层上;P型集电电极,P型集电电极与掺杂层的欧姆接触部分包括多个第一金属晶体,沿...
  • 本发明公开了一种背接触电池和光伏组件,涉及光伏技术领域,以提高背接触电池的制造效率,增加背接触电池的制造产能。所述背接触电池包括:半导体基底、第一掺杂硅层、第二掺杂硅层和多个第一集电电极。半导体基底包括相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分...
  • 本发明实施例提供了一种晶硅太阳能电池的电极制备方法及晶硅太阳能电池,其中,本发明实施例所提供的制备方法,利用导电性较好的铜来代替银作为晶硅太阳能电池电极的主体材料,能够显著较低贵金属银的消耗量;同时,相较于丝网印刷,利用电镀方法能够得到更大...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种光伏电池、电池组件及光伏系统,该光伏电池包括:半导体基底、第一极性掺杂层和第二极性掺杂层;半导体基底的背面包括若干掺杂区域,掺杂区域包括第一区域和第二区域,第一区域和第二区域交替设置,第一区域和第二区域通...
  • 本申请公开了一种背接触太阳能电池及光伏组件,涉及太阳能电池技术领域,该背接触太阳能电池包括:电池基片,电池基片具有相对的第一表面和第二表面;设置在第一表面的前场膜层结构;设置在第二表面的背场电极结构;其中,电池基片的侧壁设置有功能层,功能层...
  • 本申请公开了一种超晶格结构中/中双色碲镉汞材料及退火方法,涉及半导体、红外探测技术,双色碲镉汞材料为多层结构的薄膜,其中所述多层结构的薄膜由下而上包括衬底或复合衬底、低镉组分n型层、超晶格p型层、高镉组分n型层;所述高镉组分n型层和所述低镉...
  • 本发明提供了一种背接触电池,包括:衬底;掺杂区,形成在衬底背面,包括两个以上的第一型掺杂单元以及两个以上的第二型掺杂区;钝化层,形成在衬底的背面并覆盖掺杂区,钝化层与每一第一型掺杂单元对应的第一区域上均开设有第一接触孔、与每一第二型掺杂单元...
  • 本发明公开了一种异质结半导体结构、其制备方法、光电感应器件及应用。所述异质结半导体结构,其包括依次接触的p型GaN、界面插入层以及石墨烯层,所述界面插入层由h‑BN层组成,所述界面插入层中的h‑BN层的数目为1‑5。本发明提供了一种基于石墨...
  • 本发明涉及一种光电耦合器的引线框架,光电耦合器的引线框架包括横筋单元,横筋单元包括若干条相互平行的横筋,每条横筋上设置有若干个支撑节点;若干个基岛单元,基岛单元通过支撑节点固定于横筋上;引线框架,包括中部贯穿式连筋,中部贯穿式连筋与若干条横...
  • 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种基于磷酸盐电子选择性传输层的硅异质结太阳电池结构及制备方法。该方法通过制备磷酸盐薄膜,引入具有磷酸根的金属化合物薄膜作为电子选择性传输层。该种类材料可以被用作电子选择性传输层的机制是由于磷酸盐薄膜的磷原子...
  • 本发明公开了一种太阳能电池栅线的制备方法及电池片,应用于太阳能电池技术领域,包括:在电池片的介质层表面平铺一层混合粉体;加热铺设有混合粉体的电池片至第一温度;通过脉冲激光对处于选择性烧结区域的混合粉体进行辐照,将处于选择性烧结区域的混合粉体...
  • 本发明涉及一种背接触太阳能电池边缘钝化工艺,包括:对硅片抛光处理的预处理工艺;前镀膜工艺,前镀膜工艺对经过抛光后的硅片镀膜;对镀膜完成的硅片进行切片的切片处理工艺,切片处理工艺包括以下步骤:S1:切片,通过激光切片机对硅片分片处理;S2:湿...
  • 本发明公开了一种通过空气退火提高顶衬结构薄膜太阳电池性能的方法,包括如下步骤:首先通过CBD方法在FTO表面制备CdS缓冲层,接着使用CBD工艺在沉积的FTO/CdS样品上沉积Sb2(S, Se)3薄膜,将制备好的样品在充满N2的手套箱中以...
  • 本发明涉及一种背接触电池的制备方法及其电池,属于光伏电池领域,在N型硅片后制绒工序中,对经清洗处理后的硅片进行烘干时同时通入臭氧气体和干净空气或压缩空气;烘干完成后硅片表面生成氧化层,氧化层厚度为1.5~2.5nm。通在烘干槽通入臭氧,形成...
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