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最新专利技术
  • 一种灭弧室及断路器
    一种灭弧室及断路器_上海良信电器股份有限公司_202610211200.4
    本申请公开一种灭弧室及断路器，涉及低压电器技术领域。该灭弧室，包括栅片组，栅片组包括沿第一方向依次交替设置的第一栅片和第二栅片，第二栅片沿第二方向的一端为绝缘部，第一栅片为金属栅片，第一方向与第二方向垂直，其中，第二方向为电弧运动方向。该灭...
    2026-05-02
  • 一种高压熔断器接线端帽及其应用的熔断器
    一种高压熔断器接线端帽及其应用的熔断器_国网安徽省电力有限公司明光市供电公司_202511938197.8
    本发明涉及开关触点操作机构技术领域，公开了一种高压熔断器接线端帽及其应用的高压熔断器，包括安装部以及转动安装在所述安装部上的密封盖，所述安装部上开有安装孔，所述密封盖具有封闭工位和打开工位；当所述密封盖处于封闭工位时，所述密封盖封闭所述安装...
    2026-05-02
  • 一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器
    一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器_浙江和诚智能电气有限公司_202610073185.1
    本发明涉及电路保护的技术领域，具体为一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器，包括：主壳体，在主壳体的内部设置有活塞活动腔，活塞活动腔的下方连接有内腔室，在内腔室的下方设置有灭弧腔。本发明提出的一种带灭弧腔体的模块化激励熔断器，当发生电路故障时，信...
    2026-05-02
  • 一种短弧放电灯用无钍阴极及其制备方法和应用
    一种短弧放电灯用无钍阴极及其制备方法和应用_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202512021465.6
    本发明属于电光源材料和制造技术领域，公开了一种短弧放电灯用无钍阴极及其制备方法和应用。本发明短弧放电灯用无钍阴极的制备方法包括以下步骤：S1、将原料混合并进行干燥处理；S2、在还原性气氛下对干燥后的混合粉末进行还原处理，得到钨合金粉末；S3...
    2026-05-02
  • 一种短弧放电灯用钍钨阴极及其制备方法和应用
    一种短弧放电灯用钍钨阴极及其制备方法和应用_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202512021481.5
    本发明属于电光源制造技术领域，公开了一种短弧放电灯用钍钨阴极及其制备方法和应用。本发明短弧放电灯用钍钨阴极的制备方法包括以下步骤：S1、在钍钨阴极基体表面涂覆热处理溶液，得到包括碳源涂层的钍钨阴极；S2、对所述包括碳源涂层的钍钨阴极进行分段...
    2026-05-02
  • 平面型同轴环栅纳米真空沟道场发射三极管装置及方法
    平面型同轴环栅纳米真空沟道场发射三极管装置及方法_陕西科技大学_202511931764.7
    本发明公开了一种平面型同轴环栅纳米真空沟道场发射三极管装置及方法，涉及微电子器件与真空微纳电子技术领域，包括绝缘基底、设于其上的同轴环形栅极、环绕栅极设置的介质支撑区，以及设于支撑区上且呈同轴布置的发射极与收集极；二者内边缘与外边缘之间形成...
    2026-05-02
  • 一种微光像增强器灌封结构及灌封方法
    一种微光像增强器灌封结构及灌封方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511927739.1
    本发明公开了一种微光像增强器灌封结构及灌封方法，属于像增强器技术领域。所述灌封方法总体采用带压力注胶真空灌封技术方案，灌封结构中底座、上密封环、密封圈、下密封环与像增强器灌封外壳构成密封腔体。在真空灌封设备中，灌封胶从底部注胶头注入，分别从...
    2026-05-02
  • 超晶格蓝绿光增强型光电阴极及其制作方法
    超晶格蓝绿光增强型光电阴极及其制作方法_东莞市中科原子精密制造科技有限公司_202511689955.7
    本发明公开一种超晶格蓝绿光增强型光电阴极，包括堆叠设置的砷化镓帽层、超晶格吸收层以及窗口层，砷化镓帽层的厚度为大于或等于3纳米且小于或等于10纳米，砷化镓帽层的外表面为负电子亲和势表面；超晶格吸收层包括若干镓砷磷垒层以及若干铟镓砷阱层，若干...
    2026-05-02
  • 电子束发射装置及电子束发射方法
    电子束发射装置及电子束发射方法_无锡亘芯悦科技有限公司_202511974682.0
    本申请涉及一种电子束发射装置及电子束发射方法。该电子束发射方法包括：获取电子束发射关键参数在不同爬升阶段的目标值和爬升速率；按照不同爬升阶段的目标值和爬升速率，分阶段爬升电子束发射关键参数，并根据电子束发射关键参数发射电子束；获取根据当前电...
    2026-05-02
  • 一种刻蚀装置
    一种刻蚀装置_华为技术有限公司_202411314843.9
    本申请提供了一种刻蚀装置，用于对待刻蚀件刻蚀。刻蚀装置包括：壳体、第一电极、第二电极及绝缘件。壳体包括收容腔。第一电极、第二电极及绝缘件均收容于收容腔中。在第一方向上，第二电极与第一电极相对并间隔设置，绝缘件设置于第一电极与第二电极之间，待...
