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最新专利技术
  • 一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品
    一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品_清华大学深圳国际研究生院_202511870958.0
    本发明公开一种金刚石表面石墨烯保护层的制备方法及金刚石制品，涉及到表面改性与耐腐蚀涂层技术领域。本发明通过低温等离子体辅助化学气相沉积技术直接在金刚石表面原位形成的石墨烯保护层，其与金刚石基体之间形成了稳定的界面结合。界面结合不仅包括物理吸...
    2026-03-22
  • 一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用
    一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用_华中科技大学_202511493768.1
    本发明属于二维材料相关技术领域，其公开了一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用，步骤为：S1，在基底上均匀地旋涂铌盐化合物溶液；S2，基于得到的所述基底，采用化学气相沉积的方法制备得到二维简并半导体薄膜材料，具体为：在氩气气氛的管式炉...
    2026-03-22
  • 氮化钛薄膜生长方法及生长机台
    氮化钛薄膜生长方法及生长机台_上海稷以科技有限公司_202511615010.0
    本发明提出了一种氮化钛薄膜生长方法及生长机台，该生长方法包括：步骤S1、在晶圆的表面沉积设定厚度H0的氮化钛薄膜后，之后进行除杂修复；步骤S2、重复步骤S1，至氮化钛薄膜的沉积厚度为厚度H；H＞H0。本发明使得生长的氮化钛薄膜杂质较少，且体...
    2026-03-22
  • 前体供应容器
    前体供应容器_ASMIP私人控股有限公司_202511008593.0
    公开了一种前体供应容器。前体供应容器包括顶壁、底壁和侧壁；配置和布置成加热顶壁的顶壁加热器、配置和布置成加热底壁的底壁加热器以及配置和布置成加热侧壁的侧壁加热器。加热器中的每个是独立可控的。
    2026-03-22
  • 去除MPCVD设备内壁涂层的方法
    去除MPCVD设备内壁涂层的方法_中南钻石有限公司_202511555613.6
    本发明公开了去除MPCVD设备内壁涂层的方法，具体为：将醇溶液与水溶液混合，放入鼓泡装置中；关上MPCVD设备腔体门，对腔体进行抽真空；打开鼓泡装置上的氢气阀门，氢气进入鼓泡装置中，使得氢气携带挥发的醇水混合液进入MPCVD设备的反应室，并...
    2026-03-22
  • 半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法和装置
    半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法和装置_拓荆科技股份有限公司_202511579348.5
    本发明公开了一种半导体设备中基于累计膜厚的清洁方法，满足高精度、多工艺混合生产场景(如DRAM产线SiO22/SiNxx混产)对腔室清洁的精准性要求，适配多工艺场景、兼顾精度与效率。方法包括：对单次工艺膜厚增量进行累加，得到腔室壁累计的膜厚...
    2026-03-22
  • 一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法
    一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法_安徽清致科技发展有限公司_202511677830.2
    本发明涉及流化床技术领域，具体公开了一种纳米包覆材料的CVD流化制备装置及方法，包括：固定筒；气体分布环，所述固定筒内活动安装有气体分布环，所述气体分布环与固定筒之间连接有若干弹性件一。本发明中，堆积在气体分布环上的颗粒在重力作用下使气体分...
    2026-03-22
  • 气箱、控制方法、薄膜沉积设备及存储介质
    气箱、控制方法、薄膜沉积设备及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511952156.4
    本发明提供了气箱、薄膜沉积设备、控制方法及存储介质。所述气箱包括箱体、冷风管路、汽化检测仪及控制器。所述箱体的箱壁设有进风口，而其内部设有前驱体的汽化器。所述冷风管路的第一端连接冷风源，其第二端连接所述箱体的进风口，而其内部设有阀门。所述汽...
    2026-03-22
  • 一种薄膜沉积原料、覆膜件及含硅膜沉积方法
    一种薄膜沉积原料、覆膜件及含硅膜沉积方法_深圳新宙邦科技股份有限公司_202411006575.4
    为克服现有原子层沉积含硅膜时存在沉积速率低和成膜质量不足的问题，本发明提供了一种薄膜沉积原料，包括主材料和掺杂物，所述主材料选自烷基取代氨基硅烷，所述掺杂物选自结构式1所示的含氧硅烷；。同时，本发明还公开了一种覆膜件及含硅膜沉积方法。本发明...
    2026-03-22
  • 一种提高银制品机械特性及防腐蚀特性的方法
    一种提高银制品机械特性及防腐蚀特性的方法_皖西学院_202511143076.4
    本发明涉及银制品处理技术领域，公开了一种提高银制品机械特性及防腐蚀特性的方法，该方法将银制品置于具有内外双腔体结构的原子层沉积设备中，通过载气引入三甲基铝和去离子水前驱体，采用脉冲方式交替导入前驱体，并在每次脉冲后关闭反应腔与真空泵之间的阀...
