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最新专利技术
  • 一种单晶异质结电池的制备工艺
    一种单晶异质结电池的制备工艺_中建材(江阴)光电材料科技有限公司_202511400097.X
    本发明公开了一种单晶异质结电池的制备工艺，包括以下步骤：S10：在双面制绒的n型单晶硅片的栅线预覆盖区域涂覆第一成膜液，第一成膜液固化后，得背面覆有第一掩膜的硅片；S20：对硅片的背面依次抛光、清洗处理；S30：采用水性清洗液去除第一掩膜，...
    2026-03-04
  • 一种碲硒光电导探测器的制备方法
    一种碲硒光电导探测器的制备方法_电子科技大学_202511510740.4
    本发明提供一种硒碲光电导探测器的制备方法，属于光电导探测器技术领域。该方法通过磁控溅射制备碲硒薄膜并在大气中通过两步退火后处理工艺生成氧化碲钝化层和保护层，再制备完整的探测器，包括从下至上依次的衬底、碲硒薄膜、钝化层和金属电极；还包括了保护...
    2026-03-04
  • 背接触电池的制备方法
    背接触电池的制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511598825.2
    本发明涉及一种背接触电池的制备方法，在每次形成隧穿层、掺杂层和掩膜后，先采用氢氟酸溶液去除正面和侧面的掩膜，再通采用碱液刻蚀掉暴露出来的隧穿层及掺杂层便可去除绕镀。由于采用酸刻与碱刻蚀的组合工艺便可达到去除绕镀的目的，故可避免使用硝酸及浓硫...
    2026-03-04
  • 一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法
    一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法_浙江超晶晟锐光电有限公司_202511600795.4
    本申请公开了一种改善InAs/GaSb超晶格刻蚀侧壁粗糙度的方法，将待刻蚀的InAs/GaSb超晶格样品和至少一片固态含铟辅助源假片共同放置于刻蚀反应腔内进行刻蚀。本发明的方法无需改变现有主流的氯基干法刻蚀平台，仅需在腔室内增加固态含铟辅助...
    2026-03-04
  • 一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法
    一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法_安徽烯宇科技有限公司_202511631331.X
    本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种硅异质结太阳能电池的透明电极及其制备方法，该方法包括：提供硅异质结基底；在基底表面涂覆银纳米线墨水；对涂覆后的膜层进行热处理形成透明电极。本发明通过引入双功能硅烷偶联剂、“光热‑压力辅助”低温固化、...
    2026-03-04
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_通威太阳能(眉山)有限公司_202511639503.8
    本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件及其制备方法。该制备方法包括：对多个太阳电池进行焊接和层压，得到组件半成品，该太阳电池包括基底、依次设置在基底一侧表面上的第一掺杂层和第一功能层，第一掺杂层为硼掺杂层，第一功能层包括Si‑H键...
    2026-03-04
  • 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511641429.3
    本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：在硅基体背面设置第二掺杂结构，去除第二掺杂结构中对应于第一掺杂区和隔离区的部分，形成第二掺杂区；形成第一掺杂结构和层叠设置在所述第一掺杂结构上...
    2026-03-04
  • 一种铜掺杂的背接触层及其制备方法和碲化镉发电玻璃
    一种铜掺杂的背接触层及其制备方法和碲化镉发电玻璃_瑞昌中建材光电材料有限公司_202511687019.2
    本发明涉及碲化镉发电玻璃技术领域，具体为一种铜掺杂的背接触层及其制备方法和碲化镉发电玻璃。铜掺杂的背接触层的制备方法包括：先制备背接触层，再在所述背接触层上制备铜浆点阵，最后进行两段热处理；所述两段热处理的第一段热处理温度为180~220℃...
    2026-03-04
  • 叠焊机反曲机构及其使用方法、光伏组件
    叠焊机反曲机构及其使用方法、光伏组件_广州高景太阳能科技有限公司_202511694400.1
    本发明涉及光伏电池领域，具体而言，涉及一种叠焊机反曲机构及其使用方法、光伏组件，包括压针、吸嘴、升降板以及驱动机构；所述升降板的底部设置多个压针和吸嘴，所述驱动机构的输出端与所述升降板连接，用于驱动所述压针和所述吸嘴上下运动；其中，所述压针...
    2026-03-04
  • TBC电池及其制备方法
    TBC电池及其制备方法_芜湖协鑫集成新能源科技有限公司_202511705137.1
    本公开涉及一种TBC电池及其制备方法。所述方法包括：在硅基体背面依次制备P区和N区，在制备N区的过程中：依次去除所述硅基体背面P区和间隔区的PSG；在所述硅基体背面N区制备掩膜层，以保护所述N区的PSG；去除所述硅基体正面和侧面的PSG；去...
