Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种光伏背板及其制备方法和太阳能组件
    一种光伏背板及其制备方法和太阳能组件_泰州中来光电科技有限公司_202511911124.X
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种光伏背板及其制备方法和太阳能组件。该光伏背板，包括依次叠层设置的盖板玻璃、相变材料层及基底玻璃；相变材料层包括蜂窝状间隔层，蜂窝状间隔层包括相连接的若干中空的多边形蜂窝结构，多边形蜂窝结构的中空空腔内设有固...
    2026-04-13
  • 一种光伏组件用散热背板及其制备方法
    一种光伏组件用散热背板及其制备方法_重庆大学_202512031037.1
    本发明公开了一种光伏组件用散热背板及其制备方法，涉及光伏发电技术领域，本发明采用硅烷偶联剂改性制备的氨基活化六方氮化硼制备有机绝缘涂层，有效提升了涂层导热性能与机械强度，同时具备优异的电气绝缘性能，可在金属板层与组件内层间形成可靠绝缘隔离，...
    2026-04-13
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511871169.9
    本申请提供一种光伏组件及其制备方法，涉及光伏技术领域，光伏组件包括背接触电池片、绝缘件、第一导电件和第二导电件，背接触电池片背光面设置有多个第一栅线和多个第二栅线，第一导电件、第二导电件和绝缘件设置于背光面上，第一栅线的部分结构和第二栅线的...
    2026-04-13
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(上饶)有限公司_202511986907.4
    本申请提供一种光伏组件及其制备方法，光伏组件包括：沿第一方向排列的多个电池串，相邻两个所述电池串之间包括第一区域或第二区域；在所述第一区域内，相邻两个所述电池串之间设有第一胶点；在所述第二区域内，相邻两个所述电池串之间设有第二胶点和电连接件...
    2026-04-13
  • 光伏组件
    光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202512004358.2
    本申请提供一种光伏组件，包括电池串，电池串包括多个电池片，电池片包括N型硅基底，N型硅基底具有第一面和第二面，第一面包括交错分布的第一区和第二区，第一区设置有硼掺杂区，第二面包括交错分布的第三区和第四区，第三区设置有磷掺杂导电层；电池片具有...
    2026-04-13
  • 光伏组件和光伏组件异常处理方法
    光伏组件和光伏组件异常处理方法_珠海格力电器股份有限公司_202512007701.9
    本公开涉及一种光伏组件和光伏组件异常处理方法，光伏组件包括：多个可拆卸的光伏模块(1)，每个所述光伏模块(1)包括一个或多个电池片(2)、与所述电池片(2)连接的电连接组件、胶膜组件和盖板组件，所述盖板组件沿第一方向设置于所述光伏模块(1)...
    2026-04-13
  • 一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610007814.0
    本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件。背接触电池包括本体、设置在本体背光面的细栅和焊盘。细栅包括沿第一方向延伸的第一细栅和第二细栅，焊盘包括沿第一方向分布的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘与第一细栅连接，...
    2026-04-13
  • 半导体器件、传感设备和电子设备
    半导体器件、传感设备和电子设备_上海禾赛科技有限公司_202411391418.X
    半导体器件、传感设备和电子设备被公开。该半导体器件包括第一电路层、第二电路层和滤光层。第一电路层包括第一光电探测区。第二电路层位于第一电路层之上，包括第二光电探测区。滤光层位于第二电路层之上，包括滤光区。滤光区被配置为透过入射光中第一波段的...
    2026-04-13
  • 一种高灵敏的光电探测器结构
    一种高灵敏的光电探测器结构_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202512022636.7
    本发明涉及光电探测器件技术领域，具体涉及一种高灵敏的光电探测器结构，包括：P型衬底、背面的P+掺杂层、埋层P阱、光电信号收集N+以及信号处理电路；所述背面的P+掺杂层设置在P型衬底底部，所述埋层P阱均匀的嵌入P型衬底内部，使得光电子聚焦；所...
    2026-04-13
  • 基于薄肖特基金属材料的碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法
    基于薄肖特基金属材料的碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法_南京大学_202610252783.5
    本发明涉及半导体器件光电探测技术领域，具体涉及一种基于薄肖特基金属材料的碳化硅基紫外位置敏感探测器及其制备方法，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型碳化硅衬底和N型碳化硅低掺外延层；所述N型碳化硅低掺外延层上设有一层厚度低于4nm...
