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最新专利技术
  • 基于演化建模的舆情智能推演与引导方法及系统
    基于演化建模的舆情智能推演与引导方法及系统_中国人民警察大学(公安部国际执法合作学院、中国维和警察培训中心)_202510836779.9
    一种基于演化建模的舆情智能推演与引导方法及系统，属于人工智能技术领域。方法包括如下步骤：根据负面情感文本建立负面情感动态演化模型；利用负面情感动态演化模型获取演化阶段的临界时间节点。本发明通过动态演化模型，实现负面情感演化关键时间节点的精准...
    2025-12-05
  • 一种全自动化桥梁健康检测梁底机器人及其使用方法
    一种全自动化桥梁健康检测梁底机器人及其使用方法_沈荣波_202510836927.7
    本发明涉及一种全自动化桥梁健康检测梁底机器人，包括由轮子、控制电机、旋转编码器、倾角传感器、摄像头、遮光罩、环形灯条、弹簧、压力传感器、控制器组成的全跨挠度及损伤检测装置，通过轮子靠在桥梁底部，摄像头拍摄图像具有固定缩放参数，便于衡量损伤程...
    2025-12-05
  • 一种大面积微单晶阵列加工方法
    一种大面积微单晶阵列加工方法_苏州仿生材料科学与工程中心_202510842512.0
    本发明公开了一种大面积微单晶阵列加工方法，该方法通过大面积微单晶阵列加工设备实现，所述设备包括：对准系统、对准平台、显示装置、控制装置、样品台以及操作装置；所述方法包括：S1、通过光刻和刻蚀加工出阵列硅柱模板；S2、将有机半导体溶液滴加在阵...
    2025-12-05
  • 一种有机偏振光电探测器的制备方法
    一种有机偏振光电探测器的制备方法_苏州仿生材料科学与工程中心_202510842511.6
    本发提供了一种有机偏振光电探测器的制备方法。其中，该方法包括：S1、制备有机偏振光电探测器的栅极和介电层；S2、通过光刻和刻蚀加工出阵列硅柱模板；S3、蒸镀金属制备电极；S4、将有机手性半导体溶液滴加在阵列硅柱模板上，盖上电极并用燕尾夹夹住...
    2025-12-05
  • 一种TOPCon电池及其制备方法
    一种TOPCon电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202510841517.1
    本发明提供了一种TOPCon电池及其制备方法，涉及太阳能电池的技术领域，包括硅基体；所述硅基体的背面依次叠层设置有背面本征非晶硅层和P型非晶硅层。本发明以背面本征非晶硅层(a‑Si:H(I))+P型非晶硅层(a‑Si:H(p))为背面钝化结...
    2025-12-05
  • 硼扩散吸杂方法及其在制备TOPCon电池中的应用和TOPCon电池的制备方法
    硼扩散吸杂方法及其在制备TOPCon电池中的应用和TOPCon电池的制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202510841849.X
    本发明提供了一种硼扩散吸杂方法及其在制备TOPCon电池中的应用和TOPCon电池的制备方法，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：(A)在硅基体的两面依次叠层制备第一隧穿氧化层和本征硅层；(B)对步骤(A)得到的硅基体依次进行硼扩散和吸...
    2025-12-05
  • 分步槽式清洗制绒方法及其在制备TOPCon双面Poly电池中的应用和TOPCon双面Poly电池
    分步槽式清洗制绒方法及其在制备TOPCon双面Poly电池中的应用和TOPCon双面Poly电池_环晟光伏(江苏)有限公司_202510841502.5
    本发明提供了一种分步槽式清洗制绒方法及其在制备TOPCon双面Poly电池中的应用和TOPCon双面Poly电池，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：对正面和背面开槽的硅片依次进行前清洗、抛光和制绒；其中，正面开槽和背面开槽区域均为非栅...
    2025-12-05
  • 异质结太阳能电池的制备方法和异质结太阳能电池
    异质结太阳能电池的制备方法和异质结太阳能电池_国电投新能源科技有限公司_202510839283.7
    本申请提供了一种异质结太阳电池的制备方法和一种异质结太阳能电池，包括：将硅片双面制绒；在硅片的第一面依次沉积第一本征非晶硅薄膜层和第一掺杂硅薄膜层；第二面依次沉积第二本征非晶硅薄膜层和第二掺杂硅薄膜层；在第一掺杂硅薄膜层和第二掺杂硅薄膜层上...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844887.0
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对的第一表面和第二表面；半导体本体还包括多个第一区和位于第一区侧壁的相连阻挡区；其中，第一区从终端区第一表面延伸至距离所述第二表面预设距离处；...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844398.5
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面；半导体本体还包括多个第一区；多个包覆结构，从终端区第一表面延伸...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844397.0
    本发明实施例公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面；半导体本体还包括多个第一区；多个包覆结构，从终端区第一表面...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844391.3
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括多个第一区和位于第一区侧壁的相连阻挡区；多个覆盖层，从终端区第一表面延伸至半导体本体中；每一覆盖层...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844387.7
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面；半导体本体还包括多个第一区；多个包覆结构，从终端区第一表面延伸至...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844386.2
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面，终端区第一表面设置有多个间隔排列的限位沟槽；半导体本体还包括多个...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844383.9
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面，终端区第一表面设置有多个间隔排列的限位沟槽，多个间隔排列的限位沟...
    2025-12-05
  • 半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
    半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844380.5
    本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面，终端区第一表面设置有多个间隔排列的限位沟槽，多个间隔排列的限位沟...
    2025-12-05
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844948.3
    本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体包括主体区和终端区，终端区环绕主体区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；终端区包括第一区、第二区和第三区，终端区的第一表面设置有沟槽，沟槽包...
    2025-12-05
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844897.4
    本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，半导体本体包括主体区和终端区，终端区环绕主体区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；终端区的第一表面还设置有至少一个沟槽，每一沟槽从第一表面...
    2025-12-05
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844894.0
    本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，半导体本体包括主体区和终端区，终端区环绕主体区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体为第一导电类型；终端区的第一表面设置有至少一个...
    2025-12-05
  • 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202510844891.7
    本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；终端区包括第一区和第二区，终端区的第一表面设置有沟槽，沟槽包括相互连通的第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽由第...
    2025-12-05
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