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最新专利技术
  • 用于锂电池热失控预警的自供电热电阵列制备方法及器件
    用于锂电池热失控预警的自供电热电阵列制备方法及器件_重庆长嘉汇新能源材料有限公司_202512038422.9
    本发明涉及功能材料与器件技术领域，尤其涉及用于锂电池热失控预警的自供电热电阵列制备方法及器件。将羧基化碳纳米管、1‑甲基咪唑三氟甲磺酸溶液与PEDOT/PSS水性分散液按特定质量比混合均匀，利用1‑甲基咪唑阳离子驱动PEDOT自组装有序生长...
    2026-04-11
  • 一种高性能PbTe-PbS热电材料及其电荷平衡掺杂制备方法
    一种高性能PbTe-PbS热电材料及其电荷平衡掺杂制备方法_四川文理学院_202511920254.X
    本发明公开了一种高性能PbTe‑PbS热电材料及其电荷平衡掺杂制备方法，涉及热电材料技术领域，按0.95 : 0.033 : 0.9 : 0.1 : 0.008的摩尔比例分别称取Pb粒、Sb粒、Te块、S片和Ag条，随后装入石英管中真空封管...
    2026-04-11
  • SWCNT/MBene复合热电薄膜及制备方法和应用
    SWCNT/MBene复合热电薄膜及制备方法和应用_东莞理工学院_202512009917.9
    本发明涉及热电功能材料技术领域，具体涉及SWCNT/MBene复合热电薄膜及制备方法和应用。以酸化P型掺杂的一维SWCNT为基底，负载二维MBene，热压成一维/二维混合结构，得到异质结结构的薄膜。其中，一维SWCNT提供良好的柔性骨架与导...
    2026-04-11
  • 基于Kagome晶格的极低温磁制冷材料的用途和装置
    基于Kagome晶格的极低温磁制冷材料的用途和装置_中国科学院物理研究所_202511678025.1
    本发明提供基于Kagome晶格的极低温磁制冷材料的用途和装置。具体地，本发明提供一种绝热去磁制冷装置，其包括极低温磁制冷工质，所述极低温磁制冷工质包含化学式为Gd3BWO9的基于Kagome晶格的极低温磁制冷材料。本发明还提供一种化学式为G...
    2026-04-11
  • 一种基于h-BN/GaN异质结压电传感器振动装置的制备方法与应用
    一种基于h-BN/GaN异质结压电传感器振动装置的制备方法与应用_广西水利电力职业技术学院_202511904629.3
    本发明提供一种基于h‑BN/GaN异质结压电传感器振动装置的制备方法与应用，属于压电传感器技术领域，采用第三代半导体材料氮化镓作为新型压电传感器的核心材料，借助GaN纤锌矿晶体结构固有不对称性决定的压电特性，解决压电陶瓷等常规压材料由于居里...
    2026-04-11
  • 一种Nafion-MXene离聚物增强PVDF的压电复合薄膜的制备方法
    一种Nafion-MXene离聚物增强PVDF的压电复合薄膜的制备方法_常州大学_202511797954.4
    本发明涉及压电材料领域，具体涉及一种Nafion‑MXene离聚物增强PVDF的压电复合薄膜的制备方法。方法包括：制备PVDF薄膜：将PVDF粉末加入DMF溶液中，在水浴加热条件下进行磁力搅拌，得到均匀透明的PVDF溶液，去除气泡后，滴涂至...
    2026-04-11
  • 一种增强磁致伸缩/压电复合材料非线性响应的分步式快速热处理方法
    一种增强磁致伸缩/压电复合材料非线性响应的分步式快速热处理方法_南京理工大学_202512000956.2
    本发明公开了一种增强磁致伸缩/压电复合材料非线性响应的分步式快速热处理方法。该方法旨在通过精确控制温度和时间参数，调控磁致伸缩层的晶体结构，从而提高复合材料的磁电耦合性能。该方法包括以下关键步骤：真空密封、超快升温、短时保温以及分步快速冷却...
    2026-04-11
  • 一种低温超高灵敏度石墨烯霍尔磁传感器及其制备方法
    一种低温超高灵敏度石墨烯霍尔磁传感器及其制备方法_江苏费曼半导体科技有限公司_202511997958.7
    本发明涉及一种霍尔传感器，尤其是一种低温超高灵敏度石墨烯霍尔磁传感器及其制备方法。一种低温超高灵敏度石墨烯霍尔磁传感器，从下至上依次包括：第六衬底、底栅电极、高k介质层、底氮化硼层、霍尔电极、石墨烯层、二维铁磁层、顶氮化硼层、石墨层以及顶栅...
    2026-04-11
  • 一种制造多层结构的方法及其应用
    一种制造多层结构的方法及其应用_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411361989.9
    本申请公开了一种制造多层结构的方法及其应用，属于超导量子芯片制造领域。制造超导量子芯片的方法包括：通过在衬底表面制造多层膜，然后对多层膜的顶部向底部进行逐层图形化，以形成对应的结构。该方案可以减少图形化操作的过程中刻蚀次数，从而减少对芯片中...
