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最新专利技术
  • 具有改进的释放速率和降解性质的包含醛的组合物
    具有改进的释放速率和降解性质的包含醛的组合物_FMC农业解决方案股份有限公司_202480017626.5
    本文描述了包括醛的组合物。所述组合物具有改进的醛的释放速率和降解性质。本文还描述了改变组合物中醛的蒸发速率的方法。本文还描述了用所述组合物防治害虫的方法。
    2025-12-01
  • 水生生物养殖用的电解装置、水生生物养殖用的循环式水处理系统、以及水生生物养殖用的电解方法
    水生生物养殖用的电解装置、水生生物养殖用的循环式水处理系统、以及水生生物养殖用的电解方法_株式会社碧水科技_202480027308.7
    构成电解装置的至少一部分的电解部(13)在饲育水被留存或者流动的区域中，通过电解饲育水而产生氯氧化合物，对饲育水内的氨或者铵离子进行分解。电解部(13)具有：电极部(55)其具有配置于上述区域的第一电极(55A)以及第二电极(55B)；以及...
    2025-12-01
  • 鸟群健康
    鸟群健康_昕诺飞控股有限公司_202480026183.6
    一种确定鸟群的健康状态的方法包括记录区域的多个图像。在多个图像中的每个图像中，识别在其内存在鸟群的相应图像子区域。在每个图像子区域中，识别在其内存在羽毛的至少一个羽毛图像区域。为每个羽毛图像区域确定相应的反射率值样本，并且基于反射率值样本计...
    2025-12-01
  • 新型无孢子侧耳属菌株
    新型无孢子侧耳属菌株_索米赛尔公司_202480028852.3
    本发明涉及一种命名为FiBABH‑334的新型无孢子侧耳属菌株，其代表性培养物已于2023年3月21日保藏于法国国家微生物保藏中心(CNCM)，Institut Pasteur, 25 rue du Docteur Roux, 75724 ...
    2025-12-01
  • 用于将液体制剂递送至植物基质的装置
    用于将液体制剂递送至植物基质的装置_马尔科·科斯蒂茨_202480023324.9
    一种装置和操作该装置的方法，该装置呈管形式，管具有管腔以及用于将液体制剂递送至植物基质的第一端部和第二端部，其中管包括：在管腔中的流动控制元件，其在与液体制剂接触时吸收液体并膨胀以减小液体制剂从管腔的一部分到第一端部的流动速率；以及在第一端...
    2025-12-01
  • 板及多层板结构
    板及多层板结构_林儿庆_202480024885.0
    本发明提供一种板。板包括主要本体，主要本体包含：顶面、与顶面相对的底面，从而顶面包括顶部周边边缘且底面包括底部周边边缘；边界壁，其自顶部周边边缘延伸至底部周边边缘；多个互锁构件，其沿边界壁形成，适于与另一板的相应的多个互锁构件接合；至少一个...
    2025-12-01
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410713647.2
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一沟槽、一电容结构以及一孔洞。沟槽形成于一基底中。电容结构设置于沟槽中。孔洞位于电容结构中，其中电容结构的一材料层于沟槽中接触结合而封闭孔洞的一顶端。
    2025-12-01
  • 一种柔性忆阻器及其制备方法
    一种柔性忆阻器及其制备方法_深圳大学_202510937755.2
    本发明公开一种柔性忆阻器及其制备方法，涉及电子器件技术领域。柔性忆阻器包括依次层叠设置的柔性衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层包括由金属离子与有机配体通过配位作用而形成的二维π共轭金属有机框架材料；金属离子包括镍离子、铜离子、钴离子、锌离...
    2025-12-01
  • 一种忆阻器及其制备方法和应用
    一种忆阻器及其制备方法和应用_宁波大学_202510936664.7
    本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，包括由下至上层叠设置的底电极、阻变功能层以及顶电极，阻变功能层由两层Al2O3层和一层Ti层层叠构成，Ti层设置在两层Al2O3层之间，该忆阻器能够用于斑纹蝶行为异源突触仿生；优点是具有高耐久性和高...
    2025-12-01
  • 一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置
    一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置_北京理工大学_202510911398.2
    本发明实施例公开一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置。铁电畴壁神经突触器件包括铁电畴壁单元和电场形成单元；所述铁电畴壁单元包括依次层叠设置的单晶基底层、底电极层和铁电材料层；所述电场形成单元用于根据接收的脉冲信号形成等效电场并...
