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最新专利技术
  • 沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片
    沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片_深圳方正微电子有限公司_202511691534.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽式金属栅MOSFET结构及其制备方法、芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用双重图案光刻工艺利用第一牺牲介质层和第二牺牲介质层分两次光刻...
    2025-12-30
  • 抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件
    抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件_北京国联万众半导体科技有限公司_202511354541.9
    本发明公开了一种抗瞬态极端失效的SiC MOSFET器件制备工艺及器件，涉及MOSFET器件技术领域。所述方法包括如下步骤：衬底预处理；渐变掺杂缓冲层制备：在预处理后的N+型SiC衬底上形成渐变掺杂缓冲层；漂移区外延生长；体区制备；源区分区...
    2025-12-30
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511340044.3
    本公开实施例提供一种半导体制备方法，包括：提供衬底；形成第一保护层，其覆盖衬底并露出硅化物层区域；形成硅化物层；形成第一蚀刻停止层，其覆盖第一保护层和硅化物层；以及形成层间介质层和导电接触结构。采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一保护层...
    2025-12-30
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511296877.4
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：在栅极远离衬底的一侧形成掩膜层；去除掩膜层覆盖区域之外的栅极；在暴露的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层和掩膜层远离衬底的一侧形成第一保护层；刻蚀第一保护层，保留掩膜层和栅极的两侧壁的第一保护层；两...
    2025-12-30
  • 全二维垂直结构金属-半导体场效应晶体管及其制备方法
    全二维垂直结构金属-半导体场效应晶体管及其制备方法_北京大学_202511255858.7
    本发明公开了一种全二维垂直结构金属‑半导体场效应晶体管及其制备方法。本发明在衬底的表面形成垂直堆叠的源极、下隔绝层、漏极和上隔绝层，形成倾斜侧壁，沟道覆盖倾斜侧壁，栅极与沟道的自对准，半金属的栅极与半导体的沟道直接接触形成肖特基结；本发明基...
    2025-12-30
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511162071.6
    制造半导体器件的方法包括：形成包括设置在衬底上方的栅极结构和源极/漏极区域的半导体器件结构，其中，源极/漏极区域嵌入在半导体器件结构中。在源极/漏极区域上方的半导体器件结构中形成开口。掺杂剂注入至开口的侧壁中。开口在源极/漏极区域上方扩大。...
    2025-12-30
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511158610.9
    本发明涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，其中，半导体器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上，形成层叠结构，层叠结构包括硅层、第一硅锗层以及介于二者之间的锗缓冲层；其中，锗缓冲层为纯锗层或第二硅锗层，锗缓冲层与第一硅锗层的界面两侧的...
    2025-12-30
  • 改善功率器件漏极漏电的方法
    改善功率器件漏极漏电的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511105753.3
    本申请公开了一种改善功率器件漏极漏电的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成硬掩模氧化物层后，以此为掩模对衬底进行蚀刻形成沟槽；关键在于，在形成沟槽后，对硬掩模氧化物层执行不完全去除，以在沟槽的拐角处的半导体衬底上表面保留一预定厚度的氧化物。...
    2025-12-30
  • 半导体结构以及其制作方法
    半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410842089.X
    本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括下列步骤。提供半导体基底，且半导体基底包括鳍状结构。在鳍状结构上形成硅锗外延结构，在硅锗外延结构上形成硅盖层，并在硅盖层上形成氧化物盖层。一种半导体结构包括半导体基底、硅锗...
    2025-12-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202410757302.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍片结构，所述鳍片结构两侧的半导体衬底表面还形成有底部间隔层；栅极结构，位于所述底部间隔层表面以及部分所述鳍片结构侧壁；第一介质层，位于所述栅极结构表...
    2025-12-30
  • 环绕栅极晶体管的形成方法
    环绕栅极晶体管的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410749610.5
    一种环绕栅极晶体管的形成方法，方法包括：在标准单元区的第一器件区的基底顶部形成凸立的第一叠层结构，在存储单元区的第二器件区和第二隔离区的基底顶部形成第二叠层结构；在第一叠层结构和第二叠层结构露出的基底上形成覆盖第一叠层结构和第二叠层结构侧壁...
    2025-12-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海光通信有限公司_202410684360.1
    一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底的第一面形成第一应力层；在所述半导体基底的与第一面相背的第二面形成第二应力层，所述第二应力层提供的应力的应力类型与所述第一应力层提供的应力的应力类型相同；对所述半导体...
    2025-12-30
  • 双极性晶体管及其制备方法、电子设备
    双极性晶体管及其制备方法、电子设备_广东芯粤能半导体有限公司_202511306550.0
    本申请涉及一种双极性晶体管及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底，衬底的顶面包括沿背离衬底的方向依次排列的漂移层、基极层及发射极层；形成覆盖发射极层及基极层顶面的掩模层；于掩模层内形成环绕发射极层且沿发射极层的径向排列的初始沟槽及光刻胶层；...
    2025-12-30
  • IGBT器件的制造工艺
    IGBT器件的制造工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511234807.6
    本申请公开了一种IGBT器件的制造工艺，包括：提供成对的晶圆，所述晶圆包括衬底和形成在所述衬底上的外延层，所述外延层中形成有深沟槽结构，其中，成对的所述晶圆包括第一晶圆和第二晶圆；对所述第一晶圆和第二晶圆进行正面键合工艺，使得所述第一晶圆中...
    2025-12-30
  • 非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法
    非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511186944.7
    本发明提供一种非对称深沟槽结构的逆导绝缘栅双极晶体管及其设计方法。该方法包括：提供限定多个深沟槽位置的光罩层版图；修改该版图，将至少一个深沟槽的位置进行偏移，形成非对称的深沟槽排布；基于该非对称排布，在深沟槽底部形成第一注入区，并在其间形成...
    2025-12-30
  • 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法
    一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511407472.3
    一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极层上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局...
    2025-12-30
  • 赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法
    赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511370948.0
    本发明公开了一种赝栅型抗辐射加固高压IGBT结构及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域；本发明提出的IGBT结构基于沟槽栅型IGBT结构，将部分沟槽栅替换为深沟槽赝栅，深沟槽赝栅的沟槽内部全部填充绝缘氧化物形成赝栅，深沟槽赝栅位于N型漂移...
    2025-12-30
  • 一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法
    一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511370947.6
    本发明公开了一种抗辐射加固IGBT结构及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域；IGBT结构包括集电极、半导体层、沟槽栅和发射极，半导体层的P型集电区设有多个深掺杂区，深掺杂区沿垂直于N型缓冲区界面的方向嵌入N型缓冲区并延伸至N型漂移区的内...
    2025-12-30
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_南京南瑞半导体有限公司_202511274068.3
    本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法，在晶圆衬底表面设置金属层通过打孔的方式与衬底进行欧姆接触，形成发射极和栅电极，在不同电极的金属间隙填充一种低温工艺绝缘材料，防止金属之间间距过近造成GE短接，高度与金属层一致，使表面金属不存在台阶；...
    2025-12-30
  • 一种IGBT元胞
    一种IGBT元胞_南京南瑞半导体有限公司_202511265061.5
    本发明公开了一种IGBT元胞，包括集电极结构、N‑漂移区、发射极结构和栅极结构；所述N‑漂移区布置在集电极结构上方，发射极结构和栅极结构布置在N‑漂移区上方；所述栅极结构采用沟槽栅结构，包括若干平行布置的深沟槽栅和浅沟槽栅，通过调整深沟槽的...
    2025-12-30
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