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  • 本发明属于半导体封装技术领域,公开了一种半导体封装玻璃基板金属化方法。该方法融合激光诱导正向转移与原子层沉积技术,先通过脉冲激光将金属供体薄膜图案化转移至玻璃基板形成初始金属图案,再经等离子体活化后实施原子层沉积选择性增厚金属并原位生成超薄...
  • 本申请涉及一种玻璃基板的通孔金属填充方法,步骤如下:S1、提供带贯穿通孔的玻璃基板和微线圈阵列,置于真空镀膜腔,使玻璃基板第一表面紧邻靶材、第二表面紧邻微线圈阵列;S2、对镀膜腔抽真空并通入氩气,达到磁控溅射条件后,开启微线圈阵列通入预设电...
  • 本发明公开了一种基于动态自适应的引线键合方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括:基于第一键合点的位置信息、第二键合点的位置信息和引线的参数信息,通过多目标优化算法对引线键合进行路径规划,生成预设线弧形状的初始键合路径;将引线键合于芯片焊盘...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体框架及基板设计方法,包括半导体框架,半导体框架安装在基板顶端部;半导体框架上安装有卡接组件与焊接组件,卡接组件设置在基板上,焊接组件设置在半导体框架上,半导体框架上设置有散热组件,基板侧部设置有缓冲...
  • 本发明提出一种功率模块,所述功率模块包括封装体,设置有相对的第一面与第二面;第一散热板,设置于所述封装体的第一面;第二散热板,设置于所述封装体的第二面;按预定电气连接关系设置的若干功率芯片,所述功率芯片包括第一功率芯片与第二功率芯片;所述第...
  • 本发明涉及一种配备空气通孔的半导体封装,包括配备有信号线以及接地并依次层叠的第1介电层、第2介电层以及第3介电层,通过在配备于所述第1介电层、第2介电层以及第3介电层的所述信号线的外侧区域垂直配备空气通孔而可以减少半导体封装的介电损耗以及寄...
  • 提供了封装基底和半导体封装件。所述封装基底包括多个层,所述多个层中的每个层包括相应的导电图案。所述多个层包括:第一层,在第一层中设置有第一导电图案和相对于所述封装基底外部地暴露的多个垫;第二层,位于第一层上方,并且包括第二导电图案和具有与所...
  • 本公开提供了一种封装载板、芯片封装结构及芯片封装方法,该封装载板包括基板和多个限位结构。基板包括封装侧,基板的封装侧用于设置待封装芯片。多个限位结构设置在基板的封装侧,形成至少一个限位开口,限位开口用于容纳待封装芯片,限位结构与基板非相对的...
  • 一种半导体封装件可包括:封装基底;第一半导体芯片,顺序地堆叠在封装基底的上表面上;第二半导体芯片,在第一半导体芯片之中的最上第一半导体芯片上,第二半导体芯片具有从最上第一半导体芯片的一侧突出的悬垂区域和与最上第一半导体芯片叠置的叠置区域,第...
  • 本发明涉及一种功率模块。在本发明中,中央基板额外地布置在上基板与下基板之间,从而简化了模块的电流回路。另外,通过简化上基板与下基板之间的电流回路,中央基板增强了电流重叠效应。进一步公开的是这样一种功率模块,其中,用于形成电流回路的绝缘图案和...
  • 提供具有悬浮垫的半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括:第一、第二和第三下芯片,沿第一方向布置;图案化骨架,包括在第一、第二和第三下芯片上方且其一部分用作悬浮垫的水平布线和从水平布线延伸的竖直布线;粘合层,在第一、第二和第三下芯片与图案...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种新型半桥功率模块,功率模块包括:AMB基板,所述AMB基板上并排设置有第一芯片组和第二芯片组;上桥,一端与第一芯片组连接,另一端与所述AMB基板连接;下桥,一端与所述第二芯片组连接,另一端延伸至所述上...
  • 本发明公开一种多材质中介层堆叠基板及半导体封装结构,该多材质中介层堆叠基板将传统单一基板拆分为独立的玻璃子基板与碳化硅子基板,通过金属键合堆叠并填充填充材料,形成多材质集成的中介层基板;如此,子基板可并行加工,简化多层堆叠工艺,降低对准偏差...
  • 根据本公开的半导体封装结构包括:衬底;中介层,通过多个第一类型焊料部件接合至衬底;以及集成电路(IC)管芯,通过多个第二类型焊料部件接合至中介层。中介层包括再分布结构和在再分布结构周围延伸的密封环结构。多个第二类型焊料部件中的至少一个电耦接...
  • 本发明公开一种玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构,该玻璃中介层堆叠基板将传统单一基板拆分为独立的不同玻璃材质的玻璃子基板,通过金属键合堆叠并填充填充材料,形成多玻璃材质集成的中介层基板;如此,子基板可并行加工,简化多层堆叠工艺,降低对准偏差...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底在所述衬底的所述第一侧上包括凹坑;电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;包封体,其在所述衬底的所述第一侧上方且覆盖所述...
  • 本发明公开了一种以铜键合方法的大尺寸封装基板叠构及制作方法,基板叠构包括:第一芯板,所述第一芯板设置有第一导通线路,所述第一芯板的顶部表面设置有多个上第一铜柱;第二核心层,所述第二核心层设置有第二导通线路,第二核心层底部表面设置有多个第二铜...
  • 本发明公开了一种用于大尺寸封装基板的叠构及制造方法,包括:第一芯板, 第一芯板上下表面间隔设置有垂直隔垫;堆叠于所述第一芯板上的附加芯板,所述附加芯板至少设置有一个;在所述中间芯垂直方向开设有第一通孔,所述第一通孔被绝缘材料填充;贯穿于所述...
  • 本发明涉及半导体器件封装技术领域,尤其为一种半导体器件的快速封装装置及其使用方法,包括基台,基台上端固定连接有中间架,中间架上端中间固定连接有基板存储单元,基板存储单元下端安装有基板上料板,基板上料板下端安装有对接单元,对接单元下端转动连接...
  • 本发明公开了一种连接有功放芯片的TR组件及其工艺装配方法,包含:S1,对TR组件盒体和钼铜垫片进行预清洗;S2,使用纳米铜膏连接TR组件盒体和钼铜垫片,并对TR组件盒体‑钼铜垫片连接体进行第一次烧结;S3,对第一次烧结后的TR组件盒体‑钼铜...
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