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最新专利技术
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410713647.2
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一沟槽、一电容结构以及一孔洞。沟槽形成于一基底中。电容结构设置于沟槽中。孔洞位于电容结构中，其中电容结构的一材料层于沟槽中接触结合而封闭孔洞的一顶端。
    2025-11-30
  • 一种柔性忆阻器及其制备方法
    一种柔性忆阻器及其制备方法_深圳大学_202510937755.2
    本发明公开一种柔性忆阻器及其制备方法，涉及电子器件技术领域。柔性忆阻器包括依次层叠设置的柔性衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层包括由金属离子与有机配体通过配位作用而形成的二维π共轭金属有机框架材料；金属离子包括镍离子、铜离子、钴离子、锌离...
    2025-11-30
  • 一种忆阻器及其制备方法和应用
    一种忆阻器及其制备方法和应用_宁波大学_202510936664.7
    本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，包括由下至上层叠设置的底电极、阻变功能层以及顶电极，阻变功能层由两层Al2O3层和一层Ti层层叠构成，Ti层设置在两层Al2O3层之间，该忆阻器能够用于斑纹蝶行为异源突触仿生；优点是具有高耐久性和高...
    2025-11-30
  • 一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置
    一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置_北京理工大学_202510911398.2
    本发明实施例公开一种铁电畴壁神经突触器件及其调控方法和神经网络装置。铁电畴壁神经突触器件包括铁电畴壁单元和电场形成单元；所述铁电畴壁单元包括依次层叠设置的单晶基底层、底电极层和铁电材料层；所述电场形成单元用于根据接收的脉冲信号形成等效电场并...
    2025-11-30
  • 一种二维半导体材料相变工程应用
    一种二维半导体材料相变工程应用_绍芯实验室_202511124364.5
    本发明公开了一种二维半导体材料相变工程应用，涉及半导体器件制造领域，其技术方案要点是：在衬底上生长单层二维半导体材料2H相二硫化钼；在二维半导体材料两侧开出源漏窗口，干法蚀刻将二维半导体材料2H相二硫化钼完全蚀刻干净；通过图形化方法，在二维...
    2025-11-30
  • 一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用
    一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用_西湖大学_202511108984.X
    本发明涉及一种单晶氧化铌忆阻器神经元器件及其制备方法和应用，属于忆阻器技术领域。该单晶氧化铌忆阻器神经元器件，从下至上依次设置有衬底、底电极层、阻变层和顶电极层；所述阻变层为单晶二氧化铌层，所述单晶二氧化铌层中铌原子和氧原子的个数比为15‑...
    2025-11-30
  • 一种约瑟夫森结及其制备方法
    一种约瑟夫森结及其制备方法_材料科学姑苏实验室_202511177090.6
    本发明提供一种约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括设置于第一超导薄膜层和第二超导薄膜层之间的势垒层；所述势垒层包括氧化层、氮化层、非晶金属或非晶合金层中的任意一种。该约瑟夫森结通过辅助方法设置高致密性、高平整度和优良物理化学性质的势垒层及改善第一...
    2025-11-30
  • 一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法
    一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511162864.8
    本发明提供了一种多功能超导异质薄膜复合结构、器件及其制备方法，通过在衬底上依次原位生长制备第一层超导薄膜、电介质层薄膜、第二层超导薄膜、势垒层薄膜、第三层超导薄膜形成多功能超导异质薄膜复合结构。其中，第一层超导薄膜‑电介质层薄膜‑第二层超导...
    2025-11-30
  • 一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质
    一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质_量子科技长三角产业创新中心_202510995564.1
    本发明公开了一种超导量子芯片底层电路制备方法、系统及存储介质，制备方法为清洁衬底后形成超导金属层，涂光刻胶光刻显影得底层电路图形，干法刻蚀至预定厚度后去胶清洗，再湿法刻蚀完全去除剩余金属并清洗。制备装置包括蒸镀、光刻、干法刻蚀以及湿法刻蚀设...
    2025-11-30
  • 一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用
    一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用_季华实验室_202511516152.1
    本发明涉及磁码盘材料技术领域，具体公开了一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用，其中，人形机器人执行器用磁码盘材料包括依次层叠设置的基底、Bi层、AlNiFeCo薄膜、Nb层以及Ta层。本发明提供的新型结构设计，引入Bi层和Nb...
