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最新专利技术
  • 一种芯片、芯片封装结构及电子设备
    一种芯片、芯片封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410966295.1
    本申请提供一种芯片、芯片封装结构及电子设备，芯片包括：衬底、以及位于衬底之上的多个互连结构，互连结构包括沿着第一方向，依次堆叠设置的第一导电结构、互连孔和第二导电结构，多个互连结构被划分为至少一个第一互连结构和至少一个第二互连结构，第一互连...
    2026-02-08
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510253704.8
    一种半导体封装件可包括：第一再分布结构；子半导体封装件，在第一再分布结构上，其中，子半导体封装件可包括：第二再分布结构，桥接裸片，在第二再分布结构上，第一模制材料，在第二再分布结构上被构造为覆盖桥接裸片，第三再分布结构，在第一模制材料上，并...
    2026-02-08
  • 集成电路、芯片封装结构、射频装置、模组、雷达及设备
    集成电路、芯片封装结构、射频装置、模组、雷达及设备_加特兰微电子科技(上海)有限公司_202410963621.3
    一种集成电路、芯片封装结构、射频装置、射频模组、雷达及电子设备，可以有效减少封装后的厚度，有利于减少馈线损耗。所述集成电路结构包括：集成电路和位于集成电路第一表面的连接结构，其中，所述连接结构至少包括金属地层和馈线层，所述金属地层与所述馈线...
    2026-02-08
  • 有效支持用于高数据速率应用的信号路由的衬底封装
    有效支持用于高数据速率应用的信号路由的衬底封装_马维尔亚洲私人有限公司_202510989900.1
    本公开涉及有效支持用于高数据速率应用的信号路由的衬底封装。一种装置，包括具有第一侧面和第二侧面的衬底，其中第一侧面与第二侧面相对。该装置还包括被定位在衬底第二侧面上并且电耦合到衬底的管芯。该装置包括被定位在衬底第一侧面上的信号路由部件。信号...
    2026-02-08
  • 一种多芯片封装结构及封装方法
    一种多芯片封装结构及封装方法_恒玄科技(上海)股份有限公司_202511542760.X
    本申请公开一种多芯片封装结构及封装方法，该多芯片封装结构包括：第一芯片、第二芯片和基板；所述基板包括相对的第一表面和第二表面；所述第一芯片与所述基板的第一表面电性连接；所述第二芯片与所述基板的第二表面电性连接，所述第一芯片在第二芯片所在平面...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410977096.0
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有第一金属层；依次位于所述层间介质层表面的第一阻挡层和第一介质层；依次位于所述第一介质层表面的第二阻挡层和第二介质层，...
    2026-02-08
  • 电子元件封装结构、雷达传感器及电子设备
    电子元件封装结构、雷达传感器及电子设备_加特兰微电子科技(上海)有限公司_202410987612.8
    本申请实施例涉及信号处理技术领域，公开了一种电子元件封装结构、雷达传感器及电子设备，其中电子元件封装结构包括：依次设置的至少一个重布线层、介质层和寄生天线层；所述电子元件通过至少一个所述重布线层将射频信号耦合至所述寄生天线层；和/或，所述寄...
    2026-02-08
  • 封装体结构及其制备方法、电子设备
    封装体结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410955029.9
    本申请提供一种封装体结构及其制备方法、电子设备。封装体结构包括玻璃基板、芯片和导电层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面、及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面，第一侧面为凸面。芯片连接于玻璃基板的第一表面，芯片包括第二侧面，芯片的第二...
    2026-02-08
  • 再分布结构及包括该再分布结构的半导体封装
    再分布结构及包括该再分布结构的半导体封装_三星电子株式会社_202510301957.8
    提供了一种具有减少的寄生电容的再分布结构。该再分布结构可以包括通孔层和在与通孔层垂直的第一方向上设置在通孔层上的布线层，布线层包括金属板和被配置为在第一方向上穿透金属板的第一绝缘图案。第一绝缘图案的外侧表面可以从金属板的侧表面暴露。
    2026-02-08
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511264574.4
    本发明提供一种封装结构及其形成方法，在所述封装结构中，所述桥接芯片的背面与所述底部重布线层的正面通过第一键合结构连接，所述第一键合结构为有机与无机混合键合结构或者有机混合键合结构，和/或所述桥接芯片的正面与所述顶部重布线层的背面通过第二键合...
