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最新专利技术
  • 电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法
    电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511568811.6
    本发明提供一种电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法。该MOSFET包括半导体衬底、外延层、以及形成于外延层中的沟槽。沟槽底部设置有屏蔽栅结构，上部设置有栅结构，二者之间由隔离介质层隔开。关键在于，在外延层内、且与沟槽侧壁相邻的位置，设置...
    2026-02-18
  • 半导体功率器及其制备方法
    半导体功率器及其制备方法_清纯半导体(宁波)有限公司_202511674585.X
    本申请提供一种半导体功率器及其制备方法，半导体功率器包括半导体衬底层、漂移层、尾态区和掺杂区；漂移层位于半导体衬底层沿第一方向的一侧；阱区位于漂移层中；尾态区位于漂移层中且位于阱区朝向半导体衬底层的一侧、并与阱区连接；掺杂区位于尾态区沿第一...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411082942.9
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括相邻的隔断区和器件区；多个分立的鳍部，位于器件区的衬底上；隔离结构，位于衬底上，且覆盖鳍部的部分侧壁；栅极结构，位于隔离结构上，栅极结构横跨鳍部并覆盖鳍部的部分顶部和...
    2026-02-18
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510674840.4
    一种半导体装置包括：第一区域，无源元件设置在第一区域中；第二区域，其与第一区域相邻，并且有源元件设置在第二区域中；下层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中；绝缘图案，其位于第二区域中并且位于下层间绝缘层的上表面上，绝缘图案在第一方向上延伸；...
    2026-02-18
  • 横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411062029.2
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法，其中该横向扩散金属氧化物半导体装置包含一基底，其中一水平方向平行于基底的上表面，一金属栅极设置于基底上，其中金属栅极包含一第一侧、一第二侧和一底部，第一侧和第二侧相对，一源极设置在位于...
    2026-02-18
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_尼克森微电子股份有限公司_202411083340.5
    本发明公开一种功率组件的制造方法，所制成的功率组件为沟槽式金属氧化物半导体场效晶体管，其具有接面场效晶体管区域，以此降低沟槽底部的电场，提升功率组件的耐压性。本发明还提供一种具有接面场效晶体管区域的功率组件。
    2026-02-18
  • 一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法_安建科技有限公司_202411088250.5
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，提出一种应用于大功率应用的氮化镓功率器件结构，该器结构具有厚金属基底以及厚金属的顶部可焊层金属层，因此具有良好的散热性能和更优的器件可靠性；本发明还提出多种形成大功率应用的氮...
    2026-02-18
  • 一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件
    一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件_浙江旺荣半导体有限公司_202511381021.7
    本发明公开了一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件，结合了超结设计、分离栅极以及集成MPS二极管结构。在维持高耐压能力的同时，通过电荷补偿机制显著提高漂移区掺杂浓度，从而有效降低导通电阻。分离栅极结构的引入显著减小了器...
    2026-02-18
  • 一种集成JBS的SiC功率cascode器件
    一种集成JBS的SiC功率cascode器件_西安电子科技大学广州研究院_202511722048.8
    本发明公开了一种集成JBS的SiC功率cascode器件，包括：设置于N+SiC衬底层上的N‑SiC外延层；第一深P区和第二深P区对称且间隔地从N‑SiC外延层的上表面延伸至N‑SiC外延层内；第一金属设置于第一深P区的第一侧面至N‑SiC...
    2026-02-18
  • 一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法
    一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202511722063.2
    本发明公开了一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法，该器件自下而上包括漏极、SiC N+衬底和SiC N‑外延层，其中，SiC N‑外延层上表面两侧边缘分别包括第一深P区和第二深P区，SiC N‑外延层、第一深P区和第二深P区的...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511671863.6
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中，栅极结构位于基底上且包括第一环形栅极和多个连接条，多个连接条间隔地沿着第一环形栅极的内侧壁排布，每个连接条的一端连接第一环形栅极，第一环形栅极和多个连接条限定出多个体区开口，各个体区位于...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411074232.1
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，涉及集成电路领域，通过在金属层与介质层之间设置半导体层，一方面利用半导体层降低相邻金属层之间作用于介质层的电压，另一方面，半导体层与介质层直接接触，介质层的偶极性分子的振动传递到半导体层，能够...
    2026-02-18
  • 肖特基二极管及其制造方法
    肖特基二极管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411075704.5
    本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括：第一导电类型区，包括阳极区域、阴极区域及位于所述阳极区域和阴极区域之间的耗尽夹断区；肖特基金属层，位于阳极区域上；阴极金属，位于阴极区域上；第一阱区，具有第一导电类型，为位于第一导电...
    2026-02-18
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510260982.6
    根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底；第一沟道图案和第二沟道图案，在衬底上彼此间隔开；绝缘结构，在第一沟道图案和第二沟道图案之间；栅极结构，围绕绝缘结构的至少一部分、第一沟道图案和第二沟道图案；以及源/漏图案，在第一沟道图案和第二沟道图...
    2026-02-18
  • 高压隔离环结构
    高压隔离环结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608537.0
    本发明提供一种高压隔离环结构，该结构包括：第二导电类型半导体衬底；形成于其上的第一导电类型外延层；形成于外延层中的横向扩散金属氧化物半导体结构；以及设置于衬底与外延层界面区域的第二导电类型埋层。第二导电类型埋层沿衬底深度方向具有至少两个位于...
    2026-02-18
  • 超高压隔离环结构及其制造方法
    超高压隔离环结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608542.1
    本发明提供一种超高压隔离环结构及其制造方法。该结构由多个高压横向扩散金属氧化物半导体组成。为解决现有技术中，在高电阻率衬底上由结隔离导致的穿通击穿问题，本发明在所述高压横向扩散金属氧化物半导体之间、或者在高压横向扩散金属氧化物半导体与高压电...
    2026-02-18
  • 超高压隔离环结构
    超高压隔离环结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608543.6
    本发明公开了一种超高压隔离环结构。该结构包括形成于半导体衬底上的基于横向扩散金属氧化物半导体的结构，该结构包括漂移区及位于体区处的第二导电类型掺杂区。该超高压隔离环结构还包括设置于漂移区内的第二导电类型顶层，该第二导电类型顶层与位于体区处的...
    2026-02-18
  • 超高压隔离环结构
    超高压隔离环结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608544.0
    本发明公开了一种超高压隔离环结构。该结构包括形成于半导体衬底上的横向扩散金属氧化物半导体结构和浮空金属场板。横向扩散金属氧化物半导体结构包括漂移区。浮空金属场板形成于漂移区上方的介电层，并通过介电层与漂移区电隔离。本发明通过设置浮空金属场板...
    2026-02-18
  • 用于制造半导体器件的方法
    用于制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202511075019.7
    公开了一种用于制造半导体器件的方法，其通过应用波浪形掩埋栅来改善自对准接触(SAC)裕度。该方法包括：在衬底之上形成隔离层以及由隔离层限定的有源区；在衬底之上形成沿第一方向延伸并与有源区的两端重叠的具有突起的第一硬掩模图案；通过刻蚀衬底形成...
    2026-02-18
  • 半导体器件结构及其制造方法
    半导体器件结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608538.5
    本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该方法包括：在包括器件层的半导体衬底上形成牺牲层结构；在牺牲层结构及其周围形成栅极材料层；对栅极材料层进行各向异性刻蚀，以在牺牲层结构的侧壁上形成侧墙；去除牺牲层结构，使侧墙保留在半导体衬底上；以及...
    2026-02-18
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