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最新专利技术
  • 改善飞片的发光二极管及其制备方法
    改善飞片的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511280122.5
    本公开提供了一种改善飞片的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：将衬底放置在反应腔的石墨盘上；调整所述反应腔的生长气氛，在所述衬底上生长NAl缺陷阻挡层，所述反应腔的生长气氛包括反应气和载气，所述反应气包括氨气，所...
    2026-02-13
  • 一种LED外延片及其制备方法、LED芯片
    一种LED外延片及其制备方法、LED芯片_浙江前程照明有限公司_202511344776.X
    本发明涉及LED外延片技术领域，尤其涉及一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，该方法包括以下步骤：首先对蓝宝石衬底进行清洗及氢氟酸蚀刻处理，通过脉冲激光沉积生长Sn掺杂的Li55GaO88缓冲层；接着通过化学气相沉积法生长n型GaN层，...
    2026-02-13
  • 一种ITO薄膜多段退火工艺
    一种ITO薄膜多段退火工艺_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511667512.8
    本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，公开了一种ITO薄膜多段退火工艺，包括以下步骤：步骤一：在高真空保护下，将炉内温度从室温升温至第一温度T1并进行第一保温；步骤二：将炉内温度升至更高的第二温度T2并进行第二保温，在第二保温阶段无需通入...
    2026-02-13
  • 一种LED器件及其制备方法
    一种LED器件及其制备方法_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511681844.1
    本发明公开LED器件及其制备方法，该制备方法包括在衬底基板上形成外延结构，得氮化物外延片；外延结构包括多个第一氮化物结构以及覆盖所有第一氮化物结构的氮化物层，衬底基板与氮化物层之间具有多个沿预设方向间隙设置的空气层，空气层与第一氮化物结构交...
    2026-02-13
  • LED显示模组制备工艺
    LED显示模组制备工艺_深圳市锦城胶粘制品有限公司_202511738756.0
    本申请提出一种LED显示模组制备工艺，包括以下步骤：S100、提供一灯板，灯板包括基板和固接在基板上的若干LED发光单元；S200、提供一膜片并覆盖在灯板上，膜片依次包括第一胶体层、第二胶体层和光学膜层，第一胶体层的Tg点小于第二胶体层的T...
    2026-02-13
  • 一种LED芯片及其制备方法和电子设备
    一种LED芯片及其制备方法和电子设备_江西乾照光电有限公司_202511744475.6
    本申请提供了一种LED芯片及其制备方法和电子设备，涉及半导体器件制备技术领域。制备方法包括：制备LED晶圆；对金属反射膜切割形成切割道图案，切割道图案沿LED晶圆的厚度方向贯穿金属反射膜；透过切割道图案对LED晶圆进行激光隐切；沿切割道图案...
    2026-02-13
  • 一种AlGaN基深紫外倒装LED外延结构及其制备方法
    一种AlGaN基深紫外倒装LED外延结构及其制备方法_宁夏大学_202511681176.2
    本发明提供了一种AlGaN基深紫外倒装LED外延结构及其制备方法，属于AlGaN基LED外延结构技术领域。该LED外延结构包括衬底、AlN单晶层、AlN/AlGaN应力缓冲层、n‑AlGaN层、AlGaN多量子阱层、超晶格阶梯渐变掺杂电子阻...
    2026-02-13
  • 一种半导体外延结构及其制备方法和应用
    一种半导体外延结构及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511684478.5
    本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法和应用。该半导体外延结构中的p型半导体层包括p型势垒层，p型势垒层包括至少一个p型结构，p型结构包括依次设置的势垒前子层、p型氮化物微结构和势垒后子层，p型氮化物微结构包括分布在势垒前子层远离有源层表...
    2026-02-13
  • 一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法
    一种低工作电流密度蓝光Micro-LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202610013280.2
    本发明公开了一种低工作电流密度蓝光Micro‑LED外延结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。外延结构的多量子阱发光层包括沿外延方向依次层叠的紫光多量子阱层、浅蓝光多量子阱层、蓝光多量子阱层和紫光末量子阱层；紫光多量子阱层、浅蓝光多量子...
