Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411769725.7
    本发明提供一种半导体结构。此半导体结构包括基板、位元线结构、晶种层、第一间隔物、第二间隔物、第三间隔物和气隙。基板具有凹槽，其中凹槽具有尖角。位元线结构位于基板上，其中凹槽围绕位元线结构。晶种层位于位元线结构的侧壁上。第一间隔物位于晶种层的...
    2026-04-16
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510935036.7
    本公开内容涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件及一种用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一杂质区，其设置在衬底中；第二杂质区，其设置在衬底中并与第一杂质区间隔开；位线接触插塞，其设置在第一杂质区之上并具...
    2026-04-16
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511724575.2
    本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括下电极、电容介质层、上电极、上电极板和填充结构。其中，填充结构位于上电极板中，如此使得上电极板的顶面较为平整，即未造成受到填充结构的存在而导致上电极板的顶面存在凹凸不同，并引起半导体器件失效和可靠度降...
    2026-04-16
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511881245.4
    本申请提供了一种半导体结构，应用于半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，包括第一区和第二区；多个下电极，位于衬底的第一区上；支撑结构，位于下电极之间，包括：第一支撑结构，位于下电极之间；第二支撑结构，位于最外侧的下电极朝向第二区的一侧上；...
    2026-04-16
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411375209.6
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一堆叠体和第二堆叠体。第一堆叠体包括沿第一方向彼此交替的导电层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。第二堆叠体包括沿第一方向彼此交替的电介质层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。半导体装置还包括：第一连接...
    2026-04-16
  • 基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备
    基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备_重庆邮电大学_202512047004.6
    本发明涉及一种基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备，属于半导体存储器制造技术领域。该存储器从下至上依次包括衬底、底电极、纤锌矿铁电层和顶电极，其中，该存储器的底电极和顶电极采用相同的高功函数金属，以与纤锌矿铁电层形成高肖特基接触势...
    2026-04-16
  • 三维存储器装置的架构及其制备方法
    三维存储器装置的架构及其制备方法_美光科技公司_202512044522.2
    本申请案涉及三维存储器装置的架构及其制备方法。阵列可包含衬底，其布置有呈几何图案的导电接点及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，这可减小所述开口之间的间距，同时维持电介质厚度以保持电压施加于所述阵列。在蚀刻材料之后，可将牺牲层沉积于形成蛇形形...
    2026-04-16
  • 半导体器件的形成方法及半导体器件
    半导体器件的形成方法及半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511896861.7
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，在衬底上形成初始选通单元层，以及位于初始选通单元层上的初始相变单元层。进行第一刻蚀工艺形成多个相变单元层之后，继续在进行该第一刻蚀工艺的刻蚀腔室中对相变单元层进行保护工艺，之后继续在该刻蚀腔...
    2026-04-16
  • 一种存储器及其形成方法
    一种存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202512050159.5
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，其中存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括导电层；在所述器件层上形成互连层，所述互连层位于所述导电层上且与所述导电层连接；在所述存储器的外围区、所述互连层上形成保护层，所述...
    2026-04-16
  • 半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统
    半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411343858.8
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构整体的功耗，改善半导体结构的发热问题，并提高半导体结构的性能。半导体结构包括堆叠设置的多个裸片。至少一个所述裸片包括第一部分和第二部分。在...
    2026-04-16
  • 包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法
    包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510453964.X
    本公开提供一种电子元件及其制备方法。该电子元件包括一第一半导体晶片、一第二半导体晶片、一第三半导体晶片、一第四半导体晶片和一第五半导体晶片。该第二半导体晶片堆叠在该第一半导体晶片上，并通过混合接合而与该第一半导体晶片电性连接。该第四半导体晶...
    2026-04-16
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511094499.1
    一种半导体封装件包括：基体芯片；多个半导体芯片，堆叠在基体芯片上；覆盖芯片，在所述多个半导体芯片上；粘合层，在覆盖芯片和所述多个半导体芯片中的每个下方；以及包封件，在基体芯片上，并且至少部分地围绕所述多个半导体芯片和覆盖芯片。所述多个半导体...
    2026-04-16
  • 一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件
    一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件_联合微电子中心有限责任公司_202512051963.5
    本发明提供一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件，方法包括：形成第一键合结构与第二键合结构，第一键合结构包括第一介质层和位于第一介质层中的多个第一互连部，第二键合结构包括第二介质层和位于第二介质层中的多个第二互连部；介质键合第一介质层和...
    2026-04-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411354086.8
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括隔离区；电容结构，设置于隔离区的基底中，电容结构包括相对且间隔设置的电容极板；硅通孔结构，位于隔离区的基底中，硅通孔结构位于电容结构的侧部，或者，硅通孔结构作为电容结构中的其中一个电容极...
    2026-04-16
  • MIM电容的制作方法
    MIM电容的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511773386.4
    本发明提供了一种MIM电容的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多次成膜工艺形成底部金属层，且在各成膜工艺的间隙将基底的温度降低至预设值，从而使形成过程中所述基底的平均温度降低，保证低于270℃，从而抑制所述底部金属层中金属晶粒...
    2026-04-16
  • 一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法
    一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511887293.4
    本发明公开了一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法，包括如下步骤：S1、提供深沟槽电容结构，深沟槽电容结构包含至少两个不同电位的导电层，且导电层的上表面被第一层间介质层覆盖；S2、图形化第一层间介质层，以形成暴露出不同导电层的过孔；S...
    2026-04-16
  • 沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法
    沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202512059147.9
    本申请实施例公开了沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法。沟槽电容包括沟槽结构。沟槽结构包括半导体区域、沟槽、电介质和第一电极区。电介质覆盖沟槽的底壁和至少部分内侧壁。第一电极区填充于包括该电介质的沟槽中。内侧壁包括连续的至少两段子侧壁，...
    2026-04-16
  • 利用多晶硅网格的具有改进的应力抗扰性的齐纳二极管
    利用多晶硅网格的具有改进的应力抗扰性的齐纳二极管_恩智浦有限公司_202511440024.3
    一种齐纳二极管包括P+阳极、位于半导体衬底的表面上并环绕所述P+阳极的多晶硅网格环、相对于所述多晶硅网格环与所述P+阳极相对的N+阴极、位于所述多晶硅网格环的外部部分上与所述N+阴极相邻的外间隔件，以及位于所述多晶硅网格环的内部部分上与所述...
    2026-04-16
  • 一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置
    一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置_广微集成技术(深圳)有限公司_202512038076.4
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置，包括：N+衬底；形成于N+衬底上的N‑漂移外延层；至少两个形成于N‑漂移外延层中的沟槽结构，沟槽结构内具有栅介质层和场板；形成于N‑漂移外延层表面的肖...
    2026-04-16
  • GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统
    GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统_西安唐晶量子科技有限公司_202511648432.8
    本说明书实施例提供GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统，包括：数据采集模块用于实时监测衬底托盘不同位置的实际温度和外延层生长厚度；温度调控模块用于根据预设目标温度范围独立调节各区域温度以形成温度梯度分布；载气控制模块用于根据温度...
    2026-04-16
首页 上一页 15 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证