    2025-12-01
  • 一种二维半导体材料相变工程应用
    一种二维半导体材料相变工程应用_绍芯实验室_202511124364.5
    本发明公开了一种二维半导体材料相变工程应用，涉及半导体器件制造领域，其技术方案要点是：在衬底上生长单层二维半导体材料2H相二硫化钼；在二维半导体材料两侧开出源漏窗口，干法蚀刻将二维半导体材料2H相二硫化钼完全蚀刻干净；通过图形化方法，在二维...
    2025-12-01
  • 一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用
    一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用_西湖大学_202511108984.X
    本发明涉及一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用，属于忆阻器技术领域。该单晶氧化铌忆阻器神经元器件，从下至上依次设置有衬底、底电极层、阻变层和顶电极层；所述阻变层为单晶二氧化铌层，所述单晶二氧化铌层中铌原子和氧原子的个数比为15‑...
    2025-12-01
  • 一种约瑟夫森结及其制备方法
    一种约瑟夫森结及其制备方法_材料科学姑苏实验室_202511177090.6
    本发明提供一种约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括设置于第一超导薄膜层和第二超导薄膜层之间的势垒层；所述势垒层包括氧化层、氮化层、非晶金属或非晶合金层中的任意一种。该约瑟夫森结通过辅助方法设置高致密性、高平整度和优良物理化学性质的势垒层及改善第一...
    2025-12-01
  • 一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法
    一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511162864.8
    本发明提供了一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法，通过在衬底上依次原位生长制备第一层超导薄膜、电介质层薄膜、第二层超导薄膜、势垒层薄膜、第三层超导薄膜形成多功能超导异质薄膜复合结构。其中，第一层超导薄膜‑电介质层薄膜‑第二层超导...
    2025-12-01
  • 一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质
    一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质_量子科技长三角产业创新中心_202510995564.1
    本发明公开了一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质，制备方法为清洁衬底后形成超导金属层，涂光刻胶光刻显影得底层电路图形，干法刻蚀至预定厚度后去胶清洗，再湿法刻蚀完全去除剩余金属并清洗。制备装置包括蒸镀、光刻、干法刻蚀以及湿法刻蚀设...
    2025-12-01
  • 一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用
    一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用_季华实验室_202511516152.1
    本发明涉及磁码盘材料技术领域，具体公开了一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用，其中，人形机器人执行器用磁码盘材料包括依次层叠设置的基底、Bi层、AlNiFeCo薄膜、Nb层以及Ta层。本发明提供的新型结构设计，引入Bi层和Nb...
    2025-12-01
  • 一种异质集成复合衬底及其制备方法
    一种异质集成复合衬底及其制备方法_达波科技(上海)有限公司_202511517220.6
    本发明提供了一种异质集成复合衬底及其制备方法，涉及光电子和射频声学器件技术领域。异质集成复合衬底从下到上依次包括衬底层、多晶硅层、梯度折射率SiO2缓冲层以及压电材料层；其中，梯度折射率SiO2缓冲层从下到上包括第i子层且折射率呈梯度上升，...
    2025-12-01
  • 一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法
    一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511148098.X
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板进行底部电极沉积与图案化处理；S2：铺设PVDF层；S3：顶部电极沉积与图案化处理；S4：进行钝化打印，得到钝化层；S5：使用焊盘和芯...
    2025-12-01
  • 一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法_南昌大学_202511186432.0
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法，包括聚(3‑己基噻吩)溶液与主体溶剂氯仿、客体溶剂正己烷或异丙醇的配制；薄膜器件的制备。本发明相较于以往的增强聚合物结晶性与均匀性的方法，具有以下特点：(1)避免了复杂的分子设计；(2)相较于复...
    2025-12-01
  • 一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜
    一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜_上海阿波罗机械股份有限公司_202511126580.3
    本申请涉及薄膜热电材料技术领域，具体公开了一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法，具体制备方法流程为：S1，衬底清洗；S2，衬底放置；S3，抽真空；S4，衬底除气；S5，蒸发源加热；S6，薄膜生长；S7，薄膜冷却；S8，取出样品。本申请以上述分子...
    2025-12-01
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