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最新专利技术
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511110887.4
    半导体存储器装置包括：写入位线和读取字线，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；写入字线、读取位线和源极线，在写入位线与读取字线之间，并且在竖直方向上延伸，并且在第一水平方向上彼此间隔开；电容器电极，具有第一部分和第二部分；电...
    2026-03-19
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511207082.1
    一种半导体存储器件，包括：在基板上在第一方向上延伸的位线；在位线上并在第一方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案之间并在第二方向上延伸的至少一条导电栅极线；栅极屏蔽图案，在至少一条导电栅极线和位线之间并包...
    2026-03-19
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202511250514.7
    一种半导体设备包括：单元区域，包括连接到多个字线、多个板线和多个位线的多个存储器单元；以及外围电路区域，被配置为控制单元区域，并且外围电路区域将具有不同极性的第一编程电压和第二编程电压输入到多个存储器单元当中的至少一个目标单元一次，并且通过...
    2026-03-19
  • SOT-MRAM器件及其制备方法
    SOT-MRAM器件及其制备方法_中电海康集团有限公司_202411121092.9
    本发明提供一种SOT‑MRAM器件及其制备方法，其中方法包括：在衬底上自下而上依次形成自旋轨道层、磁隧道结堆叠层和硬掩膜层，磁隧道结堆叠层包括自下而上依次堆叠的自由层、势垒层、参考层、钉扎层；图案化硬掩膜层；根据图案化后的硬掩膜层刻蚀磁隧道...
    2026-03-19
  • 存储器装置以及其制作方法
    存储器装置以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411284236.2
    本发明公开一种存储器装置以及其制作方法，其中存储器装置包括磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)结构、上电极以及第一盖层。MTJ结构设置在基底之上且包括第一倾斜侧壁。上电极在垂直方向上设置在MTJ结构上...
    2026-03-19
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510276368.9
    本公开提供提高了可靠性的存储器件。实施方式的存储器件具备：存储单元阵列，包括沿第1方向延伸的第1局部布线、沿与第1方向交叉的第2方向延伸的第2局部布线、沿第2方向延伸的第3局部布线、设置于第1局部布线与第2局部布线之间的第1存储单元、及设置...
    2026-03-19
  • 磁性存储器装置
    磁性存储器装置_铠侠股份有限公司_202511030630.8
    实施例提供一种缩短写入时间的磁性存储器装置。根据实施例，一种磁性存储器装置包含：导电层；磁阻效应元件，其设置在所述导电层上并包含接触所述导电层的第一端部分及与所述第一端部分相对的第二端部分；及控制电路，其被配置成执行写入操作以将数据写入到所...
    2026-03-19
  • 半导体器件及制造半导体器件的方法
    半导体器件及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510749220.2
    本申请涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件可包括：包括交替堆叠的电极板和绝缘层的堆叠；延伸穿过堆叠的电极柱；环绕电极柱侧壁的可变电阻层；以及分别位于电极板与可变电阻层之间的第一电极，每个第一电极包含金属氧化物。
    2026-03-19
  • 用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构
    用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构_威比特纳米有限公司_202511246058.9
    用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构。一种用于电阻式随机存取存储器单元的电阻式堆叠体(Stck)包括：第一电极(El1)；第二电极(El2)；介电层(Diel)，该介电层...
    2026-03-19
  • 具有电极结构的半导体器件
    具有电极结构的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511272203.0
    本公开内容涉及具有电极结构的半导体器件。所述半导体器件包括：单元区域；在第一方向上与单元区域的第一侧相邻的第一外围电路区域；以及在第二方向上与单元区域的第二侧相邻的第二外围电路区域。第一方向与第二方向彼此垂直。单元区域包括：第一子区域，其包...
    2026-03-19
  • 相变化存储器装置及其制造方法
    相变化存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411404011.6
    相变化存储器装置包括基板、第一电极、第二电极、第一碳层、第二碳层及相变化存储层。第一电极及第二电极设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层分别电性连接第一电极及第二电极，且分别为掺杂纳米碳...
    2026-03-19
  • 存储设备及其制造方法
    存储设备及其制造方法_深圳市江波龙电子股份有限公司_202411261900.1
    本申请涉及存储技术领域，提供了一种存储设备的制造方法，包括步骤：提供基板，基板具有厚度方向；于基板叠设多个存储芯片，定义每相邻两个存储芯片中包括近端存储芯片以及远端存储芯片，近端存储芯片与基板的距离小于远端存储芯片与基板的距离，其中，沿厚度...
    2026-03-19
  • 封装结构
    封装结构_日月光半导体制造股份有限公司_202511196990.5
    本发明提供了一种封装结构。所述封装结构包含处理模块、存储模块和电力调节模块。所述处理模块包含具有经配置以接收电力的第一侧的处理元件。所述电力调节模块邻近于所述处理模块安置。所述电力调节模块包含第一部分和第二部分。所述第一部分经配置以从第一电...
    2026-03-19
  • 电容器、半导体器件及其制造方法、电子设备
    电容器、半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411206319.X
    一种电容器、半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述电容器包括：第一电容电极、第二电容电极以及位于所述第一电容电极与所述第二电容电极之间的介电质层；所述第一电容电极为一端封闭、另一端具有开口的中空的管状，所述第一电容电极具...
    2026-03-19
  • 在包括半金属衬垫的衬底上形成半导体堆叠的方法
    在包括半金属衬垫的衬底上形成半导体堆叠的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511206310.3
    描述了半金属衬垫和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器(MIMCAP)以及制造或制作方法。MIM电容器结构包括由半金属的薄层或膜形成的衬垫，其为几纳米厚，例如厚度在约0.5nm至约5nm或更大的范围内。半金属衬垫夹在电极层和介电层(例如高或超...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511868002.7
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有具有露出衬底的部分表面的开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜，刻蚀形成具有平坦侧壁的第一子沟槽，对衬底执行沟槽形成工艺，以形成沟槽，沟槽具有凹凸起伏的侧壁，第一子沟槽构成沟...
    2026-03-19
  • 高压电容隔离器及其制造方法
    高压电容隔离器及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202610156455.5
    本发明公开了一种高压电容隔离器及其制造方法，属于微电子器件技术领域，该高压电容隔离器的制造方法，包括在基底表面生长下极板，在下极板的顶部沉积第一介质层；在第一介质层上沉积第二金属层，刻蚀第二金属层形成浮动导体环；在浮动导体环上依次沉积第二介...
    2026-03-19
  • 具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法
    具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法_泉镓科技(福州)有限公司_202511765569.1
    本发明涉及一种具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法，该氧化镓功率二极管包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型半导体衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、阳极金属层和钝化层；其中，低掺杂n型氧化镓外延...
    2026-03-19
  • 一种超高压快恢复二极管及其制备方法
    一种超高压快恢复二极管及其制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511853671.7
    本发明涉及一种超高压快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括步骤：选取N‑漂移层，在N‑漂移层的正面生长氧化层；在N‑漂移层的正面制备P型阳极层；在N‑漂移层的背面制备N型缓冲层；在N型缓冲层的背面制备多个沿横向间隔排列的P+区；在N型缓冲层...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511101551.1
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成绝缘膜；选择性地去除绝缘膜；通过留下半导体衬底的表面的损伤层，在半导体衬底上形成金属膜，损伤层在绝缘膜被选择性地去除时被生成；通过选择性地去除金...
    2026-03-19
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