    2026-05-02
  • 边缘环及刻蚀设备
    边缘环及刻蚀设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511606670.2
    本申请提供一种边缘环及刻蚀设备，属于半导体远程等离子体源刻蚀技术领域，用于解决晶圆边缘自由基浓度径向梯度较大及副产物排出的问题；刻蚀设备包括：基座和边缘环，基座用于放置待刻蚀的晶圆；边缘环与基座相固定；边缘环包括：第一环形部，当对晶圆进行刻...
    2026-05-02
  • 等离子体处理装置、基片处理系统和固定件
    等离子体处理装置、基片处理系统和固定件_东京毅力科创株式会社_202511883782.2
    本发明提供一种使等离子体处理装置、基片处理系统的构成部件之间的拆装变得容易的等离子体处理装置、基片处理系统和固定件。一种包括腔室的等离子体处理装置，其包括：第一部件；第二部件；和构成为将第一部件和第二部件以沿着轴向可拆装的方式固定在一起的固...
    2026-05-02
  • 射频电源及电弧检测方法
    射频电源及电弧检测方法_上海励兆科技有限公司_202511982281.X
    本申请提供了具有电弧检测功能的射频电源及电弧检测方法。在一个实施例中，提供了一种具有电弧检测功能的射频电源，所述射频电源包括：射频电路，配置为产生射频信号；传感器，配置为接收并采样所述射频信号；射频参数计算装置，配置为对采样的射频信号进行计...
    2026-05-02
  • 一种蚀刻加工的多层超薄导流板
    一种蚀刻加工的多层超薄导流板_江苏腾玺裕金属制品有限公司_202512012263.5
    本发明公开了一种蚀刻加工的多层超薄导流板，涉及半导体制造装备领域，包括上顶板和下支撑板，所述上顶板底部与所述下支撑板连接并共同构成导流空腔；所述导流空腔内从上至下依次设置有上导流板和下导流板，所述上导流板底部和所述下导流板顶部均设有多个隔板...
    2026-05-02
  • 一种用于高氢制程的反应腔体及等离子体处理设备
    一种用于高氢制程的反应腔体及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610209084.2
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种用于高氢制程的反应腔体及等离子体处理设备，包括石英管；第一线圈环绕设于石英管的外侧，并与外设的射频电源连接；法拉第屏蔽笼环设于石英管外，并设于石英管和第一线圈之间，法拉第屏蔽笼上开设有若干个贯穿其...
    2026-05-02
  • 一种反应腔体及等离子体处理设备
    一种反应腔体及等离子体处理设备_上海邦芯半导体科技有限公司_202610209086.1
    本发明涉及晶圆处理设备技术领域，尤其涉及一种反应腔体及等离子体处理设备，包括石英管、感应线圈和屏蔽遮挡构件，石英管设于处理室的顶部；感应线圈环绕设于石英管的外侧，且包括若干个沿石英管的轴向间隔排布的环形段，以及若干个分设于相邻两个环形段之间...
    2026-05-02
  • 一种磁约束微波远程等离子源装置、系统及使用方法
    一种磁约束微波远程等离子源装置、系统及使用方法_季华实验室_202610225026.9
    本申请属于远程等离子源技术领域，公开了一种磁约束微波远程等离子源装置、系统及使用方法，磁约束微波远程等离子源装置包括：等离子体反应腔体；微波发生与传输组件，用于产生微波并将所述微波耦合至等离子体反应腔体内；匀气件，用于对输入等离子体反应腔体...
    2026-05-02
  • 一种卤素灯以及热处理设备
    一种卤素灯以及热处理设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202411332586.1
    本申请涉及快速热处理技术领域，尤其涉及一种卤素灯以及热处理设备。包括套管、灯体、电极头、连接体以及阻挡体。套管具有第一端和第二端；阻挡体安装于所述套管的第一端且套设于所述灯体，所述阻挡体固定连接所述连接体，且覆盖所述连接体的第一表面。由于阻...
    2026-05-02
  • 一种电池正极和含有该电池正极的锌碘电池
    一种电池正极和含有该电池正极的锌碘电池_中国科学院深圳先进技术研究院_202511970924.9
    本发明属于电池领域，具体公开了一种电池正极和含有该电池正极的锌碘电池。所述电池正极包括正极材料层，所述正极材料层中含有正极材料；所述正极材料中含有活性物质和极性有机催化剂；所述极性有机催化剂中含有选自羟基、羧基、醛基、酮基、酯基、醚基、氨基...
    2026-05-02
  • 钠离子电池正极活性材料、制备方法、正极材料和电池
    钠离子电池正极活性材料、制备方法、正极材料和电池_广东扬广科技有限责任公司_202511595348.4
    本发明公开一种钠离子电池正极活性材料、制备方法、正极材料和电池，制备方法包括：将金属盐的溶液与沉淀剂溶液、络合剂溶液加入反应釜中在20‑70℃下搅拌反应0.5‑1.5h得到反应液；金属盐包括锰盐、镍盐、铁盐；将反应液进行过滤得到沉淀物，干燥...
    2026-05-02
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