    2026-02-13
  • 改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板
    改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511297331.0
    本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第一电极和第二电极；第一外延层和第一子电极层均位于衬底的板面上，第一外延层和第一子电极层的正投...
    2026-02-13
  • 亮度可调的发光二极管及其制备方法和显示面板
    亮度可调的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511297372.X
    本公开提供了一种亮度可调的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第二平坦层、第一电极、第二电极和第三电极；第一电极、第一外延层和第一子扩展层依次层叠在衬底上，第...
    2026-02-13
  • 提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法
    提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511611498.X
    本发明涉及Micro LED显示技术领域，公开了提升激光剥离良率的Micro LED倒装芯片结构及制备方法，包括：在外延层上形成台面及P、N电极后，采用一种折射率与生长衬底在激光剥离波长下相匹配的填充材料，对电极间的凹陷区域进行完全填充，随...
    2026-02-13
  • 发光二极管
    发光二极管_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511273960.X
    本公开提供了一种发光二极管。发光二极管包括：外延结构和电流阻挡结构；电流阻挡结构位于外延结构上，电流阻挡结构包括多个第一电流阻挡结构和多个第二电流阻挡结构，多个第一电流阻挡结构和多个第二电流阻挡结构交替相连排列；在第一方向上，第一电流阻挡结...
    2026-02-13
  • 发光二极管和发光二极管制备方法
    发光二极管和发光二极管制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511274020.2
    本公开公开了一种发光二极管和发光二极管制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的N型AlInP限制层、N面AlGaInP波导层、发光层、P面AlGaInP波导层、阻挡层和P型AlInP限制层；所述阻挡层为AlInP层、GaI...
    2026-02-13
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511289551.9
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一电极结构、第二电极结构和绝缘结构；所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，在所述外延结构的一侧具有从所述第二半导体层延伸到所述第一半导体层的...
    2026-02-13
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511412067.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。发光二极管包括：衬底、外延结构和低折射率层；外延结构位于衬底上，低折射率层位于衬底远离外延结构的一面，低折射率层的折射率小于衬底的折射率，低折射率层的折射率大于空气的折射率；低折射率层的出光面为凹凸不...
    2026-02-13
  • 一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条
    一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条_浙江前程照明有限公司_202511289170.0
    本发明涉及LED灯珠技术领域，尤其涉及一种LED灯珠及其制备方法、LED灯条，该方法包括以下步骤：采用高纯氧化铝基板沉积氧化铟锡电极并光刻微电路，倒装焊接Micro‑LED芯片，通过微流道填充量子点溶液并旋涂ZIF‑8形成500nm多孔保护...
    2026-02-13
  • 发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置
    发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置_乐金显示有限公司_202510891139.8
    公开了发光元件芯片的拾取控制方法和转移装置。该拾取控制方法包括：第一操作，将印模装载在转移头上，将转移头运送到第一基板，并且拾取具有印模的发光元件芯片；第二操作，将转移头与拾取发光元件芯片的印模一起运送到第二基板，并使用位于转移头下方的图像...
    2026-02-13
  • 发光元件转移设备和转移发光元件的方法
    发光元件转移设备和转移发光元件的方法_三星显示有限公司_202511039524.6
    本申请涉及发光元件转移设备和转移发光元件的方法。发光元件转移设备包括：第一转移头；第二转移头，设置在第一转移头下方；印戳，设置在第二转移头下方；倾斜调整构件，调整第二转移头的倾斜；以及缓冲构件，设置在第二转移头下方以与印戳相邻并且在向下方向...
    2026-02-13
  • 一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源
    一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源_深圳市同一方光电技术有限公司_202511347223.X
    本发明公开一种提升双色温光源良率的加工方法及双色温光源，涉及光源制造技术领域，包括：S1、提供承载件；S2、在承载件的第一区域上固晶暖白光芯片，并进行烘烤处理；S3、对步骤S2中的暖白光芯片进行焊线；S4、对步骤S3中已完成焊线的暖白光芯片...
    2026-02-13
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