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  • 本发明涉及封装领域,公开一种阵列式柔性电子器件批量式封装方法。包括步骤:利用切割设备,在机器视觉引导下,将制备在整版基材上的柔性电子器件阵列分割成独立单元;引出柔性电子器件电极,并在柔性电子器件边缘粘结水氧阻隔胶;将封装材料一次性涂覆到整个...
  • 本发明公开了一种空穴传输层的钝化方法及其构成的有机太阳能电池。该金属氧化物空穴传输层钝化方法包括如下步骤:S1:使得金属氧团簇化合物和溶剂配置成钝化溶液的步骤;S2:使得所述钝化溶液涂布在金属氧化物空穴传输层上、形成双层的复合空穴传输层的步...
  • 本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域,公开了一种钙钛矿层的制备工艺及钙钛矿太阳能电池,该工艺包括以下步骤:S1、将乙腈、1.8‑二氨杂环[5, 4, 0]十‑烯‑7、苯丙基碘化胺和异丙醇混合搅拌,得到均一的母液;S2、向所述母液中通入二氧化碳...
  • 本发明公开一种提高纳米尺度量子点发光单元分布均匀的纳米压印工艺,涉及光电显示领域。该工艺通过基板界面处理、量子点复合压印胶制备、涂胶压印及固化脱模步骤,实现量子点发光单元的高均匀分布与无损脱模。其中,量子点复合压印胶包含两亲性结构化剂、含氟...
  • 本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。太阳能电池制备方法包括以下步骤:提供基底,在基底上制备第一传输层;在第一传输层远离基底的一侧表面上依次形成结晶控制湿膜以及钙钛矿前驱体湿膜,退火,制备钙钛矿层;其中,结晶控制湿膜包括低沸点的...
  • 本申请公开了一种基于干法转印的光电器件制备方法和产品,方法包括:将透明胶带固定在平台上,且所述透明胶带的粘性面背离所述平台;将导电溶液通过旋涂、喷涂或刮涂的方式,涂布在所述透明胶带的粘性面上,得到透明导电薄膜;准备功能结构基板,所述功能结构...
  • 本申请涉及钙钛矿太阳能电池技术领域,尤其涉及一种钙钛矿层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光伏组件。该钙钛矿层,包括沿钙钛矿层的厚度方向层叠的三维钙钛矿子层以及类三维钙钛矿子层。三维钙钛矿子层包括化学通式为ABX33的三维钙钛矿材料,类三维钙...
  • 本发明涉及一种基于碱金属掺杂的钙钛矿太阳电池及其制备方法。此方法按比例制备钙钛矿前驱液,通过一步法旋涂在柔性衬底上,退火后形成均匀钙钛矿薄膜。为了改善成膜质量和提升器件稳定性,在钙钛矿前驱液中加入CsI溶液。本发明利用一步法制备钙钛矿薄膜和...
  • 本发明涉及一种有机电致发光器件发光器件,涉及有机电致发光材料技术领域。本发明主要解决的技术问题是目前有机电致发光器件存在电子与空穴传输效率不匹配的问题,导致有机电致发光器件效率低。本发明提供的有机电致发光器件,其电子与空穴传输速率能够相互匹...
  • 本发明提供了一种有机电致发光器件,涉及有机电致发光技术领域。本发明的有机电致发光器件,包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机物层,所述有机物层包括空穴传输区域、发光层以及电子传输区域,所述空穴传输区域位于阳极和发光层之间,所述电子传输区域...
  • 本发明涉及有机电致发光技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件。本发明提供的有机电致发光器件空穴传输区域包含式1所示的化合物,其具有较高的空穴迁移率和合适的HOMO能级,提高了空穴在器件中的迁移速率,电子传输区域包含了式2所示的化合物,可以有...
  • 本发明公开了电子传输材料、电子传输层以及有机电致发光器件,属于有机电致发光材料技术领域。所述的电子传输材料为含氮杂环的化合物,同时含有吡啶环和与吡啶环相连的嘧啶环。通过引入具有位阻效应的供电性基团,能够屏蔽与吡啶环相连嘧啶环上的相近氮原子的...
  • 本发明涉及一种制备各向异性Mg33Sb22热电材料的方法,步骤如下:1)按Mg2.98(1+0.05)2.98(1+0.05)Ag0.020.02Sb22各原子化学计量比进行称量,然后按球料比30 : 1,转速350r/min进行球磨36h...
  • 本发明公开一种低热导率p型液态热电材料及其制备方法。所述低热导率p型液态热电材料的化学式为Cu66GeTeS44,属于立方晶系,空间群,所述低热导率p型液态热电材料Cu66GeTeS44由在晶胞内孤立的GeS44四面体基元和体心立方的Te构...
  • 本发明涉及压电陶瓷极化工艺领域,特别涉及一种提高兆声清洗机用压电陶瓷频率稳定性的极化方法,包括:获取兆声清洗机用压电陶瓷;将兆声清洗机用压电陶瓷放入硅油中升温加热;进行N段交流偏置极化;过程中,交变电场与偏置电压逐步升高,最大交变电场的幅值...
  • 本发明公开了一种用于螺栓应力传感器的高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极及其制备方法,所述高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极具备梯度层结构,且高硬度高熵AlCrNbSiTi复合电极包括用于与压电材料结合的粘附阻挡层和导电层,粘附阻挡层...
  • 本发明提供一种磁性隧道结,包括:依次设置的参考层、势垒层和自由层;其中,参考层和自由层采用交错磁体形成,交错磁体的第一晶向与隧穿方向的夹角为第一锐角,参考层和自由层在沿第一晶向的倒空间动量方向积分后得到的横向动量分布中具有局域非零自旋极化,...
  • 本发明公开了一种利用衬底层厚度调控的自旋场效应管单元,包括基底以及依次设置的第一电极层、SiC衬底层、MXenes层和第二电极层,其中,SiC衬底层包括横向设置的低厚度SiC区I、高厚度SiC区Ⅱ和低厚度SiC区Ⅲ,且MXenes层中对应为...
  • 本发明实施例涉及半导体技术领域,公开了一种霍尔元件、霍尔传感器及电子设备,该霍尔元件包括基底、霍尔感应层、电极、阻挡层、导体接垫,霍尔感应层设置于基底上;电极设置有多个,多个电极连接霍尔感应层;阻挡层设置于霍尔感应层远离基底的一侧,阻挡层覆...
  • 本发明涉及非线性电子器件的技术领域,具体涉及一种室温霍尔整流器及其制备方法。所述室温霍尔整流器包括从下至上依次设置的衬底、非线性霍尔效应层、源漏电极、阻挡层和测量电极,所述非线性霍尔效应层由表面为(111)晶面的L111序的合金构成。本发明...
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