    2026-02-08
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511265102.0
    本发明提供一种封装结构及其形成方法，所述布线插入层中的所述桥接芯片与所述芯片封装组件通过第一有机互连层以及第二有机互连层键合连接，第一有机互连层以及第二有机互连层键合形成有机混合键合结构，所述桥接芯片无需与所述芯片封装组件通过焊锡连接，则不...
    2026-02-08
  • 一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路
    一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路_东方电气集团科学技术研究院有限公司_202511309272.4
    本发明涉及功率半导体技术领域，公开了一种基于层叠结构的低漏感并联驱动SiC功率模块及其集成电路，本发明的SiC功率模块为六层PCB板叠层结构，包括自上而下依次设置的SiC功率器件布局层、低阻抗参考地平面层、漏极走线层、源极走线层、驱动供电层...
    2026-02-08
  • 一种功率模块封装结构及其封装工艺
    一种功率模块封装结构及其封装工艺_合肥钧联汽车电子有限公司_202511423139.1
    本发明提供了一种功率模块封装结构及其封装工艺，包括上基体；与所述上基本相对设置的散热底板；设置于所述上基体以及所述散热底板之间的AMB基板；以及设置于所述AMB基板上的功率芯片，所述功率芯片的源极通过铜夹片与外部端子电连接，且所述铜夹片与所...
    2026-02-08
  • 一种堆叠封装结构及其制备方法和电子设备
    一种堆叠封装结构及其制备方法和电子设备_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511563352.2
    本申请提供了一种堆叠封装结构及其制备方法和电子设备，涉及封装技术领域。堆叠封装结构包括沿第一方向堆叠固定设置的至少两个封装基板，任意两个封装基板之间无互连线；封装基板包括：电路板，电路板的一侧表面包括位于中心的芯片连接区和位于边缘的引脚连接...
    2026-02-08
  • 重布线结构及其形成方法
    重布线结构及其形成方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511564072.3
    一种重布线结构及其形成方法，其中重布线结构包括：至少一重布线层；所述重布线层包括：沿第一方向延伸的若干信号线和若干接地线；所述信号线及所述接地线沿第二方向交替分布，所述第一方向与所述第二方向垂直。所述重布线层内的信号线和接地线沿第二方向交替...
    2026-02-08
  • 一种封装基板以及芯片封装结构
    一种封装基板以及芯片封装结构_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202511613988.3
    本申请公开了一种封装基板以及芯片封装结构，封装基板包括层叠的若干导电层；若干导电层中至少一层作为接地层，接地层包括第一区域金属层和第二区域金属层，第二区域金属层位于第一区域金属层的内部镂空处且与第一区域金属层之间具有绝缘间隙；用于接地的第一...
    2026-02-08
  • 一种芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法
    一种芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法_成都奕成集成电路有限公司_202511521614.9
    本申请公开了一种芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基板、第一芯片组件和第二芯片组件，基板包括相对设置的第一表面、第二表面以及连接于第一表面和第二表面之间的第一侧面，基板内具有第一重布线层，第一表面...
    2026-02-08
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410969746.7
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，其包括一载板、一第一介电层、至少一天线、至少一裸晶、一第二介电层、至少一导电柱、多条第一导接线路、一第三介电层、多条第二导接线路及一外护层；其中各第一导接线路及各第二导接线路是经由利用先将金属膏填注于凹槽...
    2026-02-08
  • 一种基于特定温度差不同热膨胀量调节应力的封装装置
    一种基于特定温度差不同热膨胀量调节应力的封装装置_盐城师范学院_202510918057.8
    本发明公开了一种基于特定温度差不同热膨胀量调节应力的封装装置，包括基板，所述基板上的至少两种不同参数的坑，所述基板上填充坑内的热膨胀材料，所述基板上的半导体材料。本发明通过特定温度差不同热收缩量的加入，实现了特定温度下的应力调节功能，实现芯...
    2026-02-08
  • 用于产生接触金属化部的方法和设备
    用于产生接触金属化部的方法和设备_派克泰克封装技术有限公司_202411156346.0
    本发明涉及一种借助于用于操作晶片的操纵器装置和借助于多个工作站在晶片的连结面上产生接触金属化部的方法，工作站分别具有用于容纳晶片的工艺腔，其中多个工作站具有至少一个沉积站，其具有用于容纳由沉积到晶片(11)的连结面上的接触金属构成的溶液的工...
    2026-02-08
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