    2026-03-04
  • 一种光伏组件内部焊接失效的维修方法
    一种光伏组件内部焊接失效的维修方法_环晟新能源(江苏)有限公司_202511708103.8
    本发明涉及光伏组件维修技术领域，尤其是涉及一种光伏组件内部焊接失效的维修方法。本发明提供的光伏组件内部焊接失效的维修方法，包括步骤：通过热成像设备对光伏组件进行检测，基于温度异常的图像确定目标光伏组件；对目标光伏组件进行断电操作；定位所述目...
    2026-03-04
  • 一种板级封装结构及方法
    一种板级封装结构及方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511713176.6
    本发明公开了一种板级封装结构及方法，该方法包括以下步骤：提供带有焊垫和感光区的芯片，在感光区上形成保护胶层；在芯片上形成光刻胶，并形成开窗；在开窗位置填充金属重布线层；提供临时载板；在临时载板上形成金属焊垫，形成黑色绝缘层；将芯片贴装在临时...
    2026-03-04
  • 一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法
    一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法_河北大学_202511716422.3
    本发明提出了一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法。本发明所提供的透明光电探测器结构包括透明玻璃衬底、图案化基底、光吸收层、宽带隙氧化物覆盖层和透明导电电极。所述的透明光吸收层为锑基硫属薄膜，选择性沉积在图案化基底上。锑基硫属薄...
    2026-03-04
  • 降低硅片间隙氧的方法和硅片
    降低硅片间隙氧的方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511724795.5
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种降低硅片间隙氧的方法和硅片，该方法包括：获取硅片；在硅片的表面形成损伤层；对形成损伤层的硅片进行第一退火处理；对第一退火处理后的硅片进行第二退火处理，第一退火处理的退火温度大于第二退火处理的退火温度，对第二...
    2026-03-04
  • 一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置
    一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置_河北冠德玻璃制品有限公司_202511775294.X
    本发明适用于光伏太阳能板生产技术领域，提供了一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置，包括：固定架和支撑座，所述支撑座固定安装于固定架的中部；排气机构，所述排气机构设置于固定架的端部；升降支撑组件，所述升降支撑组件转动设置于支撑座上，且升降支...
    2026-03-04
  • 一种TBC电池提高poly钝化效果的方法
    一种TBC电池提高poly钝化效果的方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511776467.X
    本发明公开了一种TBC电池提高poly钝化效果的方法，旨在解决传统LPCVD一步沉积i‑poly层与硼扩匹配性差、钝化效果不足的问题。该方法包括：在硅基底生长隧穿氧化层后，依次沉积三层差异化i‑poly层——前、后两层以低温低压形成致密结构...
    2026-03-04
  • 焊带取放设备和方法
    焊带取放设备和方法_无锡先导智能装备股份有限公司_202511850996.X
    本申请公开了一种焊带取放设备和方法。焊带取放设备包括搬运机构和定位机构；搬运机构包括两个沿第一方向间隔设置的夹持机构；定位机构设置于两个夹持机构之间，定位机构包括工装拾取组件、压针组件和限位组件；压针组件沿第三方向活动设置于工装拾取组件上；...
    2026-03-04
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_润马光能科技(金华)有限公司_202511942339.8
    本申请公开了一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池技术领域；方法步骤包括：步骤1：对衬底进行制绒、扩散、氧化处理，使所述衬底表面形成氧化硅层且形成PN结；步骤2：在所述衬底的至少一个预切片位置采用激光进行激光开膜处理，烧蚀PN结以...
    2026-03-04
  • 一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法
    一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法_苏州大学_202610049811.3
    本申请涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法。包括：S1、在n型硅衬底的背面形成TOPCon结构；S2、在n型硅衬底的正面和TOPCon结构的背面形成介质膜；S3、在背面的介质膜上印刷含...
    2026-03-04
  • 不良电池片的处理方法
    不良电池片的处理方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511757007.2
    本申请提供了一种不良电池片的处理方法，处理方法包括以下步骤：提供不良电池片，不良电池片包括硅衬底和非晶硅层，硅衬底的至少一侧表面为绒面，非晶硅层设于硅衬底的表面上；将不良电池片在150℃~250℃下进行退火处理，得到退火电池片；对退火电池片...
    2026-03-04
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