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  • 本发明涉及节能材料技术领域,具体涉及一种轻质高强低导热喷涂料及其制备工艺,所述喷涂料原料含有以下成分:3~5mm聚轻砖颗粒、1~3mm聚轻砖颗粒、1~3mm氧化锆空心球、0.5~1mm氧化锆空心球、高精微珠、粉煤灰、硅藻土、海泡石、氧化锆纤...
  • 本申请提供一种改善HTCC基板表面平整度的方法,基板成品厚度为n,其特征在于,包括以下步骤:第一步,重叠n‑1层厚度为a的生瓷带,并在顶部重叠z层厚度为b的生瓷带,且b>a,相邻生瓷带之间设有介质层;第二步,烧结,形成基板半成品,烧结温度为...
  • 本发明公开了氮化硅复合材料领域的一种用于分级轮的氮化硅复合材料及其制备方法,本发明通过硅烷氨解形成主链含苯环的聚硅氮烷结构,与金属离子进行配位掺杂和二异氰酸酯的交联反应,引入金属离子和有机碳链结构,最终形成含金属和有机碳的三维交联聚硅氮烷前...
  • 本发明涉及一种氮化铝造粒粉的制备方法,所述制备方法包括(1)将高纯氮化铝粉与分散剂、粘结剂、有机溶剂混合后,进行研磨处理,得到研磨后浆料;(2)对所述研磨后浆料进行喷雾造粒,得到所述氮化铝造粒粉;所述有机溶剂为无水乙醇和异丙醇的混合溶剂;所...
  • 本发明公开了一种接枝改性提高导电性的超高温陶瓷薄膜及其制备方法,涉及超高温陶瓷制备技术领域。该方法包括以下步骤:将SiHfBCN陶瓷先驱体聚合物、MWCNTs‑COOH和曲拉通X‑100搅拌分散于甲苯中,然后加入2‑苄基‑2‑二甲基氨基‑4...
  • 本发明公开了一种碳源掺杂的结构化SiOC陶瓷及其制备方法和应用,涉及陶瓷技术领域。该方法包括制备SiOC陶瓷前驱体溶液;将碳源材料均匀分散于SiOC陶瓷前驱体溶液中,获得掺杂溶液;将掺杂溶液采用3D打印技术获取具有负泊松比结构的SiOC前体...
  • 本发明属于无机非金属材料技术领域,公开了一种3D打印高热导前驱体转化碳化硅陶瓷及其制备方法与应用,包括如下步骤:将碳化硅粉体、改性B4C纳米粉和聚碳硅烷粉体按比例加入过量芳香烃类或/和氯代烃类有机溶剂中,惰性气氛下搅拌均匀后,放入行星球磨机...
  • 本申请属于碲化锗热电材料领域,具体涉及多孔碲化锗热电材料及其制备方法。该方法包括:将单质粉末原料和氟化物进行球磨,得到混合粉末;将所述混合粉末进行烧结,得到碲化锗热电材料预制体;将所述碲化锗热电材料预制体进行退火处理,得到多孔碲化锗热电材料...
  • 本发明属于热电材料领域,具体涉及一种AgSbTe2基热电材料及其制备方法和应用。为了解决AgSbTe2基材料高温下热稳定性较差的问题,本发明提供一种AgSbTe2基热电材料,所述AgSbTe2基热电材料的化学组成为(Ag1‑xSb1+x)1...
  • 本发明公开了一种稀土硅酸盐‑稀土铝酸盐梯度复相陶瓷材料及其制备方法和应用,属于陶瓷材料技术领域。上述稀土硅酸盐‑稀土铝酸盐梯度复相陶瓷材料为由RE2SiO5和Al2O3经反应烧结处理生成的梯度复相陶瓷材料,所述梯度复相陶瓷材料的化学组成为R...
  • 本发明属于功能陶瓷技术领域,公开了一种钛酸锶‑铝酸钕基微波介电陶瓷及其制备方法、通信器件。该微波介电陶瓷的化学通式为0.5SrTiO3‑0.5NdAlO3‑ywt%Ga2O3,其中:0.5≤y≤2.5。本发明通过引入Ga2O3作为掺杂剂,G...
  • 本发明公开了一种高压电系数无铅压电陶瓷及其制备方法和应用,涉及材料科学与工程技术领域。该高压电系数无铅压电陶瓷的化学通式为0.965(K0.45Na0.55)(Nb0.96Ta0.04)O3‑0.035Bi0.5Na0.5ZrO3‑0.3%...
  • 本申请提供一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用,陶瓷材料的压电常数d33≥320pC/N,机械品质因数Qm≥1090,介电损耗tanδ≤1.8%。该无铅压电陶瓷材料特殊的性能参数使其在保持环境友好的前提下,能够有效提高能量转化效率、减少产...
  • 本发明属于高放射性固态核废料固化处理领域,公开了一种Zr位固溶强化钙钛锆石陶瓷的固化体及其制备方法和应用。所述固化体的化学式为Ca1‑xCex(Zr, Hf, Sn)yTi3‑2x‑yAl2xO7,其中x=0.05~0.3, y=1~2。该...
  • 本发明提供一种牙科切削加工用氧化锆预烧结体,其无需通过特定的着色材料、稳定化材料来限定层叠的粉末组成,能够制造翘曲少的牙科切削加工用氧化锆预烧结体,完全烧结后无畸变。牙科切削加工用氧化锆预烧结体的制造方法,在形成第二层以后的层的工序中,用于...
  • 本发明提供了一种Sb3+/Ta5+共掺杂钛酸铋基压电陶瓷,其化学式为Bi4Ti3‑2x(SbTa)xO12;其中0.01≤x≤0.03。本发明提供的Sb3+/Ta5+共掺杂调控方法,通过增大晶格畸变、降低氧空位浓度,在保证材料结构相对稳定与...
  • 本发明公开了一种钛酸铋钠基弛豫铁电体陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料化学式为y[(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa0.7Sr0.3TiO3]‑(1‑y)Ba(Mg1/3Nb2/3)O3‑z wt% MO,其中,0.1≤x<0....
  • 本发明提供一种超高介电常数和低损耗钛酸钡陶瓷的焦耳热超快烧结制备方法,将钛酸钡粉末与氧化铜粉末进行球磨混合,烘干,压制成饼状制样经冷等静压后得到制样片,对焦耳热超快烧结设备进行真空处理,将制样片放于两层石墨毡中间,启动焦耳热超快烧结设备使得...
  • 本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及一种用于污水处理系统的高性能陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的高性能陶瓷材料包括:y BaTiO3‑(1‑y)Bi(Ni0.5Sn0.5)O3,且所述高性能陶瓷材料每摩尔还掺杂有x%的MnO2;y为摩尔百...
  • 本发明属于电子材料技术领域,具体为一种耐超高温高熵陶瓷碳化物复合吸波材料及其制备方法。该复合吸波材料含有三层结构,分别为氮化硼高熵陶瓷层、低碳含量高熵陶瓷碳化物层以及高碳含量高熵陶瓷碳化物层。结合阻抗匹配原理及时域有限差分法对复合吸波材料的...
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