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最新专利技术
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788426.2
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和非显示区；显示面板包括：阵列基板，包括：第一衬底；公共电极导通层，设于第一衬底的非显示区，包括依次层叠设置的第一金属层、钝化层、第一透明导电层、第一配向膜；第一配向膜覆盖第一透明导电层...
    2026-02-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788944.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板的阵列基板的非显示区包括层叠的衬底、第一金属层、绝缘层和第二金属层和钝化层；第一金属层包括间隔绝缘的第一金属走线和公共电极走线；第二金属层包括第二金属走线，与第一金属走线间隔绝缘且对位，与公共电极...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411001591.4
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、第一晶体管与第一金属栅极。基底具有彼此相对的正面与背面。第一晶体管位于正面上。第一晶体管包括第一通道区。第一金属栅极位于背面上，且对准第一通道区。
    2026-02-11
  • 阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置
    阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置_浙江莱宝显示科技有限公司_202511219708.0
    本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有多条栅极走线和源极走线，多条栅极走线和源极走线交叉并形成多个像素单元，像素单元包括：像素电极以及薄膜晶体管；薄膜晶体管包...
    2026-02-11
  • 一种抑制闩锁效应的版图结构
    一种抑制闩锁效应的版图结构_北京时代民芯科技有限公司_202511311619.9
    本发明属于抗闩锁效应防护技术领域，涉及了一种抑制闩锁效应的版图结构。旨在解决在改善闩锁效应的同时也会增加版图单元面积，从而引起寄生电容的增加进而降低电路速度的问题。本发明包括P型衬底以及形成于P型衬底上的NMOS管，深N阱，形成于P型衬底中...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其制造方法和集成电路布局图的生成方法
    集成电路器件及其制造方法和集成电路布局图的生成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408402.X
    本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件包括隔离结构，该隔离结构在半导体衬底正面沿第一方向在两个位置之间延伸；晶体管，包括在两个位置之间延伸的栅极和MD段，并且栅极和MD段是沿第二方向位于两个位置之间和隔离结构之间的全部栅极和MD段；正...
    2026-02-11
  • 一种复合型ESD器件
    一种复合型ESD器件_杰平方半导体(上海)有限公司_202410973820.2
    本发明公开了一种复合型ESD器件，属于半导体技术领域，该复合型ESD器件，包括P型衬底；N型阱区，设置在P型衬底的内部，N型阱区中还横向布置有第一N型区和第一P型区，且第一N型区和第一P型区之间具有间隔；P型阱区，设置在N型阱区的一侧，P型...
    2026-02-11
  • 静电放电保护装置
    静电放电保护装置_旺宏电子股份有限公司_202411071959.4
    本发明提供一种静电放电保护装置，包括基板、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一端以及第二端。第一阱区设置于基板中，且具有第一导电类型。第二阱区设置于第一阱区中，且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一掺杂区设置于基板中且分离...
    2026-02-11
  • 二极管结构及其制备方法、半导体器件
    二极管结构及其制备方法、半导体器件_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511521274.X
    本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件，包括基底、浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构，浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构分别在第一方向上位于基底的一侧，且沿第二方向依次设置，阳极...
    2026-02-11
  • 一种高压集成电路ESD保护用分割型双向SCR器件
    一种高压集成电路ESD保护用分割型双向SCR器件_电子科技大学_202511942844.2
    本发明属于高压集成电路(Integrated Circuits，简称IC)的静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护器件设计领域，针对双向硅控整流器(Dual‑Directional Silicon Con...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511539962.9
    本申请公开了一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统，太阳能电池包括至少一个切割侧面，切割侧面包括沿切割侧面的长度方向X相对设置的第一边缘和第二边缘；切割侧面还包括第一切割区和第二切割区。第一切割区与第一边缘之间的距离大于0，且小于或等于第一预...
    2026-02-11
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510902474.3
    本申请提供了一种太阳电池及光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底的背面包括交替排列的P型掺杂区和N型掺杂区，在P型掺杂区，晶体硅衬底的背面依次设置有第一隧穿氧化层和P型掺杂层；在N型掺杂区，晶体硅衬底的背面依次设置有第二隧穿氧化层...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池及其制备方法
    一种太阳电池及其制备方法_通威太阳能(金堂)有限公司_202510905195.2
    本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括电池基底，电池基底包括第一表面及与第一表面相对的第二表面；第一表面由内至外层叠设有钝化层、减反射膜层及第一金属电极，第二表面由内至外层叠设有本征非晶硅层、P型非晶硅层...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510944459.5
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底的背面依次设置有介质层、第一掺杂层和背面表面钝化层，晶体硅衬底的正面具有正面绒面结构，正面绒面结构中包括金字塔状的微单元结构；正面绒面结构包括第一区域和第...
    2026-02-11
  • 一种背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池_横店集团东磁股份有限公司_202511504635.X
    本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池。包括：基底层、位于基底层的背面的第一掺杂区和第二掺杂区以及隔离区；第一掺杂区包括第一连接部和多个第一延伸部，第二掺杂区包括第二连接部和多个第二延伸部；第一连接部和第二连接部沿第一方向...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池、电池组件和光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511546730.6
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统，太阳能电池包括：基底，以及设置于基底的第一侧的多个第一掺杂层和多个第二掺杂层；第一掺杂层和第二掺杂层交替排布；相邻的第一掺杂层和第二掺杂层之间设置有隔离区，隔离区用于隔离第一掺杂层和第二掺杂层...
    2026-02-11
  • 一种具有特定正面结构的背接触电池及其电池组件
    一种具有特定正面结构的背接触电池及其电池组件_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202511958188.5
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定正面结构的背接触电池及其电池组件，该特定正面结构包括在硅基底正面依次设置的隧穿氧化层、特定掺杂非晶硅层，且特定掺杂非晶硅层中沿远离隧穿氧化层的方向依次设置低掺杂非晶硅层、高掺杂非晶硅层和掺氧...
    2026-02-11
  • 一种无铅钙钛矿Si叠层结构太阳能电池及其制备方法
    一种无铅钙钛矿Si叠层结构太阳能电池及其制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511450779.1
    本发明公开了一种无铅钙钛矿Si叠层结构太阳能电池及其制备方法，电池结构自下而上依次为：底电极、电子传输层ETL、光吸收层、空穴传输层HTL、顶电极；所述电子传输层ETL为N型宽禁带半导体或SiC；空穴传输层HTL为P型宽禁带半导体金刚石或G...
    2026-02-11
  • 半导体换能器件及其制备方法、同位素电池
    半导体换能器件及其制备方法、同位素电池_超微时代(重庆)能源科技有限公司_202511725032.2
    本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种半导体换能器件及其制备方法、同位素电池，所述半导体换能器件包括P型金刚石衬底，所述P型金刚石衬底的表面附着有N型三维纳米膜，其中，所述N型三维纳米膜是由N型半导体前驱体经电解氧化后形成。所述半导体换能器...
    2026-02-11
  • 异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件
    异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511248587.2
    本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述异质结太阳电池包括：硅基底；第一钝化层，所述第一钝化层位于所述硅基底上；缓冲层，所述缓冲层设置于所述第一钝化层背离所述硅基底的一侧表面，所述缓冲层中包括晶体结构，...
    2026-02-11
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