    2025-11-30
  • 一种异质集成复合衬底及其制备方法
    一种异质集成复合衬底及其制备方法_达波科技(上海)有限公司_202511517220.6
    本发明提供了一种异质集成复合衬底及其制备方法，涉及光电子和射频声学器件技术领域。异质集成复合衬底从下到上依次包括衬底层、多晶硅层、梯度折射率SiO2缓冲层以及压电材料层；其中，梯度折射率SiO2缓冲层从下到上包括第i子层且折射率呈梯度上升，...
    2025-11-30
  • 一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法
    一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202511148098.X
    本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种超声波指纹识别芯片的超薄型封装方法，包括如下步骤：S1：玻璃基板进行底部电极沉积与图案化处理；S2：铺设PVDF层；S3：顶部电极沉积与图案化处理；S4：进行钝化打印，得到钝化层；S5：使用焊盘和芯...
    2025-11-30
  • 一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法_南昌大学_202511186432.0
    一种同时提高印刷热电薄膜结晶性与均匀性的方法，包括聚(3‑己基噻吩)溶液与主体溶剂氯仿、客体溶剂正己烷或异丙醇的配制；薄膜器件的制备。本发明相较于以往的增强聚合物结晶性与均匀性的方法，具有以下特点：(1)避免了复杂的分子设计；(2)相较于复...
    2025-11-30
  • 一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜
    一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法及单晶硒化锡热电薄膜_上海阿波罗机械股份有限公司_202511126580.3
    本申请涉及薄膜热电材料技术领域，具体公开了一种单晶硒化锡热电薄膜的制备方法，具体制备方法流程为：S1，衬底清洗；S2，衬底放置；S3，抽真空；S4，衬底除气；S5，蒸发源加热；S6，薄膜生长；S7，薄膜冷却；S8，取出样品。本申请以上述分子...
    2025-11-30
  • 一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法
    一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法_电子科技大学_202511125851.3
    本发明公开了一种基于咪唑类蓝光材料的有机双功能器件及其制备方法，属于有机光电子领域，该器件结构包括透明衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、界面激子调控层、有机活性层、电子传输层、电子注入层和阴极层，在外加正向电压的驱动下, 该有机双功能器...
    2025-11-30
  • 钙钛矿光伏器件及其制备方法
    钙钛矿光伏器件及其制备方法_浙江大学_202511517540.1
    本发明公开了一种钙钛矿光伏器件及其制备方法。钙钛矿光伏器件的空穴传输层采用具有支链刚性、头部功能性分子及螺手性特征的自组装单分子层材料制成。制备方法包括：在基底或含中间复合层的底部电池表面制备空穴传输层；将钙钛矿前驱体溶液滴在空穴传输层上，...
    2025-11-30
  • 一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法
    一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法_上海第二工业大学_202511175187.3
    本发明公开了一种A轴高度择优取向钙钛矿复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、在大气环境及室温条件下，采用旋涂技术涂敷一层钙钛矿前驱物，通过70℃左右的低温烘烤获得钙钛矿薄膜；S2、在真空条件下，通过磁控溅射沉积技术在钙钛矿薄膜表面制备厚度...
    2025-11-30
  • 一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统
    一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统_凯睿达(苏州)新能源科技有限公司_202511110243.5
    本发明涉及一种钙钛矿电池涂覆层结晶退火炉系统，它包括依次相邻设置的入料升降单元、预热腔单元、至少一个固化腔单元和冷却腔单元，所述入料升降单元用于提升载料工装并将所述载料工装输送至所述预热腔单元内，所述预热腔单元、至少一个所述固化腔单元和所述...
    2025-11-30
  • 一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法
    一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法_绍芯实验室_202510992262.9
    本申请涉及一种用于量子点薄膜的气相有机配体移除方法，该方法通过在密闭环境中加热苯等有机溶剂，使溶剂蒸汽缓慢作用于已沉积形成的量子点薄膜表面，实现有机配体的温和移除，解决了传统液相浸泡法导致薄膜龟裂的问题，能有效移除影响载流子传输的绝缘性有机...
    2025-11-30
  • 一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法
    一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法_西安电子科技大学_202511432009.4
    本发明公开了一种气液耦合定向外延钙钛矿梯度异质结的模组及方法，属于太阳能电池领域，制备方法包括将透明导电层分割为多个透明导电子层；制备空穴传输层；制备钙钛矿薄膜；对钙钛矿薄膜进行梯度异质结的定向外延从而完成表面平整化处理，得到表面平整的钙钛...
    2025-11-30
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