    2026-03-22
  • 多片式镀膜装置和镀膜设备
    多片式镀膜装置和镀膜设备_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511584358.8
    本发明公开了一种多片式镀膜装置，包括主体框架、盖板组件、进气组件、排气组件和卡塞盒组件，该镀膜装置内部下端板和底板之间的间距、所述上端板与盖板组件底部表面之间的距离、所述卡塞盒侧板与侧板之间的距离、最靠近上端板一侧的鳍板与上端板之间的距离、...
    2026-03-22
  • 一种基于ALD半导体设备的气体喷淋装置
    一种基于ALD半导体设备的气体喷淋装置_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202511593803.7
    本发明涉及半导体工艺设备技术领域，具体涉及一种基于ALD半导体设备的气体喷淋装置，包括盘架，盘架还包括进气腔室、转运腔室和出口板架，进气腔室内设有筒状支撑件，转运腔室内具有多个输气管道，所述筒状支撑件顶部固定安装有混匀件，混匀件内具有气室腔...
    2026-03-22
  • 一种光学镜片表面多层复合增透膜的制备方法
    一种光学镜片表面多层复合增透膜的制备方法_中国科学院山西煤炭化学研究所_202511677078.1
    本发明属于光学薄膜设计及制备技术领域，具体涉及一种光学镜片表面多层复合增透膜的制备方法。制备方法包括：在光学镜片表面依次进行原子层沉积形成过渡层、高折射率层、低折射率层、高折射率层和封装层。本发明所述的原子层沉积方法，能够在不同曲率半径的非...
    2026-03-22
  • 一种薄膜沉积设备用喷淋头气体混合结构
    一种薄膜沉积设备用喷淋头气体混合结构_无锡金源半导体科技有限公司_202511982740.4
    本发明公开了一种薄膜沉积设备用喷淋头气体混合结构，属于半导体生产技术领域，包括两个用于调节输入气体压力的调压机构，调压机构上设置有用于调节输入气体流速的调速机构，调速机构上设置有用于将多种气体进行混合的混合机构；本发明设置的调压机构能够实时...
    2026-03-22
  • 一种原子层薄膜沉积工艺设备
    一种原子层薄膜沉积工艺设备_北京中科聚微半导体设备有限公司_202511990121.X
    本发明公开了一种原子层薄膜沉积工艺设备，涉及原子层薄膜沉积技术领域，包括箱体和调节组件，所述箱体的后侧安置有喷气头，且箱体的下部固定有排气管，所述箱体的内部设置有隔板，所述调节组件贯穿于箱体的内部，且调节组件包括电缸。本发明通过隔板和密封板...
    2026-03-22
  • 一种用于PECVD设备的转动架装置
    一种用于PECVD设备的转动架装置_深圳蓝海源科技有限公司_202410372410.2
    本发明涉及PECVD生产设备领域，尤其是指一种用于PECVD设备的转动架装置，其包括转动架机构、公自转驱动机构以及浮动承载机构，转动架机构可转动地设置在浮动承载机构上，公自转驱动机构与转动架机构驱动连接；转动架机构包括固定支架以及多个转架组...
    2026-03-22
  • 沉积装置
    沉积装置_三星显示有限公司_202510977725.4
    本公开涉及包括衬底支承台的沉积装置。根据实施方式的用于沉积的衬底支承台包括：基础部分；边缘夹持部分，位于基础部分的侧壁的侧表面上；以及加热器，位于边缘夹持部分上。边缘夹持部分包括主部分、第一突出部分和第二突出部分，第一突出部分和第二突出部分...
    2026-03-22
  • 转盘结构及镀膜设备
    转盘结构及镀膜设备_常州捷佳创精密机械有限公司_202511712602.4
    本发明公开了一种转盘结构及镀膜设备，包括：设置在炉体外的驱动装置，其输出端连接有传动轴，传动轴部分伸入炉体内并连接有第一齿轮组，第一齿轮组连接有基座，基座沿周向并间隔设置有多个电极座，每个电极座或任意两个相邻的电极座之间均与对应的载具电连接...
    2026-03-22
  • 一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置
    一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置_江苏协鑫特种材料科技有限公司_202511789640.X
    本申请涉及化学气相沉积设备技术领域，且公开了一种半导体高纯碳化硅涂层用化学气相沉积装置，包括活动设置在反应箱内的载板，且载板由设置在反应箱内的电机驱动旋转，载板的外边缘固定安装有若干圆周阵列分布的载片装置，所述载片装置包括倾斜设置的基座，基...
    2026-03-22
  • 一种PECVD无遮挡全面镀膜工艺结构
    一种PECVD无遮挡全面镀膜工艺结构_无锡爱尔华光电科技有限公司_202511896563.8
    本发明涉及镀膜技术领域，具体为一种PECVD无遮挡全面镀膜工艺结构，其能够保障成膜均匀性，提高基板利用率和生产良率，降低成本，其包括下部电极和遮挡框，所述下部电极上开设有氩气通孔，所述氩气通孔连通氩气进气管，所述电极的上表面边缘设置有绝缘框...
    2026-03-22
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