    2026-04-13
  • 单光子雪崩二极管单元和电子设备
    单光子雪崩二极管单元和电子设备_深圳市速腾聚创科技有限公司_202411376444.5
    本申请涉及半导体领域，尤其涉及单光子雪崩二极管单元和电子设备，单光子雪崩二极管单元包括至少一个主结和势垒区，其中：所述主结的尺寸小于预设尺寸；所述势垒区的极性与第一阱区域的极性相同，所述第一阱区域为所述主结中的在深度方向上远离所述单光子雪崩...
    2026-04-13
  • 一种全垂直结构的氮化铝探测器及其制备方法
    一种全垂直结构的氮化铝探测器及其制备方法_中国科学技术大学_202511962779.X
    本发明公开了一种全垂直结构的氮化铝探测器及其制备方法，包括：氮化铝衬底，设置在衬底上表面的第一半导体与阳极金属叠层，设置在衬底下表面的第二半导体与阴极金属叠层；在第一半导体与第二半导体表面分别形成欧姆接触电极，在未被欧姆接触电极覆盖的第一半...
    2026-04-13
  • 一种沟槽型氧化镓辐射探测器及其制造方法
    一种沟槽型氧化镓辐射探测器及其制造方法_南京大学_202610255697.X
    本发明提供了一种沟槽型氧化镓辐射探测器及其制造方法，属于半导体器件技术领域。该探测器通过在外延片的Ga2O3外延层上设计矩形沟槽结构，在高反向偏压下能够实现更加均匀的电场分布，有效避免了电极边缘的电场聚集效应，显著提高了器件的耐压能力。同时...
    2026-04-13
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_武汉楚兴技术有限公司_202411366593.3
    本申请公开了一种图像传感器及其制备方法，涉及图像传感器技术领域，图像传感器包括：半导体衬底；设置在半导体衬底上的像素结构，像素结构包括多个子像素；设置在像素结构入光侧的彩膜层，彩膜层包括多个与子像素一一相对设置的彩膜单元；其中，彩膜单元包括...
    2026-04-13
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510743515.9
    一种图像传感器包括：基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一隔离图案，在基板中限定多个共享像素区；以及分别在所述多个共享像素区中的多个共享像素。多个共享像素中的每个包括：第二隔离图案，在相应的共享像素区中限定多个单位像素区，第二隔...
    2026-04-13
  • 影像传感器像素及其形成方法
    影像传感器像素及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511670737.9
    本发明提供一种影像传感器像素包括配置在半导体衬底中的光传感器。为了提供隔离以减少像素间串扰并增加调制转换函数(MTF)，刻蚀停止层配置在半导体衬底的第一表面上，并且与设置在第一表面上的刻蚀停止层相对的第二表面刻蚀深沟槽。刻蚀在刻蚀停止层处停...
    2026-04-13
  • 一种图像传感器的封装结构和方法
    一种图像传感器的封装结构和方法_苏州科阳半导体有限公司_202511919221.3
    本发明公开了一种图像传感器的封装结构和方法，属于半导体封装技术领域。该封装结构包括传感器晶圆、透光盖板、挡墙、包封层、重布线层、硅通孔和焊球。所述包封层包覆透光盖板侧壁、挡墙侧壁及芯片侧壁，其上表面与透光盖板上表面平齐或略低，采用低吸湿率材...
    2026-04-13
  • 一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及制备方法
    一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及制备方法_华南师范大学_202511941483.X
    本发明光电探测技术领域，具体公开了一种基于Te半导体的仿昆虫光谱自适应视觉传感器及其制备方法，包括：使用水热法制备二维单晶Te纳米片；将二维单晶Te纳米片转移到衬底的上端面上形成Te半导体光感应沟道层；在Te半导体光感应沟道层两侧的衬底的上...
    2026-04-13
  • 用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法
    用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法_北方夜视技术股份有限公司_202512046611.0
    本申请公开了一种用于电子轰击成像的背照式CMOS芯片处理方法，包括以下步骤：步骤S1：使用精雕机去除商用CMOS芯片的玻璃盖板，露出CMOS芯片表面，清洗CMOS芯片表面并烘干；步骤S 2：对处于CMOS内部电路布线层和MOS管结构外侧的C...
    2026-04-13
  • 用于激光探测的芯片、激光雷达、载具以及光电二极管
    用于激光探测的芯片、激光雷达、载具以及光电二极管_上海禾赛科技有限公司_202411387038.9
    本公开提供一用于激光探测的芯片，激光雷达，载具以及光电二极管，涉及光电技术领域。用于激光探测的芯片，包括衬底，外延层，工作电路以及保护电路。外延层形成于衬底上方。工作电路形成于外延层。工作电路包括第一光电二极管并且被配置为在工作电压下探测入...
    2026-04-13
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证