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最新专利技术
  • 离子束加工的离子束束径调整装置
    离子束加工的离子束束径调整装置_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202610020466.0
    本发明涉及离子束超精密加工技术领域，尤其涉及一种离子束加工的离子束束径调整装置，包括调整主体、石墨底座、石墨盘、盖板和散热结构，调整主体上具有第一中心通孔；石墨底座设置于调整主体的另一端，一个石墨盘安装于石墨底座上，石墨盘上开设有用于离子束...
    2026-03-20
  • 复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法
    复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法_深圳清华大学研究院_202511696503.1
    本发明提供一种复合式电子检测器、电子检测设备及检测方法，属于电子显微成像技术领域，本发明的复合式电子检测器，通过设置钇铝石榴石晶体来对分割式硅二极管检测器进行部分覆盖的结构，无需任何检测体的物理更换，即可通过电子学方式选择读取不同区域的信号...
    2026-03-20
  • 一种等离子体处理装置及其工作方法
    一种等离子体处理装置及其工作方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411075802.9
    本发明公开了一种等离子体处理装置及其工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔，其内具有下电极组件；直流电源和第一偏置射频电源，两者均与下电极组件电连接；控制器，其用于控制直流电源向下电极组件提供第一脉冲电压，以及控制第一偏置射频电源向下...
    2026-03-20
  • 一种导流环和等离子体处理装置
    一种导流环和等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411082658.1
    本发明公开了一种导流环和等离子体处理装置，导流环设置在等离子体处理装置的反应腔内，反应腔内设有用于承载晶圆的基座，导流环包括气流引导部、排气部和连接部；气流引导部围绕基座设置；排气部位于气流引导部的下方，排气部上开设有第一气道；连接部连接气...
    2026-03-20
  • 工艺腔室的温度校验方法
    工艺腔室的温度校验方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411096045.3
    本申请公开一种工艺腔室的温度校验方法，属于半导体加工技术领域，温度校验方法包括：基于工艺腔室的工艺温度的设定值，获取设定值所在的温度区间所对应的校温菜单；控制工艺腔室根据校温菜单进行工艺，以在透明衬底的表面形成外延层；若外延层具有透明区域和...
    2026-03-20
  • 气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置
    气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置_细美事有限公司_202510594242.6
    本发明提供一种可以在互锁情况下进行切断以使得气体不向工艺腔体流动的气体供应装置、气体供应控制方法以及基板处理装置。在根据本发明的基板处理装置中，向工艺腔体供应气体的气体供应装置包括：第一供应线，连接于气体供应源；排气线，在所述第一供应线的分...
    2026-03-20
  • 衬底处理设备和衬底处理方法
    衬底处理设备和衬底处理方法_细美事有限公司_202510689801.1
    提出了一种能够有效地去除在可以被升高的聚焦环的下表面上形成的异物的衬底处理设备和衬底处理方法。使用等离子体执行处理过程的该衬底处理设备包括：处理室，该处理室被配置为形成用于衬底的处理空间；卡盘板，该卡盘板被配置为支撑该衬底；聚焦环，该聚焦环...
    2026-03-20
  • 等离子体处理装置和等离子体状态检测方法
    等离子体处理装置和等离子体状态检测方法_东京毅力科创株式会社_202511040606.2
    本发明提供检测等离子体的状态的等离子体处理装置和等离子体状态检测方法。等离子体处理装置包括：具有内部空间的处理容器；设置在上述处理容器的上述内部空间内的基片支承部；对上述处理容器的上述内部空间内供给处理气体的气体供给部；在上述处理容器的上述...
    2026-03-20
  • 为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法
    为衬底处理设备指定射频匹配裕度的系统和方法_ASMIP私人控股有限公司_202511095796.8
    公开了一种具有等离子体控制能力的衬底处理设备。该设备包括射频(RF)源、等离子体室和等离子体控制系统，该等离子体控制系统包括：阻抗匹配网络，其包括第一可变阻抗匹配装置和第二可变阻抗匹配装置；以及控制电路，其配置成：确定第一可变阻抗匹配装置的...
    2026-03-20
  • 预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整
    预期半导体制造处理步骤的匹配网络调整_ASMIP私人控股有限公司_202511107237.4
    在一个实施例中，公开了一种用于控制半导体制造系统的匹配网络的系统。匹配网络包括电子可变电抗元件(EVRE)，其使用不同的匹配配置来改变其总电抗。等离子体室对衬底执行过程，该过程包括处理步骤，处理步骤至少包括第一处理步骤和第二处理步骤。对于每...