    2026-04-11
  • 一种约瑟夫森探针、制备方法与超导约瑟夫森探针显微镜
    一种约瑟夫森探针、制备方法与超导约瑟夫森探针显微镜_紫金山实验室_202610237252.9
    本发明涉及一种约瑟夫森探针、制备方法与超导约瑟夫森探针显微镜。所述制备方法包括：提供外圆周上依次等距设置有第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽的石英纳米针尖；将石英纳米针尖的第一沟槽与超导溅射靶材正对，石英纳米针尖的轴心与所述水平方向的夹...
    2026-04-11
  • 一种AgSe选通管材料及选通管单元
    一种AgSe选通管材料及选通管单元_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511797312.4
    本发明涉及一种AgSe选通管材料及选通管单元，所述AgSe选通管材料的化学通式为AgxSey，式中x的值为0.1≤x≤0.5，y的值为0.5≤y≤0.9。本发明中的AgSe基选通管单元具备低漏电、高选通比、快速响应和良好耐久性等特性，适用于...
    2026-04-11
  • 选通材料和半导体器件
    选通材料和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511932895.7
    本申请公开了一种选通材料和半导体器件，选通材料包括基体材料和掺杂元素M，基体材料包括Ge元素、Se元素以及As元素，掺杂元素M包括In元素和B元素中的至少一种，掺杂元素M的原子百分比的总和小于或等于15%。因此，可以维持由Ge、As和Se形...
    2026-04-11
  • 一种基于真空辅助干燥成膜的忆阻器及其制备方法
    一种基于真空辅助干燥成膜的忆阻器及其制备方法_杭州电子科技大学_202610249418.9
    本发明公开了一种基于真空辅助干燥成膜的忆阻器及其制备方法，属于氧化物薄膜制备及忆阻器技术领域。该方法通过精准配制BiFeO3和NiFe2O4前驱体溶液，采用溶液法涂覆前驱体，关键在于以真空辅助干燥替代传统热台直接干燥，并配合退火与煅烧工艺，...
    2026-04-11
  • 键合方法及晶圆室温键合方法
    键合方法及晶圆室温键合方法_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202511629223.9
    本发明属于半导体材料加工技术领域，涉及一种键合方法及晶圆室温键合方法，依靠包含成膜腔室、键合腔室、传输腔室及键合点位制备单元的键合系统执行。方法步骤为：在晶圆表面形成含不饱和键活性点位的活性膜层；通过键合点位制备单元引入活性成分，使其与活性...
    2026-04-11
  • 一种晶圆键合方法及装置
    一种晶圆键合方法及装置_北京中科同志科技股份有限公司_202511950037.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种晶圆键合方法及装置，包括：第一晶圆和第二晶圆执行清洗步骤，烘干后，用激光干涉仪检测晶圆缘翘曲为第一翘曲量ω0；第一晶圆设置在第一承载台上，第二晶圆设置在第二承载台上，根据键合材料设定热压温度T、基于材料键...
    2026-04-11
  • 一种激光键合方法及光子解键合方法
    一种激光键合方法及光子解键合方法_深圳先进电子材料国际创新研究院_202511969102.9
    本发明提供一种激光键合方法及光子解键合方法，所述激光键合方法包括以下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括透明载体晶圆以及设置在所述透明载体晶圆一侧的释放材料层；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括器件晶圆以及设置在所述器件晶圆一侧的粘结材料层；将...
    2026-04-11
  • 键合晶圆及其形成方法
    键合晶圆及其形成方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512004651.9
    本发明提供一种键合晶圆及其形成方法，在键合晶圆的形成方法中，在执行离子注入工艺时，器件衬底的边缘区域的温度与中心区域的温度之间具有设定的温度差，可以使得器件衬底的边缘区域的离子注入损伤能够自修复，降低边缘区域的离子注入损伤密度；将支撑衬底与...
    2026-04-11
  • 键合晶圆及其加工方法
    键合晶圆及其加工方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512021274.X
    本发明提供一种键合晶圆及其加工方法，在键合晶圆的加工方法中，先对键合晶圆执行第一加固热处理工艺，以提供较高的表面能和较强的原子迁移效率，从而改善键合晶圆的表面粗糙度；然后，对键合晶圆执行第二加固热处理工艺，以在键合晶圆的表面形成氧化层，可以...
    2026-04-11
  • 键合晶圆及其制备方法
    键合晶圆及其制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512021305.1
    本发明提供一种键合晶圆及其制备方法，对器件衬底依次执行第一等离子体处理工艺和第二等离子体处理工艺，第一等离子体处理工艺和第二等离子体处理工艺采用的等离子体不同，第一等离子体处理工艺可以去除器件衬底上的氧化层表面的污染物，使氧化层的表面洁净，...
    2026-04-11
  • 外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件
    外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511943096.X
    本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件，其中方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长氮化镓基材料层；在氮化镓基材料层上外延生长镁掺杂的第一P型氮化镓层；在第一P型氮化镓层上外延生长镁碳化合物层；在镁碳化合物层上外延生长氮化...
    2026-04-11
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