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  • 本申请涉及测试设备领域,提供一种测试治具。该测试治具包括:上针板组件,上针板组件包括上针板和安装在上针板上的第一探针;承载件,承载件与上针板连接,承载件用于承载主板;治具本体,治具本体包括底座、下针板及U型块,下针板和U型块位于底座上,且下...
  • 本发明公开了一种少子寿命检测方法,涉及半导体检测技术领域,该方法包括S1、准备测试样品;S2、通过样品与电极间的电容耦合,将所得到的光电导信号调制在10‑10.5GHz高频载波上;S3、将光电导信号取出;S4、利用25‑35MHz的高频电源...
  • 本发明公开了一种监测参数确定方法、热疲劳老化监测方法及相关装置,本发明将散热时发射极侧和集电极侧之间的相互影响等效为热源,构建冷却过程下压接型IGBT模块的热网络模型,基于热网络模型求解热源模型,进而进一步获得壳温模型,在壳温模型中确定表征...
  • 本发明涉及晶闸管在线监测技术领域,公开了在线监测晶闸管阀组异常的系统、方法,包括:主控制器通过控制单元向各个晶闸管阀组发出驱动触发信号;驱动检测模块采集晶闸管阀组对应的驱动触发信号,输出驱动检测信号并反馈至控制单元;阀组检测模块检测晶闸管阀...
  • 本发明公开了一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法,属于半导体器件测试技术领域。该方法在不同测试环境温度下对待测试氧化镓功率器件进行时段性功率损耗测试,获取第一功率损耗分析数据;基于此在不同测试环境湿度下进行测试,获取第二功率损耗分析数据;最...
  • 本发明公开了用于超级结MOS器件的老化性能评估方法及平台,涉及性能评估技术领域,包括:进行测试场景匹配,得到目标加速测试场景组;依据目标加速测试场景组调取多个老化趋势曲线;本地调用待测试超级结MOS器件的历史运行数据集;对历史运行数据集进行...
  • 本发明涉及IGBT模块测试领域,具体是一种IGBT模块连续测试设备,包括转体,转体架设在支撑板上,且转体的两端面边缘均匀开设多个物料槽,转体的外圈表面开设多组让位口,每个物料槽用于放置IGBT模块;所述转体的上方设置测试组件,测试组件包括升...
  • 本申请属于集成电路测试技术领域,具体公开了一种功率半导体器件的动态测试方法、装置、设备及存储介质。通过本申请,在预测试阶段,通过施加当前多电平驱动波形对被测功率半导体器件进行双脉冲测试,基于目标映射模型确定电平驱动波形可调参数;在正式测试阶...
  • 本发明公开了一种功率器件的测试电路和测试方法,该电路中雪崩应力施加单元、被测功率器件和电流采样支路形成串联支路后,与续流支路并联于供电单元的两个供电端之间;测量支路与被测功率器件连接,测量被测功率器件的电信号;雪崩应力施加单元为被测功率器件...
  • 本发明提供一种适用于自举方案电机驱动器的功率自检方法,在时序设计时充分考虑了电机驱动器在功率母线电源正和负之间设计了吸收电容情况下,吸收电容的充放电时间对功率管自检的影响;设计了交替开通的方法,通过周期性交替地开通上管和下管,来实现自举电容...
  • 本发明公开了一种沟道迁移率测试方法、测试结构及其制作方法。所述沟道迁移率的测试方法包括:通过向至少两个不同半导体器件的所述源极、所述漏极和所述栅极结构施加测试电压,确定每一半导体器件的源极和漏极之间的电阻;其中,至少两个不同半导体器件中至少...
  • 本发明公开了一种沟道迁移率测试方法、测试结构及其制作方法。沟道迁移率测试方法包括:提供半导体器件;通过向至少两个不同半导体器件的所述源极、所述漏极和所述栅极结构施加测试电压,确定每一半导体器件的源极和漏极之间的电阻;其中,至少两个不同半导体...
  • 本申请公开了一种沟道迁移率测试方法及测试结构。测试方法包括:提供半导体器件,通过向至少两个半导体器件的所述源极、所述漏极和所述栅极施加测试电压,确定每一半导体器件的源极和漏极之间的电阻;其中,不同半导体器件的源极上施加的测试电压相同,不同半...
  • 本申请提供一种SiC MOSFET直流功率循环加速寿命测试系统及方法,包括直流电源、主功率电路、导通压降测量电路和控制器;主功率电路包括N个并联的器件子电路,每个器件子电路中设置一个SiC MOSFET;导通压降测量电路包括N个测量子电路,...
  • 本发明提供了一种利用应力波在局部频域的非线性特征监测功率器件状态的方法、设备、介质及产品,本发明的方法包括:获取被测功率器件在当前关断时刻释放的应力波信号;对应力波信号进行预处理,提取特征频段的应力波信号分量;对应力波信号分量进行频域分析,...
  • 本发明属于电气绝缘材料技术领域,公开了一种含气泡缺陷的环氧试样及其制备方法,向第一模具中浇注环氧材料,浇注完成后,沿环氧材料液面向下插入预设规格的气隙模拟嵌件并使其顶部高于液面;对第一模具中的环氧材料进行排气、固化处理,之后将气隙模拟嵌件取...
  • 本发明提出了一种低温环境下的GIS设备介电击穿检测方法及装置,属于电力设备检测技术领域,包括:通过采集设备在低温环境下的电气运行参数和绝缘状态数据,生成温度补偿参数;对电气运行参数进行击穿事件频次统计提取击穿概率分布,构建多级加压传播网络生...
  • 本发明提供了一种基于超声多普勒效应的变压器内部放电气泡的测量方法,属于变压器非侵入检测技术领域。包括:利用多普勒超声探测装置捕捉变压器油中气泡的声波信号;根据所接收的多个反射声波信号之间的时间差定位气泡位置;基于气泡位置,并根据声波信号的多...
  • 本发明公开了一种煤矿用动力电缆的绝缘故障检测方法及系统,涉及绝缘故障检测技术领域。方法包括:基于煤矿电缆的绝缘故障事件集进行长短期特征解析,构建长短期监测窗口;对煤矿电缆进行监测,获得第一电缆监测数据分布和第二电缆监测数据分布;对煤矿电缆进...
  • 本发明涉及电力设备技术领域,公开了一种高压绝缘操作设备,包括操作台,操作台的上方固定连接有双轴轴承座,双轴轴承座的轴杆外壁固定连接有绝缘斜板,绝缘斜板分为上半端与下半端,绝缘斜板的上下半端之间对称固定连接有导电支撑具,操作台的上表面设置有测...
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