    2026-03-20
  • 基片支承器和等离子体处理装置
    基片支承器和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202511520274.8
    本发明提供基片支承器和等离子体处理装置。本发明的基片支承器包括电介质部和至少一个电极。至少一个电极设置于电介质部之中，用于对载置于电介质部上的物体供给偏置电功率。本发明能够对搭载于基片支承器上的物体高效地供给偏置电功率。
    2026-03-20
  • 屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备
    屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511668445.1
    本发明提供了一种屏蔽环装置、接地环装置及刻蚀设备，所述屏蔽环装置包括多个环体及多个第一支撑骨，所述接地环装置包括内环、外环及多个第二支撑骨，部分所述第二支撑骨与所述第一支撑骨重叠。重叠位置的第一支撑骨包括第一固定撑及滑至少一个第一滑动撑，通...
    2026-03-20
  • 一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法
    一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法_上海晟州聚能半导体科技有限公司_202511702595.X
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统及方法。本发明的一种用于大尺寸晶圆刻蚀的多通道功率分配系统，其特征在于，包括主功率单元、分布式子功率单元、阻抗匹配与功率分配网络和刻蚀腔室，主功率单元生成基准射频...
    2026-03-20
  • 用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置
    用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511714690.1
    本发明涉及混合键合技术领域，具体涉及一种用于混合键合的双频容性耦合等离子体放电装置，主要解决等离子体放电装置不能适用于大尺寸晶圆的技术问题。本装置包括腔体组件、源电极组件和偏置电极组件，腔体组件包括腔侧壁、腔盖板和腔底板，源电极组件包括上绝...
    2026-03-20
  • 一种HPPI-Orbitrap离子传输接口
    一种HPPI-Orbitrap离子传输接口_中国科学院大连化学物理研究所_202511574033.1
    本发明属于质谱分析仪器技术领域，特别涉及一种HPPI‑Orbitrap离子传输接口。包括依次同轴设置的HPPI源、离子传输腔及Orbitrap质谱仪，其中HPPI源与离子传输腔连接，HPPI源通过紫外光电离样品分子产生样品离子，离子传输腔用...
    2026-03-20
  • 一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法
    一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511535402.6
    本发明涉及离子表征和制备技术领域，特别涉及一种兼顾高分辨表征的高通量制备质谱装置及方法。该装置包括依次设置的离子源、离子传输腔、四极质量筛选腔、离子解离腔、离子偏转腔、离子减速与沉积腔及沿垂直方向设置于离子偏转腔一侧的高分辨质谱表征腔；利用...
    2026-03-20
  • 一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法
    一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511557283.4
    本发明涉及半导体制备技术领域，特别涉及一种半导体气态分子污染物高覆盖检测质谱装置与方法。该装置包括依次串联的准常压化学电离腔、差分传输腔、低气压化学电离腔及质量分析器，腔体间通过三个离子引出电极实现真空差分；准常压化学电离腔通过第一试剂离子...
    2026-03-20
  • 一种分段刀片型离子阱装置
    一种分段刀片型离子阱装置_合肥幺正量子科技有限公司_202511665254.X
    本发明公开一种分段刀片型离子阱装置，所述装置包括底座以及通过底板安装在底座上的一对RF电极和一对DC电极，其中：所述RF电极以及DC电极均由金属材料制成；所述底座上开设有凹槽，所述底板安装在凹槽中；所述RF电极和的一端安装在底板上，所述DC...
    2026-03-20
  • 一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法
    一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法_北京化工大学_202511681629.1
    本发明公开了一种低温抑氧提升石墨储阴离子容量的方法，将石墨粉、导电剂和粘结剂按照比例均匀混合得到电极浆料；再将电极浆料涂覆于导电集流体上，真空干燥后得到石墨电极；将石墨将电极作为工作电极、碳棒电极作为对电极、Ag/AgCl电极作为参比电极，...
    2026-03-20
  • 用于呈角度压延电池单元的电极片的方法和系统
    用于呈角度压延电池单元的电极片的方法和系统_通用汽车环球科技运作有限责任公司_202411331190.5
    一种压延电极片的方法包括：将电极片定位在压延系统的入口处，该压延系统包括限定压延轴线的辊，该电极片包括布置在集电器的部分上的活性材料层，该活性材料层包括第一横向侧和与第一横向侧相对的第二横向侧、沿着活性材料层的第一横向侧布置的第一未涂覆部分...
    2026-03-20
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