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曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备
本申请涉及一种曝光辅助图形的确定方法、装置和计算机设备,包括:获取锚图形的光强分布曲线,以及锚图形在目标曝光剂量下的目标关键尺寸;目标曝光剂量为标准曝光剂量范围的上限值或者下限值;根据目标关键尺寸和光强分布曲线,确定目标光强度阈值;对初始版...
基于AI优化的Micro-LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质
本申请公开了一种基于AI优化的Micro‑LED无掩膜数字光刻方法、设备和存储介质,涉及光刻领域,该方法包括获取目标光刻性能参数和双向神经网络,双向神经网络包括正向网络和反向网络,正向网络被训练为能够根据光刻工艺参数预测对应的光刻性能参数,...
优化芯片光刻工艺窗口的方法
本发明公开了一种优化芯片光刻工艺窗口的方法,包括:提供定义出位于主图形外侧的亚分辨率辅助图形设置区域图形的第一掩模版。在底层结构上形成硬质掩膜层。采用第一掩模版进行第一次光刻加第一次刻蚀以对硬质掩膜层进行图形化。提供定义出主图形和亚分辨率辅...
光刻工艺中曝光能量的预测方法
本发明提供一种光刻工艺中曝光能量的预测方法,通过建立光刻制程中相应的光刻胶层涂覆/软烘步骤结束后到下一步骤开始之间的等待时长Q‑Time与PR光刻胶层关键尺寸CD之间的关系模型,然后将相应的光刻胶层超过安全Q‑Time时对应呈单调变化的PR...
将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略
本申请涉及将带电粒子束计量系统的充电效果和辐射损害最小化的扫描策略。提供具有用于测量至少两个叠对方向上的叠对的多个周期性结构的目标。在第一方向上横跨该目标的多个扫描刈并且相对于该目标以第一倾斜角扫描带电粒子束,使得以一定角度扫描该周期性结构...
超分辨双重图形加工方法
本公开提供一种超分辨双重图形加工方法,包括:在衬底上形成层叠的停止层、牺牲层、感光膜层和成像增强层;对准掩模与衬底,对感光膜层进行曝光,显影后形成光栅图形;在光栅图形线条的两侧沉积抗刻蚀层,刻蚀线条缝隙中的抗刻蚀层和感光膜层,形成线宽修饰后...
超快激光高效图案化光刻系统及方法
本发明公开了一种超快激光高效图案化光刻系统及方法,超快激光高效图案化光刻系统包括超快激光器、激光调节组件、空间光场整形器件和加工平台;超快激光器适于发射超快激光束;激光调节组件适于调整超快激光束的参数;空间光场整形器件适于将超快激光束调整为...
自动校平放料装置
本发明提供了一种自动校平放料装置,包括由上往下依次设置的校正机构、放料机构、调节定位机构、水平调整机构和升降调整机构。放料机构用于放置衬底。校正机构包括支撑架、吸附组件和校正组件。吸附组件呈滑动地设置于支撑架上并能滑动至放料机构的上方,吸附...
一种降低对准误差的硅片对准标记结构设计方法
本发明公开了一种对准标记结构设计方法。包括:获取待优化的光栅对准标记结构的周期数值P,将每个周期内的刻线结构细分为2i‑1个子刻线;该2i‑1个子刻线关于中心垂线对称分布,子刻线包括关于待优化的光栅对准标记结构的中心垂线对称的第一子刻线以及...
一种复合型线路板的制作曝光检测方法及系统
本发明适用线路板检测技术领域,提供了一种复合型线路板的制作曝光检测方法及系统,方法包括:获取对线路板进行曝光的标准能量;对线路板进行多光谱扫描成像获得线路板的场均匀性因子和线路板的层间图像;计算曝光点的初始能量;获取线路板的层间图像并进行叠...
一种基于纳米薄膜复合材料的柔性电子器件制造系统
本申请公开了一种基于纳米薄膜复合材料的柔性电子器件制造系统,包括:双工位交替机构、翻转承载机构和曝光光源,其中,双工位交替机构的两个工位可交替移动至曝光光源正下方;两个翻转承载机构分别设置在两个工位上;每个翻转承载机构均包括有可横向滑动于工...
检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件
一种检查薄膜与微影系统组件的方法及其组件。检查EUV薄膜的实施例方法包括以下步骤:通过使第一辐射照射该EUV薄膜来产生多个强度量测,这导致该EUV薄膜产生第二辐射;及量测该第二辐射的强度。该方法进一步包括以下步骤:根据所述多个强度量测判定时...
一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置
本申请公开一种用于产生EUV光的转动式锡丝靶及EUV光产生装置,其包括:锡丝卷定位机构,其上可转动地设置有锡丝卷;供料机构,位于锡丝卷定位机构的一侧,并具有锡丝容纳位;轰击定位机构,位于锡丝卷定位机构的一侧;锡丝缠绕布置于轰击定位机构上并穿...
DLP投影光刻系统中双分离式组合镜头及其应用
本发明公开了一种基于双分离式组合镜头的数字光处理(DLP)投影光刻系统及其组合应用方法,属于微纳米制造技术领域。针对现有DLP光刻系统因整体式投影镜头导致功能扩展受限和倍率调节受限的技术瓶颈,本发明提出由物方前镜组和像方后镜组构成的双分离式...
图形量测方法、存储介质及终端
一种图形量测方法、存储介质及终端,其中图形量测方法包括:获取若干栅极收缩图像,若干所述栅极收缩图像包括若干校准组栅极收缩图像和若干量测组栅极收缩图像;提取各个所述校准组栅极收缩图像的第一开口轮廓图形;基于手动量测,获取各个所述校准组栅极收缩...
对准标记线宽的测量方法及其测量系统
本申请公开了一种对准标记线宽的测量方法及其测量系统,涉及半导体技术领域。测量方法包括:获取多个预设线宽不同的预设对准标记对应的预设参数信息,预设参数信息包括预设对准标记的预设线宽、预设深度和预设占空比,预设对准标记所在覆盖膜层的预设厚度和预...
标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品
本公开涉及一种标记自动摆放方法及其装置、设备、存储介质、程序产品。该标记自动摆放方法包括:获取光刻层中待摆放标记的标记特征信息表;基于标记特征信息表在光刻版图中划分出待摆放标记的摆放区域;获取待摆放标记在光刻版图中的绝对摆放位置信息,并根据...
一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法
本发明提供了一种光刻胶前处理工艺提升微纳结构光滑度的方法,具体是对光刻胶在刻蚀前进行表面处理的工艺方法,该方法是在现有的纳米金属氧化物类光刻胶工艺中,在其处于较宽的工作窗口的光刻胶方法上,增加对光刻胶膜进行等离子体表面处理的步骤,实现等离子...
基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法
本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种基于双层光刻胶的金属膜图形制备方法,该方法包括:清洗透明衬底;在所述透明衬底上旋涂第一光刻胶层,并烘烤;在所述第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层,并烘烤,得到双层胶结构;基于预设的金属图形,对所述双层胶结...
一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线
本发明公开了一种玻璃丝印网版涂胶曝光生产线,网版通过粘网装置粘网后再移送至感光胶涂刷装置涂胶,最后再送入到网版曝光台进行曝光,粘网装置包括外框架、内框架和网框放置平台,内框架安装在外框架内,内框架内安装有若干粘网气缸,网框放置平台安装在粘网...
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